电子行业芯片电感：高壁垒、高增长、中国领先的AI细分赛道

摘要

报告认为AI芯片电感是壁垒高、增速快、由中国企业领先的高景气细分赛道：在算力增长带动需求量、芯片功率提升带动单位用量、性能升级带动价值量的量价结构三重驱动下，市场规模将从2025年的24亿元提升至2028年的超300亿元、扩容10倍以上；分厂商测算全球AI芯片出货量从2025年的1166万片增至2028E的5940万片，所需电感价值量从25.1亿元升至312.5亿元，其中谷歌+英伟达合计从20.4亿元升至195.6亿元。 需求侧对算力要求指数级提升，供给侧制程从12nm向7nm乃至3nm迭代叠加架构升级，推动芯片功耗从V100的300W升至B200的1000W，Rubin架构TDP达2300W、Rubin Ultra预计2700W，B系列机架TDP较H100的约40kW提升至120kW。 三次电源由此面临损耗、散热、空间、高瞬态四大约束，电感沿三大方向升级：单相走向多相（现代高功耗GPU的VRM相数从6-12相提升到20相以上，GB200整卡电感超40颗）、水平供电转向VPD垂直供电（电流变化速度超5A/ns）、NON-TLVR转向TLVR（全相联动、纳秒响应，TPU已开始使用）。 格局方面，材料性能决定器件性能，非标定制、高频迭代下材料-器件一体化企业壁垒更高，铂科新材、龙磁科技等进入全球尖端电感市场，成为全球为数不多可匹配英伟达、谷歌、阿里、华为AI产业链研发需求的企业。 报告未给出个股评级与目标价，仅附Wind一致预期：龙磁科技归母净利润由2025A的1.7亿元增至2028E的11.8亿元，铂科新材由4.2亿元增至10.4亿元。 风险包括宏观政策、新技术替代、行业发展不及预期及原材料价格波动等。

主要观点

• AI芯片电感面临量、价、结构多重驱动，市场规模将从2025年的24亿元提升至2028年的超300亿元，扩容10倍以上。

• 分厂商测算下，全球AI芯片出货量从2025年的1166万片增至2026E 2110万片、2027E 4120万片、2028E 5940万片，所需芯片电感价值量从25.1亿元升至56.4亿元、148.3亿元、312.5亿元；谷歌+英伟达合计从20.4亿元升至195.6亿元。

• 需求侧算力要求指数级提升、GPU成为数据中心主要算力选择；供给侧制程从12nm向7nm乃至3nm转型叠加架构升级，单位面积功耗快速上行，芯片新品功耗总额大幅跃迁。

• 英伟达单芯片功耗从V100的300W、A100的400W、H100的700W升至B200的1000W，最新Rubin架构TDP达2300W，Rubin Ultra预计达2700W，下一代Feynman功耗可能提升到3000W以上甚至4000W级别。

• 机柜层面，英伟达B系列单机柜装载72颗B200/B300芯片，机架TDP从H100的约40kW提升至120kW，对功耗分配与机柜间、机柜内、芯片间供电稳定性提出更大挑战。

• 谷歌TPU十年内持续迭代至第7代并成为Gemini最新模型底座：TPU v4性能比v3高2.1倍、性能功耗比提高2.7倍，TPU v6能效较v5再提升约30-40%，TPUv7p TDP达959W，2026年的TPU 8t、TPU 8i TDP约1300W、约1100W。

• 三次电源面临损耗、散热、空间、高瞬态（Vdrop）四大约束；芯片标准工作电压约1V（Vcore 0.7-0.85V），功率提升带来电流等比例放大，单颗电感电流不变下所需电感数量线性增加。

• 趋势一：单相电感走向多相电感。高功耗GPU的VRM相数已从过去的6-12相提升到20相以上，英伟达B200单GPU核心供电通常配置18-24相，GB200整卡核心供电电感数量往往超过40颗、是传统GPU的数倍。

• 趋势二：水平供电转向VPD垂直供电。GPU电流变化速度已超过5A/ns，传统水平供电架构密度要求超过2A/mm²，垂直供电将VRM移至负载正下方、利用GPU背面空间，缩短供电路径并大幅提高转换效率。

• 趋势三：NON-TLVR电感转向TLVR电感。TLVR实现全相联动、纳秒响应、输出电容大幅缩减，渗透率将大幅提升；TPU已开始使用TLVR电感，GPU电感将逐步从分立式走向TLVR。

