摩根大通:SK海力士——关于ADR上市和向ASML采购EUV设备的看法
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摘要
摩根大通维持对SK海力士(000660.KS)的增持评级,目标价155万韩元。报告分析了SK海力士宣布通过发行新股在美国上市ADR以及向ASML采购11.9万亿韩元EUV设备的计划。尽管新股发行可能引发稀释担忧,但摩根大通认为ADR上市将扩大投资者基础,有助于缩小与美光(MU)的估值折价。SK海力士计划在2026年内完成ADR上市,当地媒体猜测约2.4%的股份将在美国上市。EUV采购计划为期两年(至2027年底),预计对应约30台EUV工具,主要用于清州M15X工厂和龙仁第一集群。报告还比较了韩国ADR和台积电ADR的溢价历史,认为SK海力士的HBM技术领先地位可能使其ADR获得更高溢价。摩根大通建议投资者逢低吸纳,并指出后续催化剂包括ADR细节、HBM升级趋势、长期供应协议等。
主要观点
- SK海力士于3月25日提交F-1文件,计划通过发行新股在2026年内完成ADR上市,发行规模尚未确定。
- 当地媒体猜测约2.4%的股份(相当于已注销的库存股数量)将在美国上市,但摩根大通认为可能发行更多新股以维持股权结构稳定。
- 尽管SK海力士现金充裕且近期注销了库存股,新股发行可能引发稀释担忧,但摩根大通认为ADR上市将打开美国养老金基金、SOX基准ETF等受限投资者的渠道。
- 过去五年SK海力士相对于美光的估值折价平均为25%(基于彭博一致预期),但截至3月25日折价已收窄至5%,可能削弱ADR上市的动力。
- 台积电ADR相对于本地股票过去5/10年平均溢价12%/9%,而韩国ADR(如Posco、KT、KEPCO)通常平价或小幅溢价。
- SK海力士宣布未来两年向ASML采购11.9万亿韩元EUV设备,用于从1a/1b纳米向1c纳米制程过渡,预计到2027年底采购约30台EUV工具。
- 11.9万亿韩元EUV支出占未来两年总资本支出(2026年41.5万亿/2027年55万亿韩元)的低十几个百分点,低于光刻通常占DRAM WFE的20%左右。
- 这是ASML客户公开披露的最大单笔订单,将帮助SK海力士扩大EUV安装基础。
- ADR公告后SK海力士股价上涨1%,而KOSPI上涨2%,市场反应不一,正面因素(对标美国同行估值)与负面因素(稀释担忧和折价收窄)并存。
- 摩根大通认为,如果ADR上市后SK海力士估值向美国同行靠拢,本地股票可能在中长期迎来重估。
- 后续催化剂包括:ADR上市细节、HBM和系统内存升级趋势、CSP-内存长期供应协议、DRAM/NAND同行产能投资计划、内存合约价格和季度盈利趋势。
论述逻辑
SK海力士宣布ADR上市和EUV采购计划 → 新股发行可能稀释现有股东,但ADR上市将扩大投资者基础(尤其是美国养老金和ETF) → 历史上SK海力士因韩国市场限制而相对于美光存在估值折价,ADR上市有望缩小折价 → 台积电ADR长期溢价表明技术领先公司可在美国获得更高估值 → 同时EUV采购支持下一代制程(1c纳米)量产,满足AI内存需求 → 综合来看,ADR上市和EUV投资是中长期催化剂,建议投资者在短期稀释担忧中逢低吸纳。
关键展望
- 报告明确指出的未来验证点:i) ADR上市细节(发行规模、时间表);ii) HBM和系统内存升级趋势(下一代AI服务器架构);iii) CSP-内存长期供应协议公告;iv) DRAM/NAND同行新产能投资计划;v) 内存合约价格和季度盈利趋势更新。
- 风险:DRAM价格和利润率低于预期、终端需求/库存不确定性;上行催化剂:DRAM ASP因需求超预期进一步上涨。
推荐标的
- SK海力士(000660.KS):评级增持(Overweight),目标价1,550,000韩元(基于2026年12月),基于2.7倍2026-2027年平均BPS,隐含6倍2026-2027年EPS。
- 美光(MU):提及为覆盖标的(由Harlan Sur覆盖),评级增持,用于估值比较。
关键图表
报告未提供可裁切的关键图表。