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巴克莱：Barclays 中国存储与半导体设备1H26业绩的交叉启示

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摘要

巴克莱欧洲科技硬件团队（行业观点：中性NEUTRAL）基于中国DRAM与半导体设备公司2026年上半年业绩发布交叉启示报告，重点关联SK hynix、三星、ASMI、Aixtron与Besi。 中国DRAM方面，CXMT 1H26收入达人民币150.3bn（约21bn美元），超出发售文件指引中值/上限31%/25%，G5（15nm、相当于1a）平台进入客户认证、LPDDR6（最高12.8Gb/s、16GB）已向关键客户送样，但渠道检查显示其HBM开发仍显著落后全球龙头，因此巴克莱认为主要风险是中国PC与手机DRAM国产化而非HBM或先进服务器DRAM份额流失，对SK hynix与三星近期影响温和。 CXMT 1H26资本开支同比下降约10%（约3bn美元），巴克莱预计下半年中国存储支出随扩产提速，鉴于沉积与刻蚀的国产化进展，相对更利好ASML。 设备方面，AMEC超300台高深宽比刻蚀反应腔已在HVM运行且终端产品良率超90%，≥90:1 beta平台瞄准2027年批量订单，国产HAR刻蚀若成功商业化可能在2027年收窄全球厂商可及WFE市场。 ALD生态多点推进：Piotech 2025年ALD相关收入达人民币301m（同比+192%），AMEC钨ALD获HVM认证且累计订单超人民币1bn。 混合键合与InP MOCVD仍在早期：Naura W2W/D2W平台完成客户验证并获批量订单，AMEC InP MOCVD目标2H27进入客户产线。 巴克莱认为国产设备商业化在存储端加速但认证周期冗长，ASM优势仍在逻辑/代工/模拟，InP客户转换与认证壁垒高、混合键合全行业HVM采用渐进，故对欧洲覆盖标的近期冲击有限。

主要观点

  • 中国DRAM的核心风险是中国PC与手机DRAM国产化，而非HBM或先进服务器DRAM份额流失，对SK hynix和三星近期影响温和
  • CXMT 1H26收入达人民币150.3bn（约21bn美元），超出发售文件指引中值/上限31%/25%；G5（15nm）平台已进入客户认证，LPDDR6（最高12.8Gb/s、16GB容量）已向关键客户送样，并在G5平台下持续开发DDR6
  • CXMT客户渗透持续扩大：LPDDR4X已被小米、OPPO、vivo、传音、联想广泛采用，LPDDR5/5X进入小米和传音供应链，车用LPDDR4X/LPDDR5X进入HVM
  • CXMT 1H26资本开支同比下降约10%（约3bn美元），巴克莱预计下半年中国存储支出随扩产提速而加速，鉴于沉积与刻蚀的国产化进展，相对更利好ASML；管理层暗示当前供需紧张未见变化
  • 刻蚀竞争加剧：AMEC超300台高深宽比（HAR）刻蚀反应腔已在HVM运行、终端产品良率超90%，≥90:1 beta平台完成初步客户认证并瞄准2027年批量订单；国产HAR刻蚀成功商业化可能在2027年收窄全球厂商可及WFE市场
  • 沉积（不含ALD）国产化在存储端势头最强：Piotech强化介质沉积领先地位并推进新PECVD产品认证；Naura 1H26收入因先进逻辑订单转换时点及高端沉积设备交期而不及预期、但维持全年收入指引；ACM Research 2Q26向新客户交付第二台PECVD并目标年底完成客户端验证
  • 中国ALD生态1H26持续推进：Piotech 2025年ALD相关收入达人民币301m（同比+192%）并在1H26获重复订单，差异化多腔体平台可同时处理多达30片晶圆；AMEC钨ALD获HVM认证并进入量产、累计订单超人民币1bn；Naura新一代管式ALD已交付国内存储客户
  • 对ASMI而言，多家国产厂商正同步推进热ALD、PEALD与批式炉管沉积，商业化在存储端加速但认证周期冗长，ASM的优势阵地仍在逻辑/代工/模拟
  • 中国InP MOCVD仍处早期但逐步推进：Naura批次型InP MOCVD平台已发运客户验证，AMEC实验室进展令人鼓舞并目标2H27进入客户产线、随后认证；因客户转换与认证壁垒高，对Aixtron近期影响有限
  • 混合键合：Naura W2W与D2W平台均完成客户验证并获批量订单；Piotech Pleione 300 C2W平台仍在客户认证中，管理层对大范围商业化时点保持谨慎，键合之外的多个工艺整合挑战仍未解决
  • 对Besi而言，中国厂商正在认证国产D2W混合键合设备，W2W侧进展更多（客户认证与重复订单），但全行业HVM采用目前仍显渐进
  • 报告附上中国深度报告China #7的关键图表：2023-2027E中国WFE按技术拆分及同比增速、2023/2024/2025年中国半导体设备按设备类型的自给率（工艺控制、抛光研磨、离子注入、清洗、刻蚀、光刻/涂胶显影、沉积）