• 材料器件一体化企业壁垒更高：产业链包括一体化企业铂科新材、龙磁科技、东睦股份，单一器件厂商顺络电子、麦捷科技，材料为主企业天通股份、横店东磁、屹通新材、悦安新材、博迁新材；其中铂科新材、龙磁科技进入全球尖端电感领域，成为全球为数不多可匹配英伟达、谷歌、阿里、华为等AI产业链研发需求的企业。

• 报告附相关上市公司Wind一致预期（截至2026.9.3）：龙磁科技市值195.6亿元、2025A-2028E归母净利润1.7/2.2/5.6/11.8亿元、PE 46/88/35/17倍；铂科新材市值307.5亿元、归母净利润4.2/5.9/8.0/10.4亿元、PE 49/52/39/29倍。

论述逻辑

• 需求侧算力要求指数级提升（GPU成为数据中心主力）→ 供给侧制程从12nm向7nm/3nm迭代+架构升级 → 芯片功耗大幅上行（V100 300W→B200 1000W→Rubin 2300W，机架TDP约40kW→120kW）→ 电压维持约1V下电流等比例放大，所需电感数量线性增加，同时三次电源面临损耗、散热、空间、高瞬态四大约束 → 电感沿三大方向升级：单相→多相（分担电流、节省PCB面积）、水平供电→VPD垂直供电（缩短路径、绕过PCB走线损耗）、NON-TLVR→TLVR（全相联动、纳秒级瞬态响应）→ 由此形成量（算力增长带动用量）、价/单位用量（功率提升）、结构（类型与价值量升级）三重驱动 → 测算AI芯片电感市场规模从2025年24亿元扩容至2028年超300亿元（10倍以上）→ 非标定制、高频迭代下材料决定器件性能，材料-器件一体化企业供应稳定且响应快，壁垒更高、客户绑定更深 → 铂科新材、龙磁科技等进入全球尖端电感市场、可匹配英伟达/谷歌/阿里/华为研发需求，有望乘AI浪潮获得持续快速增长。

关键展望

• 市场验证点：AI芯片电感市场2025-2028年从24亿元扩容至超300亿元，全球所需电感价值量按2026E 56.4亿元、2027E 148.3亿元、2028E 312.5亿元的路径释放。

• 英伟达路线图：Rubin（R200，2026年）TDP 2300W、Rubin Ultra（R300，2027年）2700W；下一代Feynman芯片功耗可能进一步提升到3000W以上甚至4000W级别。

• 谷歌TPU路线图：TPUv7p（2025年）TDP 959W，2026年推出的TPU 8t、TPU 8i TDP分别约1300W、约1100W。

• 渗透率展望：TLVR凭借全相联动、纳秒响应、电容大幅缩减，渗透率将大幅提升；TPU已开始使用，GPU电感将逐步从分立式走向TLVR。

• 测算口径提示：表中尚未发布的芯片功率为假设值，2026E-2028E出货量与价值量均为预测数据。

• 风险提示：宏观政策变化或致行业发展低于预期；技术迭代快存在被新材料新技术替代风险；相关硬件出货较慢或致相关企业业绩不及预期；原材料价格波动及钽等对外依存度高、供应链中断或影响生产。

推荐标的

• 报告未给出任何评级或目标价；从产业链角度重点提示材料器件一体化企业壁垒更高：铂科新材、龙磁科技、东睦股份，另提及单一器件厂商顺络电子、麦捷科技，材料为主企业天通股份、横店东磁、屹通新材、悦安新材、博迁新材。

• 铂科新材、龙磁科技已进入全球尖端电感领域，成为全球为数不多可匹配英伟达、谷歌、阿里、华为等AI产业链研发需求的企业，报告认为其有望乘AI浪潮获得持续快速增长。

• Wind一致预期（截至2026.9.3）：龙磁科技（300835.SZ）市值195.6亿元，2025A-2028E归母净利润1.7/2.2/5.6/11.8亿元，对应PE 46/88/35/17倍。

• Wind一致预期（截至2026.9.3）：铂科新材（300811.SZ）市值307.5亿元，2025A-2028E归母净利润4.2/5.9/8.0/10.4亿元，对应PE 49/52/39/29倍；东睦股份、顺络电子、麦捷科技、横店东磁、悦安新材、博迁新材亦在表中列示（如博迁新材2028E归母净利润17.2亿元、PE 21倍）。