高盛 英诺赛科（2577.HK）：亚洲领袖峰会2026核心纪要：董事长会面：扩大氮化镓应用；买入

摘要

高盛在亚洲领袖峰会2026（2026年8月31日至9月2日）期间会见英诺赛科董事长，核心议题为2H26/2027E增长展望、利润率扩张以及向数据中心/机器人应用的结构升级。 英诺赛科1H26收入同比增长51%，产品组合向AI数据中心、工业、储能与新能源车方案升级，毛利率改善至11.6%（对比1H25/2H25的6.8%/7.7%）。 公司继续在苏州基地扩建新氮化镓产能，以承接各终端应用中不断上升的GaN部署。 产品实现电压全谱系覆盖：高压650V/700V/900V/1,200V面向数据中心与工业电源，中压100V/150V/200V面向汽车电子与机器人客户，低压15V/30V/40V面向消费电子与AI Core电源。 管理层预计消费电子业务稳步增长，驱动因素为AI手机/AI PC升级及GaN向空调、冰箱等高端家电市场扩展；AI数据中心方面公司深度参与800V HVDC方案设计导入，关键产品包括面向48V/12V方案的100V中压GaN芯片及面向6V/1V GPU供电的DrGaN产品。 人形机器人方面，公司借助汽车与工业专长在商业化早期阶段服务头部客户。 高盛维持买入评级，12个月目标价114港元，估值基于2030E折现EV/EBITDA。

主要观点

• 高盛于亚洲领袖峰会2026（8月31日至9月2日）会见英诺赛科董事长，核心讨论为2H26/2027E增长展望、利润率扩张及向数据中心/机器人应用的结构升级。

• 英诺赛科1H26收入同比增长51%，组合向AI数据中心、工业、储能与新能源车方案升级，毛利率升至11.6%，显著高于1H25的6.8%和2H25的7.7%。

• 公司持续扩建苏州基地的新氮化镓产能，以承接各终端应用中不断上升的GaN部署。

• 产品电压全谱系覆盖：高压650V/700V/900V/1,200V面向数据中心与工业电源，中压100V/150V/200V面向汽车电子与机器人客户，低压15V/30V/40V面向消费电子与AI Core电源，支撑规模化生产与新客户拓展。

• 消费电子起家的基本盘预计稳步增长，两大驱动为AI手机/AI PC升级换代，以及GaN向空调、冰箱等高端家电市场扩展。

• AI数据中心领域公司具备电源方案全价值链覆盖，深度参与800V HVDC方案的design-in并与客户共同设计，关键产品包括面向48V/12V方案的100V中压GaN芯片及面向6V/1V GPU供电的DrGaN产品。

• 人形机器人应用方面，管理层强调公司借助汽车与工业领域专长，在商业化早期阶段为头部客户扩展产品。

• 高盛维持买入评级，12个月目标价114港元，估值方法为基于2030E折现EV/EBITDA。

论述逻辑

• 亚洲领袖峰会2026会见董事长 → 确认2H26/2027E增长、利润率扩张与结构升级方向 → 1H26收入同比+51%、毛利率升至11.6%（对比1H25/2H25的6.8%/7.7%）提供基本面验证 → 多元化应用（AI手机/AI PC升级、高端家电、AI数据中心800V HVDC、人形机器人）叠加苏州GaN新产能扩建打开增长空间 → 全电压谱系产品能力支撑规模化生产与新客户拓展 → 高盛维持买入，12个月目标价114港元（基于2030E折现EV/EBITDA）。

关键展望

• 管理层讨论聚焦2H26/2027E增长展望与利润率扩张方向，报告纪要未给出具体量化预测数字。

• AI数据中心800V HVDC方案design-in推进与人形机器人早期商业化是后续业务验证方向。

• 明确的估值锚点为12个月目标价114港元，基于2030E折现EV/EBITDA。

推荐标的

• 英诺赛科（2577.HK）：买入（维持），12个月目标价114港元，基于2030E折现EV/EBITDA；核心理由为1H26收入同比+51%、毛利率升至11.6%，且GaN应用向AI数据中心、机器人、高端家电等多元场景扩张，苏州基地持续扩产。