刘俊 边文姣 苗雨菲 王嵩 戚腾元 杨景文 行业研究 行业深度 AI电源第一性原理800VDC篇：下一轮算力升级引领AI电源四大趋势

摘要

报告维持电力设备与新能源及电源设备行业“增持”评级，认为在AI算力从Scale out走向Scale up、下一代超节点机柜（英伟达Kyber、字节AI Rack 3.0）功率突破500kW的背景下，大电流带来的母线体积与散热瓶颈将推动800V直流方案从优选走向必选，并催生更高电压、多层备电、模块集成、升级前置四大供配电趋势。 节奏上，白区电源预计26年迈入800VDC架构、27年放量，灰区直流化28年开始加速，高功率密度渗透更快的海外为HVDC主要市场，国内技术与供应链有望跟上。 报告预测2027/28年全球AIDC新增装机+改造量61/85 GW、800V渗透率40%/76%，带动800V HVDC（Side Car）装机37/85 GW、SST装机2/20 GW；2030年全球装机116GW、渗透率93%，HVDC模块/SST装机51/95 GW，对应2028-30年CAGR 11%/237%。 市场空间方面，全球AI柜外电源和配电设备市场预计由2025年542亿美元跃升至2030年2567亿美元（CAGR 36%），其中SST弹性最大，2030年达274亿美元、28-30年CAGR 192%。 与市场担忧NVDA芯片潜在延期扰动800VDC导入不同，报告认为高功率密度超节点机柜是大势所趋、延期不影响前置需求，27~28年有望迎来AIDC装机高峰，26~27年产能和订单抢跑是800V升级周期的发令枪。 投资上沿四条主线布局：白区电源（推荐欧陆通）、灰区集成化（推荐阳光电源、特锐德、中国西电、国电南瑞、伊顿）、多尺度备电（推荐阳光电源、宁德时代A/H、思源电气）与车规同源/功率半导体（推荐威迈斯，相关公司英飞凌、扬杰科技、士兰微等）。

主要观点

• 下一代AI超节点机柜放量在即，英伟达Kyber与字节AI Rack 3.0功率突破500kW，大电流下母线体积与散热瓶颈或推动800V直流方案从优选走向必选，国内外800V产业化有望齐头并进。

• 四大趋势之一——更高电压：白区电源率先迎来800V改造刚需（必选），灰区从提效与优化角度跟上（优选）；800VDC较传统交流方案可减少约50%铜缆用量和占地、降低约32%线路发热，SST损耗1.5%亦显著低于传统AC UPS的6.4%。

• 四大趋势之二——多层备电：AI负载在毫秒、秒级和分钟级同时起伏，备电由单一UPS演变为MLCC、超级电容、BBU与BESS分层协同的功率缓冲体系。

• 四大趋势之三、之四——模块集成与升级前置：海外人力和配电设备供给成为AIDC落地新瓶颈，机电模块化撬装可减少22%工期、节约63%人力成本，SST灰区集成化可较AC UPS减少约50%交付时间和约90%人工成本；下一代机柜引入直流供配电需求意味着统设备不再适用，带来升级前置需求。

• 兑现节奏：白区电源率先于26年迈入800VDC架构、27年开始放量，海外为HVDC主要市场；灰区直流化有望28年开始加速，国内技术和供应链更成熟、HVDC经验更丰富，有望跟上灰区800V化脚步。

• 装机预测：2027/28年全球AIDC新增装机+改造量61/85 GW、800V渗透率40%/76%，带动800V HVDC（Side Car）装机37/85 GW、SST装机2/20 GW（均考虑冗余）；2030年新增+改造量116GW、渗透率93%，HVDC模块/SST装机51/95 GW，对应2028-30年CAGR为11%/237%。

• 市场空间：全球AI柜外电源和配电设备市场预计从2025年542亿美元跃升至2030年2567亿美元（CAGR 36%），其中SST弹性最大，2030年成长为274亿美元市场、28-30年CAGR 192%。

• 与市场观点不同：市场担忧下一代NVDA芯片潜在延期扰动800VDC导入，报告认为高功率密度超节点机柜是大势所趋、是否延期不影响前置需求，厂商有动力选择800V向下兼容避免后续高昂升级成本；预计27~28年迎来AIDC装机高峰，26~27年产能和订单抢跑是800V升级周期的发令枪。

• 渗透与SST节奏细节：海外2027年45%新增/改造AIDC装机需配800VDC（22GW）、28年85%（61GW）、29年达100%；SST 28年产业化达12GW（冗余15GW）、17%渗透率，2030年66GW（冗余79GW）、68%渗透率；国内保守预计2030年渗透率70%、约14GW，且大概率跳过Side Car直接拥抱SST。

• 国内催化：字节跳动AI Rack 3.0填补国内500kW级别机柜规划空白、打消国内落后海外一个技术周期的担忧，补齐国内800VDC需求侧闭环，形成国内外需求双轮驱动；截至26年6月中国在建和已建800V HVDC数据中心试点项目共10个。

