高盛：韩国科技：存储器：美光 2QFY26 传导：美光签署首个 5 年长期合同；长期合同将成为投资者关注焦点

原标题：South Korea Tech: Memory: MU 2QFY26 read-across: MU signs first 5-yr long-term contract; long-term contracts to be a key investor interest

摘要

美光（MU）于 2026 年 3 月 18 日（美国时间）公布 2QFY26（2025 年 12 月-2026 年 2 月）业绩。高盛发布传导报告，认为长期合同将成为投资者关注焦点。美光签署了首个 5 年战略客户协议（SCA），并正在与多家大客户进行 SCA 讨论。美光将 FY26 资本开支指引上调至超过 250 亿美元（此前为 200 亿美元），主要用于铜锣厂洁净室设施和美国晶圆厂建设。2QFY26 DRAM/NAND 位元出货仅环比增长中个位数/低个位数，但 ASP 环比增长中 60%/高 70%。美光预计 CY26 智能手机和 PC 单位出货量将出现低两位数百分比下降，但 AI 功能推动内容增长。高盛维持对三星电子（普通股和优先股）和 SK 海力士的买入评级，目标价分别为 260,000 韩元/200,000 韩元和 1,350,000 韩元。

主要观点

• 美光签署首个 5 年 SCA，包含强劲承诺；预计长期合同将成为投资者关注焦点。
• 三星电子在年度股东大会上表示寻求将当前季度/年度合同延长至 3-5 年长期合同。
• SK 集团在英伟达 GTC 上提及海力士正在考虑 DRAM 价格稳定计划。
• 美光将 FY26 资本开支指引上调至超过 250 亿美元（此前为 200 亿美元），主要用于铜锣厂（预计 FY28 开始有意义出货）和美国爱达荷州（预计 CY27 中期产出）及纽约（预计 CY30 开始供应）晶圆厂建设。
• 高盛认为更高资本开支计划可能用于确保长期产能，对近期存储器行业供应影响有限。
• 2QFY26 DRAM 位元出货环比增长中个位数，NAND 位元出货环比增长低个位数；DRAM ASP 环比增长中 60%，NAND ASP 环比增长高 70%。
• 预计三大存储器厂商（美光、三星电子、海力士）之间定价增长将出现分化，因 HBM 敞口和基数不同。
• 美光预计 CY26 DRAM 位元出货增长低 20%，NAND 位元出货增长约 20%，并预计 CY26 之后 DRAM 和 NAND 供应均紧张。
• 美光表示存储器供应限制可能导致 CY26 智能手机和 PC 单位出货量低两位数百分比下降，但 AI 功能推动内容增长。
• 旗舰智能手机搭载 12GB+ DRAM 的比例已从一年前不到 20% 升至接近 80%。
• 具备端侧代理 AI 能力的 PC 至少需要 32GB DRAM，是普通 PC 内容的两倍。

论述逻辑

美光 2QFY26 业绩显示位元出货增长有限但定价强劲，同时公司签署首个 5 年 SCA 并上调资本开支指引。高盛认为这些信号表明存储器行业正转向长期合同模式，以稳定市场动态并确保长期产能。三星电子和海力士也在探索类似长期合同，这将影响投资者对存储器供应商的估值。尽管近期供应紧张，但 AI 驱动的内存内容增长（尤其是智能手机和 PC）将部分抵消单位出货量下降的影响。高盛基于对三星电子和 SK 海力士的估值模型（SOTP 和 P/B），维持买入评级。

关键展望

• 长期合同的具体机制（定价方式、约束力）将成为投资者关注焦点。
• 美光铜锣厂预计 FY28 开始有意义出货；爱达荷州工厂预计 CY27 中期产出；纽约工厂预计 CY30 开始供应。
• CY26 之后 DRAM 和 NAND 供应预计紧张。
• 报告未明确给出未来验证点或时间窗口。

推荐标的

• 三星电子（普通股，005930.KS）：买入，12 个月目标价 260,000 韩元（基于 2026E EV/EBITDA SOTP 估值）。
• 三星电子（优先股，005935.KS）：买入，12 个月目标价 200,000 韩元（基于优先股折价 23%）。
• SK 海力士（000660.KS）：买入，12 个月目标价 1,350,000 韩元（基于 2026E/27E 平均 P/B，目标 P/B 2.9 倍）。

关键图表

报告未提供可裁切的关键图表。