高盛 高盛DRAM情绪指标：26年8月：多空辩论在积极数据点中持续；对27年HBM定价预期更高

摘要

高盛2026年8月DRAM情绪指标指向“温和正面”，与6月持平。 价格端，DDR5现货价8月环比+6%、较8月合约价溢价+16%，DDR4环比+7%、溢价+43%；需求与供给端，台湾服务器ODM 7月营收同比+80%（受机架级AI服务器出货爬坡及ASIC AI服务器强劲增长带动），Aspeed同比+98%且连续6个月同比增速超50%，韩国7月DRAM出口同比+394%创2008年以来最高同比增速，南亚科营收同比+720%（连续12个月三位数增长），至上电子同比+333%。 负面数据点集中在手机需求：中国智能手机6月出货同比-17%、1H26同比-3%，高盛大中华科技团队预计3Q26出货同比再降10%，主因存储涨价拖累终端需求。 价格动能边际放缓的争议构成多空辩论核心：高盛预计3Q26E DRAM ASP（三星/SK海力士）环比约+17%，ASP增速二阶导约-20%p，而共识对3Q26常规存储合约价的预期为环比+15-20%、与高盛一致。 在HBM供需紧张及常规DRAM与HBM价差扩大的背景下，高盛将2027年SK海力士HBM定价增速预估由+50% yoy大幅上调至+100% yoy（卖方共识同期由+32%升至53% yoy），对2027年HBM定价维持建设性看法。 标的方面，三星电子普通股与优先股均为买入评级，12个月目标价分别为W490,000（EV/EBITDA SOTP）与W360,000（27%优先股折价）；SK海力士12个月目标价W3,500,000（9.0X目标P/E）。

主要观点

• 高盛2026年8月DRAM情绪指标指向“温和正面”方向，与6月持平；该指标由现货价、服务器ODM营收、Aspeed营收、韩国DRAM出口、中国手机出货、南亚科及至上电子营收、ASP二阶导预估、HBM共识与渠道调研观点共10项数据构成。

• DDR5现货价8月延续上行趋势，环比+6%，较8月合约价溢价+16%。

• DDR4现货价8月环比+7%，较8月合约价溢价幅度高达+43%。

• 台湾服务器ODM（英业达、广达、纬颖、纬创）7月营收同比+80%（环比-4%），驱动机架级AI服务器出货爬坡与ASIC AI服务器出货强劲增长。

• 全球最大服务器BMC供应商Aspeed 7月营收同比+98%（环比+16%），连续6个月同比增速保持在50%以上。

• 韩国7月DRAM出口环比-3%但同比+394%，创2008年以来最高同比增速；MOTIE归因于AI大规模普及及向agentic AI转型下存储需求稳健。

• 中国智能手机6月出货同比-17%（环比-36%），结束连续两个月正增长；1H26出货同比-3%；高盛大中华科技团队预计3Q26出货同比下滑10%，主因存储涨价拖累终端需求。

• 南亚科7月营收同比+720%（环比+49%），受DDR4价格强劲增长驱动，已连续12个月实现三位数同比增速。

• 台湾存储分销商至上电子7月营收同比+333%、环比+25%。

• 高盛最新3Q26E DRAM ASP预估（针对三星与SK海力士）为环比约+17%，据此估算当季ASP增速二阶导约-20%p，即价格涨幅边际放缓。

• 过去一个月卖方共识对SK海力士2027年HBM定价增速预期由+32% yoy显著上调至53% yoy；高盛同步将自身预估由+50% yoy上调至+100% yoy，对明年HBM定价维持更积极看法。

• 多空辩论持续：空方警惕未来存储价格增速放缓，多方看好AI相关需求持续强劲及以更利于供应商条款签署的LTA可提供下行保护；经近月预期修正后，共识对3Q26常规存储合约价预期为环比+15-20%、与高盛一致；鉴于HBM供需紧张及常规DRAM与HBM价差扩大，高盛认为2027年HBM定价预期仍具建设性。

论述逻辑

• 报告以10项高频数据构建DRAM情绪指标：现货价（DDR4环比+7%、对合约溢价43%；DDR5环比+6%、溢价16%）确认涨价趋势，服务器ODM营收+80% yoy与Aspeed +98% yoy佐证AI服务器需求，韩国出口+394% yoy、南亚科+720% yoy、至上电子+333% yoy确认存储景气扩散；但中国手机出货-17% yoy显示涨价开始压制终端需求，且3Q26E ASP二阶导约-20%p提示价格涨幅放缓，由此形成多空分歧；高盛的裁决逻辑是：短期合约价共识（3Q26环比+15-20%）与自身预估一致、预期已充分调整，而HBM供需紧张与常规DRAM/HBM价差扩大构成结构性支撑，因此将2027年HBM定价预估上调至+100% yoy并维持建设性看法；情绪指标综合后仍为“温和正面”（与6月持平），落到标的上即维持三星电子普通股/优先股买入（目标价W490,000/W360,000）及SK海力士W3,500,000目标价。

关键展望

• 3Q26常规存储合约价：经过过去两个月的预期修正期后，共识预计环比+15-20%增长，与高盛预估一致。

• 3Q26E DRAM ASP（三星与SK海力士）环比约+17%，当季ASP增速二阶导约-20%p，即涨幅边际放缓但仍为正增长。

• 2027年HBM定价：高盛预估由+50% yoy上调至+100% yoy，卖方共识由+32% yoy升至53% yoy；基于HBM供需紧张与常规DRAM/HBM价差扩大，预期保持建设性。

• 中国智能手机：1H26出货同比-3%，高盛大中华科技团队预计3Q26出货同比下滑10%，主因存储涨价压制终端需求。

• 12个月目标价：三星电子普通股W490,000、优先股W360,000（均买入）；SK海力士W3,500,000（应用9.0X目标P/E）。

推荐标的

• 三星电子（005930.KS）普通股：买入，12个月目标价W490,000，基于2026-2027E EV/EBITDA的SOTP估值；主要下行风险为存储供需大幅恶化、智能手机利润率大幅收缩及移动OLED市场份额流失。

• 三星电子优先股（005935.KS）：买入，12个月目标价W360,000，基于27%的优先股对普通股折价目标（两因子模型折价与近一个月平均折价的均值）。

• SK海力士（000660.KS）：12个月目标价W3,500,000，基于2026E/27E平均P/E并应用9.0X目标倍数；报告正文未标注其具体评级。关键风险：存储供需大幅恶化与技术迁移延迟、智能机/PC/服务器需求走弱冲击常规存储需求、三星HBM业务积极进展、AI相关资本开支下调影响HBM需求。