2026-08-13 · 财信证券 · 公司/行业基本面

何晨周剑行业研究行业深度存储行业深度报告：AI引爆存储需求，供给约束支撑行业高景气周期

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摘要

财信证券发布存储行业深度报告，维持行业“领先大市”评级，判断存储正处于AI算力驱动的超级景气周期，呈现供需紧俏、量价齐升格局。需求端，Trendforce预估2026年存储器产值达8893亿美元、同比增长296%，2027年再创高峰达1.28万亿美元、同比增长44%；2026年全球九大云厂商资本开支预计同比增长79%至8300亿美元，带动全球AI服务器出货量同比增长28%以上。 CFM预计2026年服务器DRAM Bit需求同比增长约45%、含HBM占比首次超过50%，服务器NAND需求同比增长逾60%、占比约37%，首次超过手机成为NAND最大应用市场。端侧方面，2024年AI手机、AI PC渗透率分别约16.2%、18.6%，预计2029年升至54.0%、69.2%，智能手机单机NAND容量2025年预计提升至224.2GB。供给端，2025Q4 DRAM前三厂商合计份额90.5%、NAND前五厂商合计89.9%，原厂主动关停DDR4、2D NAND等低端产线，2026年资本开支聚焦制程升级而非单纯扩产，新增产能集中于2027年后释放，供需缺口有望持续。价格上，2026Q2一般型DRAM合约价环比上涨58-63%、NAND Flash上涨55-60%，2026Q3预计涨幅收敛至13-18%与10-15%，SLC NAND下半年预估较上半年再涨120-170%。报告建议关注存储芯片设计厂商兆易创新、北京君正，两者均维持“买入”评级。

主要观点

存储器是计算机数据交互核心载体，2024年DRAM、NAND Flash分别占全球存储芯片市场57%、40%，合计份额97%；行业以IDM模式为主，标准化程度高、头部厂商定价步调一致，周期性强且波动远大于半导体其他细分领域

2024年起存储进入AI驱动的新一轮上行周期，核心支撑从个人消费端转向AI算力基建与HBM技术革命，企业级AI资本开支带动HBM、DDR5及企业级SSD等高端产品需求快速增长，本轮周期持续性有望更强

Trendforce预估2026年存储器产值达8893亿美元、同比增长296%，2027年行业产值将再创高峰达1.28万亿美元、同比增长44%

2026年全球九大云厂商资本开支预计同比增长79%至8300亿美元，预估带动2026年全球AI服务器出货量同比增长28%以上，服务器端存储需求有望高增

服务器正取代手机、PC成为存储最大应用市场：CFM预计2026年全球DRAM Bit需求同比增长20%，其中服务器DRAM（含HBM）同比增长约45%、占比首次超过50%；全球NAND Bit需求同比增长15%，其中服务器NAND同比增长逾60%、占比约37%并首次超过手机

2026年AI服务器芯片中GPU占比约69.7%仍为最大宗，搭载NVIDIA GB300的机种成为出货主流、VR200下半年逐步放量；ASIC AI服务器出货占比将提升至27.8%、为2023年以来最高，Google自研TPU将成为ASIC市场领头羊

AI推理激发HDD替代效应：Nearline HDD交期已从数周急剧延长至52周以上，每GB均价由0.012-0.013美元升至0.015-0.016美元；QLC SSD交期8周、最大容量122TB（Nearline HDD为32TB），2026年2Tb QLC芯片产出将逐步放量，成为降低Nearline SSD成本的主力

Agentic AI的长期记忆以KV缓存形式实现，随推理上下文扩展，KV缓存沿GPU HBM（G1）、系统DRAM（G2）、本地SSD（G3）、共享存储（G4）层级流转，为NAND创造新增量需求

端侧AI同步扩容：2024年AI手机、AI PC渗透率分别约16.2%、18.6%，预计2029年分别达54.0%、69.2%；智能手机DRAM/NAND单机搭载容量由2024年的7GB/195.7GB预计提升至2025年的8.1GB/224.2GB；微软Copilot+ PC要求至少40TOPS NPU、16GB DDR5/LPDDR5X内存及256GB SSD或UFS存储

