美国银行：全球存储技术：1Q/2Q ASP和利润乐观情绪上升；上调全球预测

原标题：Global Memory Tech: Weekly theme: Rising optimism for 1Q/2Q ASPs and profits; lift global forecasts

摘要

美国银行在2026年2月21日的报告中指出，存储芯片销售在1Q和2Q可能保持强劲。渠道检查显示芯片订单增加、合同价格上涨，以及新产品开发活跃（如HBM4、PCIe Gen5 eSSD、1c节点DRAM、300+层NAND）。大量商品DRAM模块以高于4Q25均价50%以上的价格成交。1月台湾存储销售同比增100%以上，韩国2月出口预计同比增100%以上。报告上调2026年全球DRAM销售预测至2922亿美元（同比增118%），NAND销售预测至1532亿美元（同比增89%）。三星电子和SK海力士的1Q营业利润可能超过200亿美元（30万亿韩元），超过台积电。后端TCB/封装领域也出现新增长催化剂。

主要观点

• 存储芯片销售在1Q和2Q可能保持乐观，渠道检查显示芯片订单增加、合同价格上涨。
• 新产品开发活跃，包括12-13 Gbps HBM4、PCIe Gen5 eSSD、1c节点DRAM、300+层NAND。
• 大量商品DRAM模块以高于4Q25均价50%以上的价格成交。
• 1月台湾存储销售同比增100%以上，韩国2月出口预计同比增100%以上。
• 3月新合同价格和整个2Q出货量可能进一步环比上升。
• 三星电子和SK海力士的1Q营业利润可能超过200亿美元（30万亿韩元），超过台积电。
• 上调2026年全球DRAM销售预测至2922亿美元（同比增118%），基于ASP增84%和位增长19%。
• 上调2026年全球NAND销售预测至1532亿美元（同比增89%），基于ASP增57%和位增长21%。
• 长期预测显示2026-27年全球销售仅增长5-10%，但绝对销售额和利润将创历史新高。
• 后端TCB/封装公司提供新增长催化剂，原因包括：TCB设备主要用于HBM3e而非HBM4/HBM4e，新设备订单可能增加；更先进DRAM和NAND的封装/测试周期更长；后端投资不足。

论述逻辑

报告通过渠道检查发现春节期间芯片订单和合同价格显著上升，结合1月台湾销售和韩国出口数据，推断存储芯片需求强劲。基于新合同价格高于预期，上调全球DRAM和NAND销售预测。同时，后端TCB/封装领域因HBM4e需求、先进封装周期延长和投资不足，成为新增长点。

关键展望

• 2026年全球DRAM销售预计达2922亿美元（同比增118%），NAND销售1532亿美元（同比增89%）。
• 2026-27年全球销售增长预计仅5-10%，但绝对销售额和利润将创历史新高。
• 报告未明确给出未来验证点或时间窗口。

推荐标的

报告未明确给出推荐标的。

关键图表

报告未提供可裁切的关键图表。