2026-09-03 · Bernstein · 公司/行业基本面

伯恩斯坦全球存储内存追踪（8月）：传统DRAM和NAND价格在26年第三季度将上涨近20%

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摘要

现货端8月PC DRAM环比涨5-6%，服务器DDR5涨3.9%，服务器整体需求依然强劲。 NAND呈现货强、合约弱的分化：1Tb晶圆现货环比飙升23%、512Gb反弹7.6%，1Tb现货价自2025年初以来首次超过合约价，但晶圆合约价8月仅环比涨1-3%，模组厂因消费需求疲软而极为谨慎，YMTC要价更低因而赢得更多份额。报告认为涨幅较二季度明显收窄但以历史标准衡量仍非常强，缺货将延续至2027年使价格维持高位（尤其DRAM），而内存对AI与非AI应用都已成为成本负担、叠加部分LTA设定的价格上限，后续涨价步伐将显著放缓，涨幅或在2027年某时见顶，近期回调由此打开短期技术性反弹机会。

主要观点

3Q26传统DRAM合约价隐含环比上涨19%，分应用为PC +22%、服务器+17%、移动+11%、消费类约+33%；涨幅超出伯恩斯坦模型，但可能略低于市场最新预期。

8月现货价坚挺：PC DRAM现货环比涨5-6%，服务器DDR5现货环比涨3.9%。

涨幅受LTA价格上限部分压制，部分内存厂商正尝试重新谈判；服务器需求整体非常强劲，虽出现降规格（de-specing）迹象，但将被更高的出货量抵消，不影响缺货与定价。

NAND现货强、合约弱：1Tb晶圆现货8月环比涨23%、512Gb反弹7.6%，1Tb现货价自2025年初以来首次超越合约价；但晶圆合约价8月仅环比涨1-3%，较2QCY26均值也仅高1-5%。

模组厂态度被动：对软弱的消费需求极为谨慎、成交量极低，并采购较低等级NAND芯片以节省成本；中国供应商YMTC要价涨幅较小，因而赢得更多份额。

样本平均显示3Q26 NAND合约价仅环比涨9.4%，但因晶圆占比过高且遗漏SSD而低估；伯恩斯坦预计客户端与企业级SSD 3Q26均涨约20%，整体NAND合约价涨幅应接近20%，与本行模型大体一致但可能低于部分最新预期。

Mobile NAND（eMMC/UFS）3Q26合约价预计环比涨约20%，但较2Q明显减速，因OEM削减手机产量从而减少内存用量；TrendForce预计4Q26涨价将更困难、更温和。

细分合约价：8月PC DDR5模组合约价环比涨4%（多数谈判已在7月完成）、PC DDR4模组涨2%；3Q26 LPDDR4仅环比涨12%、低端eMCP封装基本持平（环比+2.3%）；消费/特殊DRAM（DDR4 4Gb）8月合约价环比涨5%，缺货或更严重。

方法论：DRAM平均合约价按移动34%、服务器34%、PC 9%、特殊15%加权，PC中芯片/模组权重为10%/90%；NAND按eMMC/UFS 40%、晶圆60%加权；HBM与SSD不在样本内、单独讨论。

结构上对NAND更谨慎，主因中国（YMTC）竞争加剧，详见本行YMTC深度报告。

论述逻辑

起点：8月TrendForce/DRAMeXchange发布的合约与现货数据显示，DRAM合约价环比低个位数上涨，现货持续坚挺。

NAND端：现货大涨（1Tb +23%）但晶圆合约仅微涨（+1-3%）→模组厂对消费需求谨慎、转买低级芯片→YMTC低价抢单→样本平均9.4%低估真实涨幅→纳入SSD（客户端/企业级各约+20%）后整体NAND涨幅接近20%。

价格结论：DRAM与NAND 3Q合约涨幅均接近20%，较2Q明显收窄、可能低于最新预期，但以长期历史看仍非常强。

向前推演：缺货延续至2027年维持价格高位，但内存已成为AI与非AI应用的成本负担、叠加LTA价格上限→后续涨幅显著放缓、或在2027年某时见顶→因此近期回调反而打开短期技术性反弹机会。

关键展望

缺货将持续至2027年（尤其DRAM），使价格维持高位，但进一步涨价的步伐将明显更小。

NAND价格涨幅将继续放缓，并可能在2027年某个时点见顶。

TrendForce预计4Q26 NAND涨价将变得更困难、更温和。

近期股价/板块回调提供短期技术性反弹机会。

3Q26公司实际报告ASP可能与合约价推断有差异，因产品组合变化及合约与出货之间的时点差异。

伯恩斯坦 全球存储内存追踪（8月）：传统DRAM和NAND价格在26年第三季度将上涨近20%

摘要

主要观点

论述逻辑

关键展望

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伯恩斯坦全球存储内存追踪（8月）：传统DRAM和NAND价格在26年第三季度将上涨近20%