高盛 日本特种化学品｜台积电业绩传导：先进制程产能扩张支撑AI超级趋势，利好先进材料厂商

摘要

台积电于2026年10月15日下午召开3Q12/26业绩说明会，在智能体AI（agentic AI）加速渗透推动先进半导体强劲需求的背景下，营收与利润率均超出指引上限。 3Q12/26销售额达46.72 bn美元（环比+16.2%，同比+41.2%），毛利率为66.4%，营业利润率为58.7%。 公司将FY12/26全年的美元销售额增速预期从先前的略高于+40%上调至约+44%，并指出2024-2029年长期AI销售额CAGR可能超过此前给出的50%中高位区间（mid-to-high 50s%）。 此外，台积电宣布2026-2028年的资本支出水平将显著高于过去三年，FY12/26资本支出指引具体金额无法从本段文本确认并维持不变。 制程与产能方面，台积电计划在台南增建一座3nm晶圆厂（2027年量产），2027年N2产能较2026年翻倍以上，并将A14商业化量产定于2028年，同时与格芯合作供应硅中介层以缓解CoWoS紧张。 高盛认为，这一系列先进制程与封装扩产将对信越化学、东京应化工业、SUMCO、JX先进金属、三井化学及富士美等前道与后道材料供应商的业绩构成强劲利好。

主要观点

• 台积电3Q12/26销售额与利润率双双超出指引上限，HPC平台收入占比达68%。

• 先进制程需求高度集中，2nm、3nm与5nm制程合计占据晶圆销售额的69%。

• 台积电上调FY12/26全年美元销售额增速预测至约+44%，4Q12/26销售指引呈现反季节性增长。

• 2026-2028年资本开支水平将大幅高于过去三年，FY12/26资本支出指引具体金额无法从本段文本确认并维持不变。

• 2024-2029年AI销售额CAGR极有可能突破50%中高位区间，需求持续大幅超越产能。

• 智能体AI加速扩散带动芯片硅面积需求不仅限于AI加速器，还迅速扩张至服务器CPU与高速网络芯片。

• 3nm制程多地产能同步推进：台南新建厂、亚利桑那二厂提前至3Q27商业化生产、熊本二厂计划2028年量产。

• 2nm扩产迅速且良率高，2027年年产能将较2026年翻倍以上；A14商业化定于2028年且客户接洽规模超越N2初期。

• 台积电与格芯达成制造合作以供应硅中介层，应对CoWoS先进封装供不应求状况。

• 先进制程与先进封装全方位扩张直接利好日本半导体前道与后道材料龙头企业。

论述逻辑

• 智能体AI（Agentic AI）推动AI加速器、服务器CPU及网络芯片硅面积快速扩张 -> 需求持续大幅超过台积电供给能力 -> 台积电3Q12/26业绩超指引上限并上调FY12/26营收增速至约+44%、确认2026-2028年资本开支显著上行 -> 驱动N3多厂扩建、N2产能2027年翻倍、A14规模超N2及CoWoS产能扩张合作 -> 带来前道硅片/EUV光刻胶/靶材/抛光液及后道封装材料的采购量激增 -> 全面支撑日本先进半导体材料供应商盈利扩张。

关键展望

• 4Q12/26财务指引：销售额预计为US$52.3-54.3 bn，以中值计算环比增长+14%。

• FY12/26全年指引：美元销售额增速预计为约+44% yoy，资本支出具体金额指引无法从本段文本确认并维持不变。

• 长期AI复合增长展望：2024-2029年AI销售额CAGR极有可能突破此前指引的50%中高位区间（mid-to-high 50s% range）。

• 3nm节点投产时间表：台南新厂1H27量产，增建的3nm厂计划1H28量产；美国亚利桑那Fab 2提前至3Q27商业化投产；日本熊本Fab 2定于2028年开始3nm量产。

• N2与A14节点产能规划：2027年N2家族年产能计划较2026年翻倍以上；A14（1.4nm）计划于2028年开启商业化生产，预计节点规模将大于N2。

推荐标的

• 报告未明确给出具体目标价与个股投资评级，但在正文中明确指出了台积电先进制程扩产利好的具体日本材料供应商及对应产品领域：信越化学（Shin-Etsu Chemical，300mm外延片、EUV光刻胶、掩模版与多层材料）、SUMCO（300mm外延片）、东京应化工业（Tokyo Ohka Kogyo，EUV光刻胶与先进封装材料）、JX先进金属（JX Advanced Metals，溅射靶材）、富士美（Fujimi，CMP抛光液）、Resonac（CMP抛光液）、三井化学（Tri Chemical Laboratories，金属材料）、旭化成（Asahi Kasei，先进封装材料）；此外报告提到台积电（TSMC）由高盛亚洲科技行业分析师Evelyn Yu覆盖。