摩根士丹利:大摩 大中华区科技半导体:中国先进封装,青睐资本支出受益者及市场份额攫取者
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摘要
摩根士丹利对大中华区科技半导体行业维持Attractive观点,认为中国先进封装是AI驱动的长期增长故事,但对TAM增长转化为OSAT盈利的路径比市场共识更谨慎。 报告预计中国2.5D产能将从2025年的120k wafers升至2027年的436k,而有效需求受先进制程良率与HBM可得性约束,2027年行业利用率仅约63%,存在温和过剩风险,或压制定价与利润率上行空间。 中国先进封装TAM预计到2029年增长至Rmb100bn(2025-29年CAGR 13%),其中chiplet 2.5D细分2025-29年CAGR达40%。 基于OSAT盈利依赖产能被填满、而设备商收入依赖产能被建设这一核心区分,报告优先青睐设备商ASMPT(0522.HK,OW)与ACM Research(ACMR.O,OW),后者Q2 2026先进封装收入(不含ECP)同比增长153%。 在OSAT中偏好份额提升者:将长电科技JCET(600584.SS)从Equal-weight升级至Overweight,目标价从Rmb50.00上调至Rmb90.20,因其有望成为本土2.5D封装的有意义份额提升者且向计算、汽车多元化(1H26计算收入同比+40.4%);首次覆盖盛合晶微SJ Semi(688820.SS)给予Equal-weight、目标价Rmb118.40,认为其虽以约77%的2025年份额居中国2.5D封装首位,但12x 2026 P/B的估值已反映技术领先性,且按建成产能计份额2027年或降至34%。 报告还认为3DIC、HBM封装与CPO战略上重要但近期盈利贡献可能被高估,未来2-3年中国3DIC市场或仅为数千万美元量级。
主要观点
- 行业观点为Attractive:先进封装对AI GPU性能愈发关键,尤其在中国——尖端设备获取受限约束前道制程微缩,使封装主导的性能提升战略价值上升。
- 中国先进封装TAM预计到2029年增长至Rmb100bn(2025-29年CAGR 13%),其中chiplet 2.5D细分达Rmb17.7bn、40% CAGR,flip chip为10% CAGR、WLP为9% CAGR(2025-29)。
- 与共识相比更谨慎:预计中国2.5D产能从2025年120k wafers升至2027年436k,2027年行业利用率仅约63%,温和过剩或压制定价与利润率上行。
- 有效需求受上游瓶颈约束:先进制程节点良率与HBM可得性;CoWoS-S类向CoWoS-L类架构转变或造成产能结构错配;3D集成或减少每颗加速器die所需的2.5D封装面积。
- 三大辩论之二——价值在OSAT还是设备商:OSAT盈利依赖产能被填满,设备商收入主要依赖产能被建设;2.5D/3D迁移还带来额外精细RDL、TSV、TCB/混合键合等工艺,提升单位产能设备强度,故 Prefer 设备商。
- ACM Research(ACMR.O,OW)是产能建设的直接受益者:Q2 2026不含ECP的先进封装收入同比+153%,ECP、furnace及其他技术类别同比+168%,本季交付第2,000个ECP腔体,并获大陆先进封装客户首台510×515mm横向面板级电镀系统生产订单。
- ASMPT(0522.HK,OW)凭借热压键合(TCB)领先地位,应为中国先进封装投资的主要受益者。
- 三大辩论之三——3DIC/HBM封装/CPO近期盈利贡献可能被高估:华为Mate XT(Kirin 9020)过去一年年销量约300-400k units,预计未来2-3年中国3DIC市场仅为数千万美元量级。
- 长电科技JCET升级至Overweight:江阴高端封装基地1H26收入达Rmb212mn、净亏损收窄至Rmb89mn且利用率持续改善,管理层预计2027年扭亏、2027年底产能或达~5kwpm;新宣布上海临港Rmb7.8bn高端封装项目;1H26计算收入同比+40.4%。
- JCET 2.5D市场格局:SJSemi 2024年按收入占中国2.5D封装市场约85%,JCET从低基数切入,管理层预计江阴2.5D业务未来1-2年 scaling 至 Rmb billions 年收入,并有anchor CSP客户。
- 盛合晶微SJ Semi首次覆盖Equal-weight:2025年以约77%份额居中国2.5D封装第一,预计2025-28年收入CAGR 25%;但按建成产能计份额2027年或降至34%,华为占1H25总收入74%,公司位列美国实体清单,2Q26收入增速放缓至约2%、净利润同比-16%。