全球存储格局高度集中：2025Q4 DRAM前三厂商合计份额90.5%、NAND前五厂商合计89.9%；国内长鑫存储、长江存储分别突破DRAM、3D NAND核心工艺，Counterpoint预计长江存储份额由2025年约10%增至2027年的12%

AI需求加剧供需失衡推动价格大涨：2026Q2一般型DRAM合约价环比上涨58-63%、NAND Flash上涨55-60%（HBM Blended上涨53-58%）；2026Q3预计DRAM季增13-18%、NAND季增10-15%；DDR2第三季预估上涨35-40%，SLC NAND 2026下半年合约价较上半年调涨120-170%

2026年供给增量有限：DRAM资本开支由2025年535亿美元增至2026年688亿美元（年增29%）、NAND由211亿美元增至222亿美元（年增约5%），美光164亿美元（+49%）、SK海力士219亿美元（+25%）、三星210亿美元（+17%），但重心聚焦制程升级与HBM；全球DRAM产能预计由2025Q4的196.6万片/月升至2026年底213.6万片/月，HBM占DRAM产能比重由19%提升至23%

论述逻辑

行业属性是分析起点：存储标准化程度高、头部厂商产能规划与定价步调一致，行业以3-4年为一个完整周期、波动大于半导体其他细分领域，历史上已历经2012-2015、2016-2019、2020-2023年四轮典型周期

需求引擎一：AI推理需求爆发→云厂商加大AI基建投入（2026年九大CSP资本开支同比+79%至8300亿美元）→AI服务器出货量同比增长28%以上→服务器DRAM/NAND需求高增，服务器首次成为DRAM与NAND最大应用市场

需求引擎二：端侧大模型倒逼AI手机、AI PC标配大容量LPDDR、UFS与SSD，旗舰机型内存起步12GB、存储256GB起，单机搭载容量持续提升，与服务器多线共振支撑需求持续高景气

供给端收缩：行业历经2022-2023年大规模减产去库，2024年起各大原厂主动关停DDR4、2D NAND等低端产线，产能优先倾斜HBM、高端DRAM与企业级NAND，2026年资本开支增长但重心聚焦制程升级而非单纯扩产，全年存储位元增量有限，新增产能集中于2027年后释放

供需缺口延续推动价格兑现：2026Q2一般型DRAM合约价环比+58-63%、NAND +55-60%，行业整体进入量利齐升的兑现周期，本土企业盈利能力持续修复

落到投资结论：综合考虑AI带来的强需求增量与国产替代趋势，维持存储行业“领先大市”评级，建议关注存储芯片设计厂商兆易创新、北京君正

关键展望

2026Q3存储合约价涨幅预计收敛：DRAM预计季增13-18%、NAND Flash季增10-15%、HBM Blended季增8-13%，主因消费级应用需求下修、高基期及消费端价格承受力达到极限

利基存储涨价动能延续：DDR2第二季合约价涨幅约55-60%、第三季预估进一步上涨35-40%；SLC NAND 2026上半年已上涨130-150%，下半年合约价预估较上半年再调涨120-170%，不排除上修空间

2027年存储器产值预计再创高峰达1.28万亿美元、同比增长44%

端侧AI渗透率持续上行：到2029年全球AI智能手机渗透率预计升至54.0%、出货量达7.74亿部；AI PC出货量预计增长至2.16亿台、渗透率达69.2%（全球PC出货量3.12亿台）

全球半导体存储产品出货量（以出货量计）预计由2024年的138亿块增长至2029年的194亿块，2024-2029年复合增长率为7.1%

2027年为全球DRAM产能集中释放拐点：三星平泽P5 Fab1预计2028年投产、Fab2计划2029年投产；SK海力士龙仁厂区2027年2月首间洁净室进场、预计至2030上半年新增36万片/月DRAM/HBM产能；美光新增量集中在2027H2起；长鑫上海新厂与长江存储第三座晶圆厂均计划2027年投产，国产替代供给弹性自2027年起显著释放

2026年AI服务器出货动能主要来自北美CSP、各地政府主权云项目及大型CSP自有ASIC研发，搭载NVIDIA GB300的机种为出货主流，VR200于下半年后逐步放量

何晨 周剑 行业研究 行业深度 存储行业深度报告：AI引爆存储需求，供给约束支撑行业高景气周期

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