高盛：三星电子（005930.KS）：4Q25 初步经营利润小幅超预期，受存储和显示业务推动；常规存储定价强劲带来盈利上行空间，维持买入

原标题：Samsung Electronics (005930.KS): 4Q25 prelim OP slight beat likely led by memory/display; earnings upside from strong conventional memory pricing to continue; Buy

摘要

三星电子于2026年1月8日发布4Q25初步业绩指引，经营利润为20.0万亿韩元，略高于高盛预期的19.0万亿韩元和彭博一致预期的19.6万亿韩元。超预期主要来自存储和显示业务利润高于预期，抵消了智能手机利润的疲软。高盛认为，常规DRAM和NAND定价强劲上行，预计1Q26起定价涨幅将进一步扩大，推动2026年经营利润同比翻三倍以上至超过150万亿韩元，ROE超过25%。公司当前估值具有吸引力，2026年预期市盈率7.6倍、市净率1.8倍。高盛将12个月目标价从14万韩元上调至18万韩元，维持买入评级。

主要观点

• 4Q25经营利润20.0万亿韩元，略高于高盛预期（19.0万亿韩元）和彭博一致预期（19.6万亿韩元）。
• 超预期主要来自存储和显示业务，智能手机利润低于预期。
• 股价当日下跌2%，因市场预期较高且业绩处于近期预期区间下限。
• 高盛预计1Q26起常规DRAM和NAND定价将大幅上涨，公司凭借在常规DRAM和NAND的较大敞口将持续受益。
• 高盛将常规DRAM季度环比定价增速预测上调为：1Q26E +56%、2Q26E +10%、3Q26E +7%、4Q26E +2%（此前为+24%/+9%/+5%/+2%）。
• NAND季度环比定价增速预测上调为：1Q26E +35%、2Q26E +15%、3Q26E +5%、4Q26E +3%（此前为+15%/+8%/+5%/+3%）。
• 2026E/2027E常规DRAM定价假设较此前预测高39%/41%，NAND高30%/32%。
• 4Q25 HBM收入略低于预期，主要因ASP较低，但2026年预计将显著增长，受益于ASIC客户（尤其是Google TPU）和Nvidia HBM4份额提升。
• 代工/LSI业务经营亏损大于预期，因智能手机客户需求疲软。
• 显示业务经营利润高于预期，因iPhone新机OLED订单强劲。
• 智能手机和消费电子经营利润均低于预期，因组件成本（尤其是存储）上升。
• 高盛预计2026年经营利润将同比翻三倍以上至超过150万亿韩元，ROE超过25%。
• 公司当前估值吸引：2026年预期市盈率7.6倍、市净率1.8倍。

论述逻辑

三星电子4Q25初步经营利润超预期 → 主要驱动力为存储和显示业务 → 常规DRAM和NAND定价涨幅超预期（DRAM环比+50%，NAND环比+30%以上） → 需求强劲（AI推理需求持续，供应受限，非服务器客户配给削减） → 客户愿意支付更高价格以确保供应 → 高盛上调定价预测 → 预计1Q26起定价涨幅进一步扩大 → 2026年经营利润将超过150万亿韩元（同比翻三倍以上） → 同时HBM业务2026年将显著增长（ASIC和Nvidia份额提升） → 估值仍具吸引力 → 上调目标价至18万韩元，维持买入。

关键展望

• 4Q25业绩电话会（1月29日）关注点：1）公司对常规存储周期幅度和持续时间的看法；2）HBM4认证进展；3）2026年HBM展望（定价/出货量）；4）存储资本开支和产能计划；5）存储涨价对需求破坏的潜在影响；6）资本配置更新（并购、股东回报）。
• 高盛预计2026年经营利润超过150万亿韩元，ROE超过25%。
• 风险未在报告中明确列出。

推荐标的

• 三星电子（005930.KS）：评级买入，12个月目标价18万韩元（此前14万韩元），当前股价14.1万韩元，上行空间27.7%。理由：4Q25初步业绩超预期，常规存储定价强劲上行，2026年盈利有望大幅增长，估值吸引。
• 三星电子优先股（005935.KS）：评级买入，12个月目标价14.2万韩元，当前股价10.33万韩元，上行空间37.5%。

关键图表

• 价格表现（005930.KS vs KOSPI）
• 比率与估值
• 增长与利润率
• 损益表
• 资产负债表
• 现金流量表
• GS因子概况