- SJ Semi估值判断:当前12x 2026 P/B、约为本土OSAT同业2倍,已反映技术领先与TAM增长,风险收益趋于平衡;牛市情景18.0x 2026 P/B(Rmb200.00)、基准11.0x(Rmb118.40)、熊市7.2x(Rmb80.00)。
论述逻辑
- AI算力需求增长 + 前道制程受设备限制约束 → 先进封装成为性能提升关键路径,TAM高速增长(2029年Rmb100bn,chiplet 2.5D CAGR 40%) → 高增长高毛利吸引现有OSAT(JCET、通富微电、华天科技、Forehope等)与新进入者同时扩建2.5D/3D产能 → 有效需求受先进制程良率与HBM供给约束,且3D集成或降低单位加速器die所需2.5D封装面积 → 产能120k wafers(2025)→436k(2027)vs 2027年利用率仅~63%,形成温和过剩 → OSAT盈利依赖产能填满而设备商收入依赖产能建设,且2.5D/3D提升单位产能设备强度 → 因此首选资本开支受益者(ASMPT、ACM Research,均OW)与OSAT中的份额提升者(升级JCET至OW、首次覆盖SJ Semi为EW)。
关键展望
- 2027年行业利用率预计仅约63%,产能扩张快于有效需求将压制定价与利润率上行,即便行业收入继续增长。
- JCET江阴2.5D业务管理层预计2027年扭亏为盈,2027年底产能或达~5kwpm;上海临港Rmb7.8bn高端封装项目提供第二增长极。
- JCET基准目标价Rmb90.2(剩余收益模型),牛市情景Rmb147.7(自Rmb81.9上调)、熊市Rmb60.6(自Rmb33.6上调)。
- SJ Semi预计2025-28年收入CAGR 25%;牛市情景Rmb200.00(18.0x 2026 P/B)、基准Rmb118.40(11.0x)、熊市Rmb80.00(7.2x),基准假设2026-28年毛利率约31.4%。
- 3DIC市场未来2-3年仅为数千万美元量级;TAM显著扩张需消费电子达数千万台级出货或百万台级高ASP AI加速器。
- 需监测指标:国内先进封装产能、国内先进制程产能与HBM可得性、国内逻辑die 3D堆叠技术进展;SJ Semi面临美国实体清单下出口管制扩围风险。
推荐标的
- JCET Group(长电科技,600584.SS):评级从Equal-weight升至Overweight,目标价从Rmb50.00上调至Rmb90.20;理由:有望成为国内2.5D封装的有意义份额提升者,并持续向计算与汽车业务多元化。
- SJ Semiconductor(盛合晶微,688820.SS):首次覆盖给予Equal-weight,目标价Rmb118.40;理由:中国2.5D封装龙头(2025年约77%份额、2025-28年收入CAGR 25%),但溢价估值已反映技术领先,竞争加剧、客户集中与HBM供给使风险收益更平衡。
- ACM Research(ACMR.O,OW):中国先进封装产能建设直接受益者(电镀、清洗等湿法工艺),Q2 2026先进封装收入(不含ECP)同比+153%、ECP/furnace及其他同比+168%。
- ASMPT(0522.HK,OW):凭借TCB(热压键合)领先地位成为中国先进封装投资的主要受益者。
- 披露页列示的团队其他覆盖标的(评级/日期/价格):WT Microelectronics(3036.TW)O(01/27/2026)NT$192.50;Dosilicon(688110.SS)U(09/06/2024)Rmb110.54;Shenzhen Longsys(301308.SZ)E(02/25/2026)Rmb328.50;Maxscend(300782.SZ)U(01/11/2021)Rmb69.98;Silicon Motion(SIMO.O)O US$236.81;Himax(HIMX.O)E US$13.60;AllRing Tech(6187.TWO)O NT$1,215.00;FOCI(3363.TWO)O NT$648.00;Hon Precision(7769.TW)O NT$6,135.00;MPI(6223.TWO)O NT$5,440.00;WinWay(6515.TW)O NT$6,310.00。
关键图表
图1. 中国先进封装TAM预计到2029年增长至1,000亿元人民币,其中Chiplet 2.5D复合年增长率达40%

图2. 我们预计中国AI GPU出货量到2027年达到约500万颗

图3. 台积电SoIC产能

图4. 计算与汽车业务占比持续增长

图5. SJ半导体收入预计以25%的复合年增长率增长

图6. SJ半导体:同业比较

图7. SJ半导体:NTM市净率(P/B)比率

图8. 摩根士丹利 | 太平洋洞察(PACIFIC INSIGHT)
