国联民生证券 电子行业专题报告 ABF膜：先进封装核心材料受益于AI服务器放量

摘要

国联民生证券电子团队于2026年9月18日发布ABF膜行业专题报告，维持行业“推荐”评级。 报告指出，ABF膜是FC-BGA等先进封装中关键的层间绝缘材料，AI算力基础设施扩张正推动其需求增长：味之素测算AI半导体基板面积指数为传统的3.5倍、积层数由6层增至18层、单颗ABF用量达传统产品10倍。 供给端味之素在GPU/CPU载板用ABF材料中份额超过95%，且2026年或对部分中国大陆客户调整供应，国内华正新材、纽菲斯、兴南创芯等正加速CBF膜研发与产线建设，国产替代空间广阔。 需求端，NVIDIA于2026年5月底宣布Rubin进入全面量产爬坡，TrendForce预计2026年全球AI服务器出货量同比增长接近31%、九大CSP资本开支同比增长约90%；Google TPU方面，Ironwood单颗HBM容量达192GB、约为上一代6倍，Anthropic等外部客户导入进一步打开空间。 载板端IBIDEN预计其AI服务器载板SAP负荷指数由2024年的1.0升至2026年的1.8和2027年的2.5，上游ABF或已进入明确上行周期。 材料升级主线为介电损耗Df从0.003向0.002及以下推进、膜厚从10μm向5μm验证推进、高端GPU线宽/线距进入6/6μm且表面粗糙度向Ra＜100nm收敛。 投资建议沿积层绝缘膜、填料、载板三条主线布局，并提示四项风险。

主要观点

• ABF膜是FC-BGA等先进封装关键的层间绝缘材料，核心作用是隔离相邻铜线路并提供精细线路与激光微孔加工基础，由环氧树脂、固化剂与无机微粒填料构成的有机—无机复合热固性薄膜。

• ABF自1999年实现生产后先后形成SH（2001）、GX（2004）、GZ（2007）、GC（2009）、LE（2014）、GL（2015）等系列，性能竞争从热膨胀控制转向低Df、低粗糙度、铜结合力与激光钻孔效率的综合平衡，GL样品CTE约20 ppm/K、Df约0.0044、杨氏模量约13 GPa。

• 性能参数决定封装表现：现有ABF的CTE普遍在15×10^-6～20×10^-6/℃；10GHz下Dk≈3.54、Df≈0.008可实现高频信号传输，5GHz下Dk≤3.4、Df≤0.0035可支撑高频高速互连封装；高端GPU载板线宽/线距已达6/6μm，需要表面粗糙度Ra＜100nm且介电常数均匀性偏差≤5%的ABF材料。

• 技术未来沿三条主线演进：高频介电损耗Df向0.002及以下推进；膜材向薄层化和高精度膜厚控制发展（ABF当前单层厚度约10μm）；精细线路由5/5μm、3/3μm进一步向更小尺度演进，CTE由约20ppm/℃向15ppm/℃及以下下降。

• 产业链上ABF位于IC封装载板上游增层绝缘环节，中游由IBIDEN、欣兴电子、南亚电路板等载板厂商完成制造，经ASE、Amkor、Intel等封装集成后进入CPU、GPU、ASIC、FPGA等高性能芯片，终端延伸至服务器及数据中心等算力场景。

• Vera Rubin对ABF的拉动可拆解为“单颗价值量提升×平台出货增长”：Rubin GPU由两颗接近光罩极限尺寸的芯粒构成，集成3360亿个晶体管、搭载288GB HBM4、显存带宽22TB/s、NVLink 6带宽3.6TB/s，相较Blackwell的NVFP4推理性能、训练性能、显存带宽和NVLink带宽最高分别提升约5.0倍、3.5倍、2.8倍和2.0倍。

• 味之素在ASV Report 2024中测算，AI半导体基板面积指数由1提升至3.5、ABF总积层数由6层增加至18层，单颗基板ABF使用量约为传统产品的10倍，形成“面积扩大×积层数量增加”的材料乘数效应。

• Rubin于2026年5月底进入全面量产爬坡，供应链覆盖30个国家、350余座工厂，生产型产品计划2026年秋季出货；TrendForce预计2026年全球九大CSP资本开支同比增长约90%、AI服务器出货量同比增长接近31%；IBIDEN预计AI服务器载板SAP生产负荷指数由2024年的1.0升至2026年的1.8和2027年的2.5。

• Google TPU性能与规模双轮驱动：第七代Ironwood较Trillium的FP8峰值计算能力提升约5倍、单颗HBM容量192GB约为上一代6倍、HBM带宽7.37TB/s约为4.5倍，TPU 8i配置288GB HBM和384MB片上SRAM；Alphabet 2026年第二季度资本开支达449亿美元，Anthropic新增TPU算力容量预计自2027年开始上线并达多个GW级别，且已宣布最高约百万颗TPU的使用计划。

