Chip Scale Review：从玻璃基板、混合键合到硅光CPO：AI时代先进封装七大技术趋势全景解析
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介绍
从玻璃基板、混合键合到硅光CPO：AI时代先进封装七大技术趋势全景解析
🔷先进封装正接棒摩尔定律，成为驱动AI算力增长的新引擎
🔷玻璃基板、3D集成与光电融合协同演进，重塑未来芯片架构
过去几年，我几乎每个月都会看到关于先进封装的新突破：从Chiplet、HBM到CoWoS，从混合键合到玻璃基板，再到如今炙手可热的硅光与共封装光学（CPO）。如果说摩尔定律正在逐渐放缓，那么先进封装无疑已经成为推动半导体产业继续向前的核心引擎。
最近，我认真研读了这份报告，发现一个非常明显的趋势：AI正在重新定义整个半导体产业链。从玻璃芯基板量产、低温混合键合、硅光互连，到NAND先进封装、AI驱动EDA设计以及多电子束光刻技术，几乎所有关键技术路线都在围绕同一个目标展开——如何突破算力、带宽、功耗与集成密度的极限。
这不仅是一场封装技术的升级，更是一场围绕AI基础设施展开的系统性变革。未来的竞争不再只是晶体管之间的竞争，而是材料、封装、光学、存储、散热以及系统集成能力的全面较量。
接下来，我将结合研究成果，带大家一起梳理后摩尔时代最值得关注的技术方向，以及它们将如何塑造下一代AI芯片与数据中心的未来。
关键图表
图1. 阵列块用于构建小芯片
图2. Innovator3D IC解决方案套件驾驶舱
图3. IC基板行业向玻璃转型
图4. 大规模量产前的主要GCS*障碍
图5. 多光束先进集成带来的芯片间带宽、延迟和功耗改进
图6. 实现可适应图案化、高密度互连、地形图案化及无拼接晶圆级中介层用于光子封装
图7. CoWos-R® ASIC到HBM3E的4层RDL横截面视图
图8. 传统多层铜双大马士革RDL工艺与电子束单层工艺对比：从4层RDL减至1层
