2026-08-23 · 东吴证券 · 公司/行业基本面

东吴证券半导体设备行业深度报告：海外半导体设备龙头订单&业绩持续新高，看好国产设备商投资机遇

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摘要

东吴证券半导体设备深度报告核心观点是AI发展拉动存储与先进逻辑需求，海外Fab厂加速扩产，全球2026年WFE销售额预测上调至1439亿美元，预计2027、2028年分别增长21.8%/14.1%至1753/2000亿美元。海外设备龙头业绩持续新高：ASML FY26Q2营收93.3亿欧元同比+21.3%并将全年收入指引上调至430-450亿欧元，Lam FY26Q4营收67.22亿美元创新高，TEL FY27Q1营收7324亿日元创新高，泰瑞达26H1营收同比+95%，爱德万、DISCO同样受益AI测试需求。国内方面，中国大陆晶圆产能2024年占全球22%，低于销售额占比30%，中芯国际2026年资本开支预计约81亿美元维持高位，长鑫存储DRAM市占率2025年提升至约8%，国产替代空间广阔。海外设备供需趋紧向价格和交期传导，ASML部分中国客户已接受老款DUV设备约10%提价，KLA交期约12个月、部分产品18-24个月，为国产设备和零部件出海创造窗口。报告重点推荐北方华创、中微公司、长川科技等国产设备厂商，并建议关注AMAT、ASML、TEL等海外龙头。

主要观点

AI拉动存储与先进逻辑需求，SEMI将2026年全球WFE销售额预测上调至1439亿美元，预计2027、2028年分别增长21.8%/14.1%至1753/2000亿美元，增长动能主要来自人工智能相关投资。

三星与SK海力士2026年资本开支指引分别提升至70万亿韩元和40万亿韩元，同比大增34%和40%；两家厂商预计2030年前DRAM产能接近翻倍，投产后理论产能分别达135万片/月和100万片/月。

美光FY2026资本开支预计达270亿美元、FY2027指引约450亿美元（同比+70%/67%）；铠侠FY2026资本开支指引4500亿日元同比+60%；闪迪与铠侠的NAND联盟当前财年拟投入共45亿美元资本开支，同比增长41%。

台积电2026年资本开支由Q1法说会的520-560亿美元进一步上调至600-640亿美元，中值620亿美元对应同比增长52%；英特尔2026Q2将全年资本开支指引上调至200亿美元以上，并称2027年指引将大幅提升。

ASML FY26Q2营收93.3亿欧元同比+21.3%超出指引上限，并将FY26全年收入指引上调至430-450亿欧元（中值同比+34.7%），毛利率指引上调至54%-56%；存储端收入同比+83.5%。

ASML计划将Low-NA EUV产能由2026年约65台提升至2027年约85台、2028年约110台，浸没式DUV由2026年约130台增至2027年约169台、2028年约220台，反映长期订单能见度提升。

Lam Research FY26Q4营收67.22亿美元同比+30%创新高，FY26全年营收232.3亿美元同比+26%、净利润72.7亿美元同比+36%，并连续两个季度上调2026年WFE预测至1500亿美元。

TEL FY27Q1营收7324亿日元同比+33.3%创历史新高，净利1643亿日元同比+39.5%；TEL预测2026年WFE达1500亿美元、2027年增长至1900亿美元，并预计2027年AI数据中心半导体设备需求占比将超50%。

KLA FY26营收135.8亿美元同比+12%、净利48.3亿美元，FY27Q1指引营收38-42亿美元；预计CY2030年收入达235-285亿美元（CAGR 13%-17%），2024年全球量检测设备市占率达56.5%。

爱德万预计CY26全球测试机市场规模130-145亿美元，其中SoC测试机105-115亿美元；CY25 SoC测试机市占率66%、目标提升至70%，SoC测试机年产能将由2020年约1000台扩至2028年末至2029年初的10000台以上。

泰瑞达26H1营收26.11亿美元同比+95%，SoC测试机同比+112.3%、存储测试机同比+247.5%；公司预计26年全球存储测试机市场同比增长超40%达18.8亿美元以上，存储测试高景气有望延续至2027年。

DISCO FY26Q1营收1143.1亿日元同比+27%、净利342.8亿日元同比+44%；2026年全球先进封装市场规模预计达587亿美元同比约+97%，DISCO在W2W、D2W先进封装工艺中覆盖多个切磨抛步骤。

中国大陆晶圆产能全球占比2024年达22%，仍低于同期中国大陆半导体销售额全球占比30%；台积电25Q2月产能127.9万片远超中芯国际26.5万片和三星34.4万片，国内厂商对标台积电扩产空间广阔。

中芯国际2025年资本开支81亿美元同比+11%，2026年预计与2025年基本持平约81亿美元；产能利用率2025Q3升至95.8%高点、2026Q1为93.1%。

长鑫存储DRAM全球市占率由2024年约5%提升至2025年约8%；长江存储NAND市占率同样由约5%提升至约8%，国产存储扩产空间广阔。

海外设备供需趋紧向价格和交期传导：ASML部分中国客户已接受老款DUV设备约10%提价，KLA整体交货周期12个月、部分产品18-24个月，爱德万客户需求可视期由约6个月延长至18个月。

国产设备厂商进入集中扩产周期：拓荆科技完全达产后理论总产能约1100台/年（2.2倍），盛美上海A+B厂全面运行后产值约200亿元（翻倍），中微公司到2031年左右整体生产能力将超过700亿元。

国产零部件已切入海外供应链：新莱应材2025年海外收入7.53亿元占比25.12%，富创精密2024年海外收入约8.97亿元占比29.50%，有望伴随海外设备扩产提升全球份额。

论述逻辑

AI驱动存储与先进逻辑需求 → 三星、SK海力士、美光、台积电、英特尔等海外Fab厂大幅上调资本开支并扩产 → 下游扩产兑现至设备端，ASML、Lam、TEL、KLA等前道龙头收入盈利创新高并连续上修WFE规模与全年指引，泰瑞达、爱德万、DISCO后道测试受益AI GPU/ASIC及HBM测试需求 → 海外设备龙头扩产周期2-3年、供给释放偏慢，供需趋紧传导至涨价（DUV提价约10%）与交期延长（KLA 12个月起、部分18-24个月）→ 中国大陆晶圆产能占比22%低于销售额占比30%，自主可控驱动逆周期扩产，中芯国际资本开支维持约81亿美元高位，长存长鑫市占率提升空间广阔 → 国产设备厂商集中扩产（拓荆、盛美、中微等）叠加零部件已切入海外供应链，国产设备与零部件凭借交付、本地化服务和性价比优势迎国产替代与出海双重机遇 → 重点推荐国产前后道设备+零部件厂商，建议关注海外设备龙头。