• 第一性原理测算：500kW机柜下48V母线直径56mm、损耗率0.687%，800V将万安电流压至625A、母线直径降至14mm，截面积（体积、铜耗）较48V降低94%、损耗率降至0.040%，白区升压是高功率密度机柜继续上行的前提。

论述逻辑

• 物理第一性原理链条：功率=电流×电压，机柜功率向500kW以上迭代→48V低压大电流下铜排、电缆、连接器快速变重变贵变热（500kW机柜48V母线直径56mm、损耗率0.687%）→提升电压、降低电流成为直观解法（800V下电流压至625A、母线直径降至14mm、截面积较48V降94%、损耗率0.040%）→白区母线与电源率先升压（Side Car将480VAC-48VDC拆分为480VAC-800VDC与800VDC-48VDC即HV IBC两段）→灰区随后直流化提效（较交流方案省约50%铜缆、降约32%发热）→SST以损耗1.5%（对比AC UPS链路6.4%）和功能集成成为灰区最终形态→同时AI负载微秒到分钟级波动放大，催生MLCC/超容/BBU/BESS分层备电→海外人力与配电供给瓶颈推动模块化撬装与SST集成→架构切换令统设备不再适用，形成升级前置需求。

• 产业化与投资链条：英伟达800VDC白皮书2.0给出电源机架集成（26Q3投产）→集群级行电中心（最早27Q3）→数据厅电力模块（28~29年，SST下一代29年）三段落地路径，叠加字节AI Rack 3.0填补国内500kW机柜空白、补齐国内需求侧闭环→国内外需求双轮驱动→白区26年导入、27年放量，灰区28年加速→按渗透率测算（27/28/30年全球40%/76%/93%）推得HVDC与SST装机及市场空间（542亿→2567亿美元）→将四大趋势映射为四条投资主线（白区电源、灰区集成化、多尺度备电、车规同源/功率半导体），输出重点推荐组合。

关键展望

• 26~27年产能和订单抢跑或为800V升级周期的发令枪，27~28年有望迎来AIDC装机高峰。

• 白区电源将率先于26年迈入800VDC架构、27年开始放量；灰区直流化有望28年开始加速。

• 英伟达白皮书2.0三路径时间表：电源机架集成预计26Q3投入生产（单机架660kW、6组110kW power shelf），集群级行电中心最早27Q3部署（每排最高2MW），数据厅电力模块28~29年部署、SST下一代预计29年推出。

• 海外800VDC渗透率2029年达100%、逐步迈入百GW规模；SST 2030年海外需求66GW（考虑冗余79GW）、渗透率68%；国内2030年渗透率70%、SST需求14GW（冗余17GW）。

• 风险验证点：AIDC装机、SST落地、芯片迭代任一不及预期均影响产业链利润兑现；Rubin Ultra对应的Kyber机柜将达600kW，芯片迭代是800VDC必要性的核心驱动。

推荐标的

• 阳光电源（300274 CH）：买入，目标价184.90元；灰区集成化（机电撬装/SST技术积累）与AI储能多尺度备电双主线推荐标的。

• 宁德时代（300750 CH）：买入，目标价596.63元；多尺度备电主线（AI储能）。

• 宁德时代（3750 HK）：买入，目标价907.73（当地币种）；AI储能主线。

• 中国西电（601179 CH）：买入，目标价18.56元；灰区集成化主线，具备机电撬装模块与SST技术积累。

• 国电南瑞（600406 CH）：买入，目标价31.64元；灰区集成化主线。

• 思源电气（002028 CH）：买入，目标价209.20元；多尺度备电主线，对应超级电容方向（子公司烯晶碳能正进入数据中心批量应用场景）。

• 特锐德（300001 CH）：买入，目标价43.10元；灰区集成化主线。

• 欧陆通（300870 CH）：增持，目标价414.28元；白区电源主线核心推荐，为国内稀缺高功率服务器电源供应商，2025年数据中心电源业务营收20.15亿元（同比+38.15%）、高功率业务营收12.99亿元（同比+66.52%），已进入北美数据中心供应链。

• 威迈斯（688612 CH）：增持，目标价39.05元；车规400V/800V与AIDC互通主线，OBC车载充电机与800V HVDC模块技术同源。

• 伊顿（ETN US）：增持，目标价471.00美元；灰区集成化主线的海外标的。

• 白区电源与备电相关公司（报告未列评级/目标价）：中恒电气（已批量供货字节跳动HVDC柜外电源，2025年10月发布Panama-800与Aurora-800两款800VDC产品）、台达电、Flex、MPS、蔚蓝锂芯（BBU电芯）、博迁新材（MLCC粉体）。

• 功率半导体相关公司（报告未列评级/目标价）：英飞凌、扬杰科技、士兰微；对应AI电源侧功率半导体TAM由25年6.4亿美元增至2030年48.5亿美元（CAGR 47%）。