2026-07-11 · BofA · 公司/行业基本面

美国银行：全球存储芯片技术：三星回调、指标强劲、长鑫存储IPO、南亚科技回暖

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原标题：Global Memory Tech: Weekly theme: Samsung correction, strong indicator, CXMT IPO, Nanya Tech upturn

摘要

美国银行发布全球存储芯片周报，指出三星电子股价回调与强劲基本面背离，但渠道检查显示需求依然旺盛。美银存储指标5月达183，远高于2017/2024年峰值120-130，确认超级周期延续。长鑫存储IPO认购日定为7月16日，其2Q26销售指引约95亿美元，占全球DRAM市场高个位数份额。南亚科技2Q业绩强劲，销售同比增684%，营业利润率74%，管理层对3Q及长期展望乐观。美银维持南亚科技买入评级，目标价660新台币。DRAM现货价格6月环比回升11%，NAND现货价格环比小幅下跌。美银上调3Q DRAM ASP环比增幅预测至21%。

主要观点

三星电子股价回调源于市场担忧：Meta美国芯片订单削减、长鑫存储产能扩张、2Q见顶后环比增长放缓。
美银渠道检查未发现下行信号：美国大型科技公司需求强劲，长鑫存储影响有限，3Q ASP新合约显示20%以上涨价。
美银将3Q DRAM ASP环比增幅预测从17%上调至21%。
美银存储指标5月达183，远高于2017/2024年峰值120-130（中周期100，下行80）。
5月DRAM/NAND全球销售额同比增超300%（基于WSTS数据）。
6月南亚科技销售同比增621%，群联电子同比增301%，韩国半导体出口同比增199%，DRAM现货同比增700%，NAND现货同比增600%。
6月DRAM现货均价环比回升11%（4月-4%，5月+3%），但弱于韩国半导体出口环比增21%（含HBM4、SOCAMM等高端产品）。
长鑫存储IPO认购日7月16日，上市可能在7月下旬；2Q26销售指引59-69亿元人民币（约95亿美元），同比增7倍，但仅占全球DRAM市场高个位数份额；晶圆产能约30万片/月，占全球DRAM产能中十几个百分点。
美银认为高端DRAM（10GHz+ LPDDR5、HBM、SOCAMM、GDDR7等）仍主要由非中国厂商供应，受质量和美国对华半导体管制影响。
南亚科技2Q销售同比增684%，营业利润率74%（去年同期-43%）；DRAM ASP环比增超60%，同比增超500%。
南亚科技管理层指引3Q及长期乐观：DDR3/4等传统DRAM持续短缺，中国厂商扩产影响有限。
南亚科技DRAM业务盈利能力高于HBM。
美银维持南亚科技买入评级，目标价660新台币（基于9倍2027-28E市盈率），2026-28年EPS预测几乎不变。

论述逻辑

报告从三星股价回调的市场担忧切入，通过渠道检查、存储指标、月度销售数据等证据反驳悲观论调，确认超级周期延续。具体链条：三星回调→市场担忧（Meta订单、长鑫产能、环比放缓）→美银检查显示需求强劲、长鑫影响小、ASP涨价→上调3Q ASP预测→存储指标创新高→DRAM/NAND销售、出口、现货价格均强劲→长鑫IPO但高端市场不受影响→南亚科技业绩超预期且盈利能力高于HBM→维持买入评级。