• 供给端味之素垄断地位突出：其产品在全球主要个人电脑用层间绝缘膜市场份额接近100%，据TrendForce在GPU、CPU载板用ABF材料中份额超过95%；2025年10月其新建并全面投产ABF varnish生产设施，实现4/4μm线宽/线距适配、表面粗糙度控制在60nm以下；积水化学、Resonac等追赶者产能释放缓慢。

• 国内厂商加速布局但进度分化：华正新材CBF积层绝缘膜面向CPU/GPU等场景、处于研发/导入期；莲花控股子公司2026年4月以9,250.57万元取得纽菲斯46%股权；兴南创芯年产60万平方米高性能积层膜项目2025年4月获批建设、截至2026年8月披露时尚未建成；广东伊帕思AI高速覆铜板及封装载板基材基地2026年6月动工、规划总投资25亿元。

• 报告提示四项风险：国内厂商高端产品验证与量产进度不及预期；AI服务器出货及封装产能释放节奏不确定；玻璃基板、面板级封装等新型技术路线分流替代ABF；宏观环境及AI资本开支波动。

论述逻辑

• AI芯片性能升级（Rubin量产爬坡、Google TPU迭代、CSP资本开支高企）→ 封装基板面积扩大×积层数增加×高性能规格占比提升（AI半导体基板面积指数为传统3.5倍、积层由6层增至18层、单颗ABF用量约10倍）→ ABF单颗价值量与出货量同步放大；叠加味之素份额超95%且2026年或对部分中国大陆客户调整供应 → 供需关系趋紧+供应链安全诉求凸显 → 国产替代有望先从成熟规格和国内载板客户切入、逐步向高端FC-BGA突破 → 建议沿积层绝缘膜、填料、载板三条主线布局。

• 供给端逻辑：味之素依托树脂配方、无机填料分散、精密涂布及与载板制程长期协同构筑复合壁垒，积水化学、Resonac等追赶者产能释放缓慢，而AI封装面积与积层数持续增加，供需缺口短期难弥合，为国产厂商打开验证与产业化窗口。

关键展望

• Rubin生产型产品计划2026年秋季开始出货，报告预计其对ABF的增量贡献或自2026年下半年逐步显现，并有望在2027年随平台爬坡进一步放大；需持续关注HBM4验证、CX9互联适配、液冷系统调试及整机柜交付节奏。

• 载板端直接验证指标：IBIDEN预计AI服务器载板SAP生产负荷指数由2024年的1.0提升至2026年的1.8和2027年的2.5，同时反映出货增长与载板大型化、多层化带来的产能占用上升。

• TrendForce预计2026年全球九大CSP资本开支同比增长约90%、AI服务器出货量同比增长接近31%，GB/VR整柜方案采购意愿明显增强。

• Anthropic与Google Cloud新增TPU算力容量预计自2027年开始上线并达到多个GW级别，第三方客户规模化导入使TPU需求边界突破Google自有AI业务天花板。

• 材料技术路线展望：Df向0.002左右或以下发展，L/S规格由5/5μm、3/3μm持续向更小尺寸演进（前沿IC载板研发已进入5μm及以下），CTE由20ppm/℃向15ppm/℃甚至更低水平下降，以适应未来无核心载板等新型封装结构。

• 风险关注点：国产替代进程依赖验证周期与良率爬坡；Rubin量产爬坡高度依赖台积电CoWoS等先进封装产能扩充进度，HBM4等关键存储芯片供应亦可能形成瓶颈。

推荐标的

• 行业评级：推荐（维持评级）。个股层面报告均以“建议关注”形式列示，未给出个股评级或目标价。

• 主线一（积层绝缘膜国产替代）：国产厂商有望加速客户验证与产业化进程，建议关注南亚新材、华正新材、生益科技、激智科技、莲花控股、中京电子、东材科技、呈和科技。

• 主线二（填料）：球形硅微粉用于降低热膨胀系数、调节介电性能，国产ABF膜量产放量有望带动填料需求增长，AI基板积层数提升亦放大单板填料消耗量，建议关注联瑞新材、凌玮科技。

• 主线三（载板）：载板厂商是ABF膜直接采购方，AI基板需求放量驱动载板扩产，低介电/低热膨胀电子布及HVLP高端铜箔同步受益，建议关注深南电路、兴森科技、中材科技、宏和科技、德福科技、方邦股份。

关键图表

图1. ABF 膜实体图

图2. ABF 的刻蚀工艺

图3. ABF 膜产业链图谱

图4. ABF 多层增层载板互联示意图

图5. FCBGA 封装中 IC、封装载板及主板互联结构示意图

图6. Vera Rubin 机架及数据中心用 IC 封装基板实景

图7. Cloud TPU v4、v5p 与 Ironwood 技术规格对比

图8. 表 3: 国内 ABF/积层绝缘膜厂商布局及进展