论述逻辑

  • 中国DRAM/设备公司1H26业绩与渠道检查 → CXMT在G5（15nm）、LPDDR6与客户渗透上快速推进但HBM明显落后全球龙头 → 巴克莱据此将主要风险定位为中国PC/手机DRAM国产化而非HBM或先进服务器DRAM份额流失 → 对SK hynix、三星近期影响温和；设备侧刻蚀、沉积、ALD、混合键合、InP MOCVD多点国产化突破 → 存储端商业化提速但认证周期冗长、客户转换与认证壁垒高 → ASM强守逻辑/代工/模拟、Aixtron受InP壁垒保护、Besi混合键合HVM采用渐进 → 短期对欧洲覆盖标的冲击有限；中期看，国产HAR刻蚀若2027年放量可能收窄全球厂商可及WFE市场，同时中国存储支出2H26加速更利好ASML → 维持欧洲科技硬件中性观点

关键展望

  • 2026年下半年中国存储资本开支预计随产能扩张提速而加速，鉴于沉积与刻蚀国产化进展，相对更利好ASML
  • AMEC ≥90:1 beta刻蚀平台瞄准2027年批量订单；国产HAR刻蚀若成功商业化，可能在2027年收窄全球厂商可及WFE市场
  • CXMT管理层暗示当前存储供需紧张态势没有变化
  • ACM Research目标2026年年底前完成新客户的PECVD客户端验证
  • AMEC InP MOCVD目标2027年下半年进入客户产线，认证随后推进
  • Piotech管理层对混合键合大范围商业化时点保持谨慎，多个工艺整合挑战仍未解决

推荐标的

  • 行业观点：欧洲科技硬件为中性（NEUTRAL）
  • ASM International N.V. (ASMI.AS)：Overweight/Neutral，2026年9月4日价格EUR 825.20；报告提示多家国产厂商推进热ALD/PEALD/炉管沉积、认证周期冗长，但ASM优势在逻辑/代工/模拟
  • ASML Holding NV (ASML.AS)：Overweight/Neutral，2026年9月4日价格EUR 1467.40；中国存储支出下半年加速预计相对更利好ASML
  • Aixtron (AIXGn.DE)：Equal Weight/Neutral，2026年9月4日价格EUR 36.15；Naura与AMEC报告InP MOCVD进展，但客户转换与认证壁垒高、近期影响有限
  • BE Semiconductor Industries NV (BESI.AS)：Equal Weight/Neutral，2026年9月4日价格EUR 196.65；中国厂商正认证国产D2W混合键合设备、W2W进展更多，但全行业HVM采用仍渐进
  • SK Hynix Inc. Adr (SKHY)：Overweight/Neutral，2026年9月4日价格USD 177.00；CXMT HBM开发明显落后、主要风险为中国PC/手机DRAM国产化，近期影响温和
  • Samsung Electronics Co Ltd (0593xq.L)：Overweight/Neutral，2026年9月4日价格USD 4908.00；与SK hynix同受中国DRAM国产化影响、近期影响温和

关键图表

图1. 按技术划分的中国WFE（百万美元）

**图1. 按技术划分的中国WFE（百万美元）**

图2. 按技术划分的中国WFE同比增长（百万美元）

**图2. 按技术划分的中国WFE同比增长（百万美元）**

图3. 2023、2024和2025年中国按设备类型划分的半导体设备自给率

**图3. 2023、2024和2025年中国按设备类型划分的半导体设备自给率**

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