老董的视界深处

· BofA · 公司/行业基本面

美国银行:美银——全球存储芯片行业——海力士回购释放积极信号,现货价格超预期,8月科技路演前瞻

摘要公开阅读;PDF 仅限有效会员阅读与下载,所有会员权限相同。 邮件登录

摘要

SK海力士宣布到2026年11月完成40万亿韩元大额回购并将派息率上调至FCF的50%以上,报告认为这对存储行业有三重积极含义:现金优先回报股东而非非理性扩产、强化股权结构并为未来ADR发行铺路、大额回购后2026年现金股息仍可达长期历史均值的5-10倍。 存储厂商可轻松提供高个位数百分比的股东回报率——海力士50%的2026年FCF约85万亿韩元,相对约1,200万亿韩元市值,三星电子同样以50%的FCF用于分红与回购。 美银认为其3Q全球混合ASP假设(DRAM +23%、NAND +15% QoQ)没有下行风险,调查显示模组厂与OEM订单增加、9月/4Q智能手机与PC新品零售价同比高10%以上。 中国7月半导体进口额(美元计)同比+71%而数量仅+9%,其中存储进口同比+200%、远超逻辑芯片,印证存储ASP暴涨。 DRAM现货价已创数十年新高(16Gb DDR5约53美元、DDR4约90美元),远超2017年10月约10美元的前高,源于供给向HBM与服务器DRAM转移。 行情与估值方面,8月20日海力士因回购公告大幅反弹、三星电子涨9%,多数DRAM股票P/E仅4-8倍,SanDisk与铠侠年内涨幅超400%;报告最后预告8月24-28日线上韩国科技路演,13家公司管理层将讨论存储超级周期、ASP(3Q/4Q/2027)、LTA、新厂及1c DRAM与300+层NAND制程迁移等议题。

主要观点

  • SK海力士宣布到2026年11月前完成40万亿韩元大额回购,派息率由旧政策的50%上调至FCF的50%以上。
  • 回购对存储行业的三重积极含义:多余现金用于回报股东而非非理性增加资本开支;回购对巩固更强股权结构或未来ADR发行更关键(主要针对海力士);即便大额回购后,2026年现金股息仍为长期历史均值的5-10倍。
  • 存储厂商整体可轻松提供高个位数百分比的股东回报率:海力士2026年FCF的50%约85万亿韩元,相对约1,200万亿韩元市值;三星电子同样以50%的FCF用于分红与回购;在韩国厂商引领下,经营现金流不再全部投向资本开支。
  • 8月大宗DDR5合约价环比仍为低至中20%区间涨幅(尚未到+30%),但9月价格若继续上行,3Q ASP可能环比涨30%以上;LTA口径的3Q价格变动区间很宽(0-30%),但据美银分析多数接近20%或更高。
  • 需求侧调查显示模组厂与OEM的存储芯片订单近期增加,其智能手机与PC新品预计9月/4Q发布,零售价同比高10%以上。
  • 美银认为其全球3Q混合ASP假设没有下行风险:DRAM环比+23%、NAND环比+15%。
  • 中国7月半导体数据印证超强存储ASP(同比+100%以上):半导体整体进口额(美元计)同比+71%但数量仅+9%,其中仅存储进口同比+200%,远超逻辑芯片,隐含存储ASP非常强。
  • DRAM现货价在2025年9月至2026年1月大涨、4-5月走软后,6/7/8月持续反弹,已达数十年新高:16Gb DDR5(PC用)约53美元、DDR4约90美元,远超2017年10月约10美元的前高,驱动因素是供给向HBM与服务器DRAM转移。
  • 8月24-28日将举办线上存储/韩国科技路演(Zoom),13家公司C级管理层与IR参加,覆盖存储(DRAM、HBM、NAND)、设备(沉积、激光退火)、基板(FC-BGA、PCB)、OSAT先进封装、AI/云服务(CSP、MSP)等板块。
  • 估值与股价表现:8月20日海力士因40万亿韩元回购公告大幅反弹,三星电子涨9%(市场预期其在回购外还派发大额分红),多数DRAM股票P/E仅4-8倍;存储股8月良好反弹、7月回调后仍远高于2025年底水平,SanDisk与铠侠年内涨幅超400%;Intel与AMD等CPU股明显跑赢NVIDIA/苹果/高通等其他美股科技巨头。

论述逻辑

  • 海力士宣布40万亿韩元回购并上调FCF派息比例至50%以上 → 存储大厂现金优先用于股东回报而非非理性加码资本开支,供给纪律与股东回报逻辑同步强化(三星亦以50% FCF做分红+回购,韩国厂商引领)→ 同时DRAM现货价格连续两个多月超预期上涨(同比涨数倍)、NAND现货涨幅约20%区间且高于美银预测 → 8月合约价已环比涨低至中20%区间,9月若续涨则3Q ASP有望环比+30% → 因此美银判断其3Q混合ASP假设(DRAM +23%、NAND +15% QoQ)无下行风险 → 中国7月进口金额与数量背离(+71% vs +9%,存储+200%)进一步印证ASP暴涨 → 叠加低估值(多数DRAM股P/E仅4-8倍)与高个位数股东回报率、创纪录年末分红预期 → 8月20日海力士、三星股价大涨,NAND/DRAM/HDD股领涨,SanDisk与铠侠年内涨超400% → 后续以8月24-28日线上路演验证存储超级周期、ASP(3Q/4Q/2027)、LTA、新厂与制程迁移等关键议题。

关键展望

  • 9月合约价若继续上行,3Q ASP环比涨幅有望达到30%以上。
  • 海力士在大额回购后仍有大量现金可用于派发创纪录高位的年末现金分红;存储厂商2026年现金股息可达长期历史均值的5-10倍。
  • 8月24-28日线上科技路演的关键议题包括:存储超级周期、ASP(3Q、4Q、2027)、LTA(价格与数量)、股东回报(派息率提升、回购vs分红)、新厂(建设vs量产启动)、资本开支、新节点迁移(1c DRAM、300+层NAND)、先进封装(TCB、混合键合)。

推荐标的

  • 设备:ASML(评级代码B-1-7,股价1,507.60)、AMAT(B-1-7,496.17)、Lam(LRCX,C-1-7,307.17)、东京电子TEL(C-1-7,54,020)、韩美半导体(HNSIF,C-1-7,227,500)、BESI(B-1-7,212.20)、ASMPT(C-1-7,160.80)。报告未在正文给出具体目标价(仅列示SK海力士价格目标基础与风险章节)。

查找相关研报 →