美国银行：全球存储芯片：亚洲科技会议要点，三星支出超110万亿韩元

原标题：Global Memory Tech

摘要

美国银行在2026年3月20日发布的全球存储芯片周报中，总结了其第29届亚洲科技会议的关键要点。报告指出，存储芯片行业正进入“超级周期”，DRAM和NAND的ASP在1Q和2Q均表现强劲，AI增长主题推动乐观指引，DRAM毛利率甚至被广泛讨论超过80%。资本支出显著上升，主要用于晶圆厂外壳建设，而非设备，且2027-28年晶圆产能扩张有限。现货价格虽本周持平，但DRAM现货价格仍同比上涨超500%，美光指引5月季度销售额环比增长40%，毛利率达81%。三星电子更新了价值提升计划，2026年资本支出加研发支出超110万亿韩元，高于预期，但派息率维持50%不变。SK海力士预计在3月25日股东大会上提供类似乐观指引。中国半导体设备进口1-2月同比下降，但IC进口同比增长36%-44%，其中存储器进口创历史新高。

主要观点

• 存储芯片ASP在1Q和2Q均强劲，DRAM和NAND均如此。
• AI增长主题推动乐观指引，DRAM毛利率被广泛讨论超过80%。
• 资本支出显著上升，主要用于晶圆厂外壳建设，而非设备；设备支出相对保守。
• 2027-28年晶圆产能扩张有限，尤其是传统DRAM/NAND，因HBM导向的资本支出和1c/1d节点制造瓶颈。
• 更多基于LTA的传统存储供应被讨论，但实际签约量尚未显著，仍以季度合约为主。
• 新兴增长机会来自使用传统DRAM和NAND的缓存存储器，由Winbond、Nanya Tech和Phison引导。
• 中东危机影响低，主要芯片制造商确认无供应链中断或电力/氦/溴供应短缺担忧。
• 估值方法从P/B向P/E的转变在投资者中广泛讨论。
• DRAM现货价格本周持平，但仍显示50%+环比和500%+同比增长，支撑3月和2Q强劲业绩。
• 美光5月季度指引：销售额环比增长40%，毛利率81%，营业利润率70%+。
• 美光2026-28年资本支出大幅增加至每年300-400亿美元，但主要用于基础设施，对全球存储芯片供应影响尚早。
• 三星电子2026年资本支出加研发支出超110万亿韩元，高于预期的107万亿韩元；派息率维持50%不变。
• 若2026年FCF的50%为50万亿韩元，则扣除10万亿韩元现金股息后，剩余40万亿韩元可用于回购或特别股息，管理层预计在2H26或2027年1月底决定。
• SK海力士预计在3月25日股东大会上提供乐观指引，包括存储超级周期、资本支出增加和积极股东回报（FCF的50%）。
• 中国半导体设备进口1月25亿美元，2月12亿美元，同比分别下降19%和24%。
• 中国IC进口1月410亿美元，2月370亿美元，同比分别增长36%和44%；2月处理器进口130亿美元，存储器进口创纪录170亿美元。

论述逻辑

报告从亚洲科技会议获取的一手信息出发，首先确认存储芯片ASP在1Q和2Q的强劲表现，并指出AI是核心驱动力。然后分析资本支出结构：虽然总额上升，但主要用于外壳建设而非设备，且未来产能扩张受限，这支撑了供应紧张和价格高位。接着通过美光的业绩和指引（销售额、毛利率、营业利润率）验证行业景气度，并对比三星和SK海力士的资本支出和股东回报计划。最后补充中国进口数据，显示设备进口下降但IC进口（尤其是存储器）强劲，进一步印证全球存储需求旺盛。

关键展望

• 美光5月季度（May-Q）业绩：销售额预计335亿美元（环比+40%，同比+260%），毛利率81%，营业利润率77%。
• 三星电子关于回购/特别股息的决定预计在2H26或2027年1月底。
• SK海力士股东大会（3月25日）预计提供乐观指引。
• 报告未明确给出未来价格或评级变化的时间窗口。

推荐标的

• 三星电子：2026年资本支出加研发支出超110万亿韩元，派息率50%不变，FCF的50%用于股东回报。
• SK海力士：预计在3月25日股东大会上提供乐观指引，包括存储超级周期、资本支出增加和积极股东回报（FCF的50%）。
• 美光：5月季度指引强劲（销售额+40% QoQ，GM 81%，OPM 70%+），资本支出2026-28年每年300-400亿美元。
• Phison：报告提到对Phison持更积极看法，因NAND价格强劲上涨。
• Winbond、Nanya Tech：在缓存存储器领域有新兴增长机会。

关键图表

Exhibit 1: DRAM and NAND broadly stable, but strongly up QoQ

Exhibit 2: Record-high quarterly sales in Feb-Q (US$23.9bn; +75% QoQ, +196% YoY); management also provided exceptionally strong sales guidance for May-Q (US$33.5bn; +40% QoQ, +260% YoY)

Exhibit 3: ASP-driven margin accretion well-observed in Feb-Q (GM 75%, OPM 69%) and Micron expects further improvement in May-Q (GM 81%, OPM 77%)

Exhibit 4: Exceptionally strong DRAM sales in Feb-Q (US$18.8bn; +73% QoQ, +207% YoY) and NAND sales also strongly recovered (US$5bn; +82% QoQ, +169% YoY)

Exhibit 5: Triple-digit% YoY rebound expected to continue throughout 2026

Exhibit 6: Robust ASP hike (QoQ basis) seen in Feb-Q (DRAM +65%, NAND +79%) and >30% growth likely in May-Q

Exhibit 7: All-time high margins seen in Feb-Q (DRAM 70%, NAND 59%) and further enhancement well-expected

Exhibit 8: Jan/Feb semis equipment imports were US$2.5/1.2bn

Exhibit 9: Jan/Feb semis equipment imports -19%/-24% YoY

Exhibit 10: Jan/Feb IC imports were US$41/37bn, +36%/44% YoY

Exhibit 11: Processor imports were US$13bn in Feb; memory imports hit record high at 17bn