美国银行：全球存储芯片技术：对SK海力士、三星和南亚科技更为乐观；目标价上调至新高

原标题：Global Memory Tech: More optimistic on Hynix, Samsung and Nanya Tech; lift POs to new highs

摘要

美国银行发布全球存储芯片研报，基于年末渠道调研得出三大关键结论：DRAM合约价格走强、急单增加、DRAM/NAND供应趋紧。报告认为2026-27年将出现DRAM超级周期，并上调SK海力士、三星电子和南亚科技的目标价至新高。SK海力士仍是全球首选股，目标价上调至100万韩元；三星电子目标价上调至17万韩元；南亚科技目标价上调至235新台币。报告预测2026年全球DRAM销售额达2100亿美元（同比+61%），NAND销售额达1180亿美元（同比+50%）。

主要观点

• 年末渠道调研显示DRAM合约价格走强、急单增加、DRAM/NAND供应趋紧。
• 多数一线OEM已同意4Q25/1Q26常规DRAM价格环比上涨30%+/15%+，与美光乐观指引一致。
• 五大理由支持2026-27年DRAM超级周期：AI内存含量增加（Rubin Ultra和新ASIC）、HBM/eSSD资本支出优先于常规内存、洁净室空间有限、新内存良率低/制造周期长、基础设施资本支出负担重。
• 2026年全球DRAM销售额预测为2100亿美元（同比+61%），2027年进一步增长至2310亿美元（同比+10%）。
• 2026/27年NAND销售额预测为1180亿/1300亿美元（2025年为790亿美元），受高ASP驱动。
• SK海力士为全球首选股，新目标价100万韩元，基于3.9倍2026年预期市净率。
• 三星电子DRAM ASP上调更激进，2026年EPS上调12%，目标价从15万韩元升至17万韩元（2.4倍2026年预期市净率）。
• 南亚科技受益于传统DRAM短缺，2026年EPS上调15%，目标价从200新台币升至235新台币（3.5倍2026年预期市净率）。
• 2026年DRAM ASP预计同比上涨40%（常规DRAM超50%），HBM3e价格降幅可能极小。
• 与2018年云繁荣相比，当前周期库存低、需求更多元（ASIC和主权AI）、供应受限。
• AI内存多样化（HBM、SOCAMM、GDDR7、eSSD）使存储行业周期性减弱，可能转向类似代工的长约模式。
• 新晶圆厂主要针对2028年量产，2026-27年不会立即增加芯片供应。
• 双重预订和地缘政治风险总体可控，OEM和科技公司因缺货担忧支付更高价格。

论述逻辑

年末渠道调研显示DRAM/NAND价格走强、供应趋紧 → 结合AI需求爆发（HBM、eSSD）和供应端限制（资本支出偏向基础设施、新节点良率低） → 判断2026-27年将出现DRAM超级周期 → 上调全球DRAM/NAND销售额预测 → 基于ASP上调和盈利强劲，上调SK海力士、三星电子和南亚科技的目标价和盈利预测。

关键展望

• 2026年DRAM ASP预计同比上涨40%，2H26 ASP稳定（3Q小幅上涨，4Q小幅修正）。
• 2026年全球DRAM销售额2100亿美元（同比+61%），NAND销售额1180亿美元（同比+50%）。
• 2027年DRAM销售额2310亿美元（同比+10%），NAND销售额1300亿美元（同比+10%）。
• SK海力士2026年营业利润预测86.2万亿韩元，三星电子2026年营业利润预测86万亿韩元。
• 新晶圆厂驱动的过剩供应预计在2028年出现。
• 报告未明确提及风险因素。

推荐标的

• SK海力士（HXSCF）：评级买入，目标价100万韩元（原90万韩元）。全球首选股，HBM市场领先（2024-25年份额60%+），HBM4量产领先竞争对手两个季度以上。2026年EPS上调12%，基于DRAM ASP同比+36%。
• 三星电子普通股（SSNLF）：评级买入，目标价17万韩元（原15万韩元）。DRAM ASP上调更激进，2026年EPS上调12%（基于DRAM ASP上调7%）。目标价基于2.4倍2026年预期市净率。
• 三星电子优先股（SSNNF）：评级买入，目标价13.6万韩元（原12万韩元），基于20%折价率。
• 三星电子GDR（SSNHZ）：评级买入，目标价3000美元（原2650美元），基于W1.4k/USD汇率。
• 南亚科技（NNYAF）：评级买入，目标价235新台币（原200新台币）。受益于传统DRAM短缺，2026年EPS上调15%（基于ASP上调6%），目标价基于3.5倍2026年预期市净率。

关键图表

Exhibit 1: Stronger 2026 memory upcycle - BofA global memory forecasts

Exhibit 2: PO changes - We raised our POs

Exhibit 3: Our 2026-27E EPS revisions (up 12-13%) are primarily based on higher OP margin assumptions (60%/61%+ vs 57%/59% previously) driven by stronger DRAM/NAND ASP estimates while making nil changes on bit growth