美国银行:全球存储芯片技术:超级周期持续,ASP走强且长期协议增多
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摘要
美国银行在2026年4月5日的报告中指出,全球存储芯片超级周期将持续至2027-28年,主要驱动力为AI芯片需求强劲增长与芯片供应紧张。报告将2026-27年全球DRAM销售额预测上调20-30%至3780亿美元和4400亿美元,NAND销售额预测上调18-20%至2030亿美元和2120亿美元,均远超此前峰值。ASP方面,1Q26/2Q26 DRAM ASP环比增长预计达55%/27%,NAND ASP环比增长50%/25%,但2H26及2027年ASP假设基本不变(不再大幅上涨但维持历史高位)。报告覆盖三星电子、SK海力士和南亚科技,目标价不变但EPS大幅上调,认为当前估值下股价仍有50%以上上涨空间。关键风险包括芯片价格意外下跌或硬着陆。
主要观点
- 超级周期延续:报告认为超级周期将延续至2027-28年,关键催化剂是芯片供应紧张与AI芯片需求强劲增长。
- ASP大幅上调:基于新分析,报告将全球存储芯片ASP预测较旧估计上调20-30%,DRAM ASP在2026/27年分别为8.8美元/9.1美元每8Gb等效,NAND ASP为5.1美元/4.6美元每256Gb等效。
- 1H26 ASP增长集中:1Q26 DRAM ASP环比增长55%,2Q26增长27%;NAND ASP 1Q26环比增长50%,2Q26增长25%。2H26及2027年ASP假设基本不变,但可持续于历史高位。
- HBM ASP强劲:HBM新合同价格达15美元/GB,而2025年为低十几美元。
- 长期协议增多:大型科技公司和OEM厂商的长期协议(LTA)强劲增长,部分已锁定2030年量价。
- 产能扩张有限:尽管资本支出强劲增长,但实际芯片产量在2027-28年增长有限,原因包括HBM占用3-4倍产能、高端芯片制造周期延长、先进封装良率低。
- 全球TAM扩大:全球存储芯片市场规模预计为此前峰值的3-4倍,2026年DRAM+NAND总销售额达5815亿美元。
- 三星电子:1Q26营业利润预计达40万亿韩元,2Q26有望创56万亿韩元新高,2026-27年年度营业利润超200万亿韩元。EPS上调平均49%,目标价维持27万韩元。
- SK海力士:1Q26营业利润预计35万亿韩元,2026-27年分别为181万亿/201万亿韩元。EPS上调48%,目标价维持140万韩元。
- 南亚科技:1Q26营业利润预计300亿新台币,2026-27年分别为1480亿/1560亿新台币。EPS上调85%,目标价维持400新台币。
- 估值仍有上行空间:三星电子目标P/E从16倍降至11倍,SK海力士从10倍降至7倍,南亚科技使用11倍P/E,均低于历史均值,但目标价隐含50%以上股价上涨潜力。
论述逻辑
报告从近期五大发现出发:ASP超预期走强、中东危机影响有限、长期协议激增、新晶圆厂产能主要集中于2028-29年、芯片制造商努力稳定2H26及2027-28年价格。基于此,报告将全球存储芯片ASP预测上调20-30%,进而上调2026-27年销售额预测至3-4倍于此前峰值。在供给端,尽管资本支出大幅增长,但HBM占用产能、高端芯片制造周期延长及良率问题导致实际产量增长有限,支撑ASP维持高位。需求端,更先进的GPU/ASIC可吸收新增产能。报告据此上调覆盖公司EPS,但维持目标价不变以反映保守的2H26增长预期,从而使得目标P/E下降,但股价仍有50%以上上涨空间。
关键展望
- 验证点:1Q26/2Q26韩国半导体出口数据、南亚科技月度销售、美光5月季度指引(销售环比增长40%,毛利率81%)。
- 时间窗口:1H26 ASP强劲增长,2H26及2027年ASP假设不再大幅上涨但维持高位。
- 风险:芯片价格意外下跌或硬着陆(下行风险);芯片短缺持续导致ASP进一步上涨(上行风险)。
- 报告未明确给出未来评级或目标价调整时间。
推荐标的
- 三星电子:评级未明确,目标价270,000韩元(GDR目标价4,650美元),基于11倍2026-27E P/E。理由:超级周期盈利,2026-27年年度营业利润超200万亿韩元。
- SK海力士:评级未明确,目标价1,400,000韩元,基于7倍2026-27E P/E。理由:HBM领导地位和高利润率,EPS上调48%。
- 南亚科技:评级未明确,目标价400新台币,基于11倍2026-27E P/E(或5.4倍2026E P/B)。理由:DRAM超级周期带来多年高利润率,EPS上调85%。
关键图表
Exhibit 1: Memory super-cycle continues; 3-4x larger sales vs previous peaks (BofA global memory forecasts)
Exhibit 2: Mildly corrected over the past two weeks but just soft-landing (Spot-market prices among DRAM and NAND)
Exhibit 3: Global memory forecast summary – top-down approach
Exhibit 4: Global memory forecast revisions – top-down analysis
Exhibit 5: Global DRAM demand mix by application