建筑与工程行业：太空视角下的半导体大厂资本开支

摘要

长江证券建筑与工程团队借助吉林一号多期卫星遥感影像，交叉验证美光与台积电海外晶圆厂的实际建设进度，从太空视角解读本轮 AI 资本开支带来的专业工程投资机会。 美光 2025 财年资本开支约 138 亿美元，2026 财年预计大幅提升至约 270 亿美元，且 2027 财年资本开支同比增量中超过一半来自厂房建设。 遥感结果显示各项目建设节奏分化：爱达荷 Boise 与台积电亚利桑那项目主体建设持续推进（截至 2026 年 7 月分别识别 41 栋、96 栋建筑），纽约项目仍处建设初期（尚未识别到主体建筑），新加坡及日本项目逐步观测到新增建设量。 台积电亚利桑那投资规模已从最初 120 亿美元扩容至 2650 亿美元，规划 6 座逻辑晶圆厂、2 座先进封装厂与 1 座研发中心。 报告认为随着项目由场地平整、主体施工逐步进入洁净室、机电及厂务系统建设阶段，相关专业工程需求有望持续释放，维持行业“看好”评级。 标的层面继续推荐受益半导体资本开支的洁净室板块，重点提及亚翔集成、圣晖集成，并建议关注柏诚股份。

主要观点

• AI 革命重塑生产范式、Token 打开算力需求周期，全球半导体资本开支进入新一轮“军备竞赛”，项目正由投资规划逐步进入厂房建设、洁净室施工、设备搬入和产能爬坡阶段，机电工程及洁净室厂务需求有望持续释放。

• 美光 2025 财年资本开支约 138 亿美元，2026 财年预计大幅提升至约 270 亿美元，其中第四财季单季约 100 亿美元；公司预计 2027 财年每季度资本开支均高于 2026 财年第四季度水平，同比增量中超过一半来自厂房建设。

• 2026 年 7 月美光宣布将 2035 年前美国本土投资规模提高至 2500 亿美元以上，较 2025 年 6 月披露的约 2000 亿美元进一步上调，支持长期在美国生产约 40% DRAM 的目标；美国项目已获《芯片法案》最高 64 亿美元直接资助。

• 爱达荷州 Boise 晶圆厂 ID1、ID2 预计分别于 2027 年年中、2028 年年底首次产出晶圆；截至 2026 年 7 月新建区域总占地约 194.83 万平方米，识别建筑物 41 栋（38 栋封顶、3 栋主体施工），地面建造总空间 500.61 万立方米，2025 年 6 月以来累计增加约 296.09 万立方米。

• Boise 主体晶圆厂为新建区域单体面积最大建筑，2026 年 7 月面积达 10.16 万平方米、高度 39.65 米，距约 48.8 米（160 英尺）的规划高度仍有约 9.15 米待建设；美光已于 2025 年 9 月永久解除与易科德的合作，Hoffman Construction 成为新总承包商，易科德同期提交裁员 201 人预警函，需关注承包商更换对进度的影响。

• 纽约州克莱镇项目 2026 年 1 月破土、7 月完成首次混凝土浇筑，较原计划提前超过一个季度，标志着进入主体施工阶段，计划 2030 年开始生产；项目规划 4 座 DRAM 晶圆厂、洁净室总面积 240 万平方英尺，是美国迄今公布的最大规模洁净室规划。遥感显示截至 2026 年 7 月项目仍以大面积土方开挖和场地整备为主，已建设建筑物数量为 0 栋。

• 新加坡方面，美光计划十年投资约 240 亿美元建设先进 NAND 晶圆厂（规划 70 万平方英尺洁净室、2028 年下半年出片），另约 70 亿美元 HBM 先进封装厂预计 2027 年开始贡献产能；截至 2026 年 6 月园区识别 42 栋建筑（40 栋封顶），地面建造总空间 742.58 万立方米，其中 #1 建筑高度由 2026 年 3 月的 36.65 米增至 55.37 米。

• 美光于 2026 年 7 月启动日本广岛新洁净室建设，一期洁净室面积约 2.8 万平方米，计划 2028 年下半年搬入生产设备，由 Fujita 担任总承包商；项目设备投资约 1.5 万亿日元、日本政府最高提供 5000 亿日元支持，规划下一代 DRAM 月产 4 万片 12 英寸等效晶圆。截至 2026 年 7 月遥感识别 6 栋建筑，新增 1 栋（占地 611 平方米、高 8.14 米仍处主体施工），扩建区域由植被覆盖转为土地硬化并出现新增建筑主体。

• 中国台湾方面，美光以 18 亿美元收购力积电铜锣 P5 厂约 30 万平方英尺既有 300mm 洁净室（预计 2027 年中开始形成规模产品出货），并已启动约 27 万平方英尺第二座洁净室建设，扩大先进 DRAM 及 HBM 供应能力。

• 台积电亚利桑那投资规模从最初 120 亿美元扩容至 2650 亿美元，是美国历史上规模最大的绿地项目外商直接投资，规划 6 座逻辑晶圆厂、2 座先进封装厂与 1 座研发中心：一号厂 4 纳米已于 2024Q4 量产，二号厂计划 2027 年下半年量产 3 纳米，三号厂 2025 年 4 月动工（规划 2 纳米与 A16），四号厂及首座先进封装厂 2026 年初启动初期建设。

• 截至 2026 年 7 月，台积电亚利桑那园区总占地约 385.35 万平方米，识别建筑物 96 栋（90 栋封顶），地面建造总空间 1154.49 万立方米；对照规划图，F21P1、P2、P3 三期主楼均已完成封顶，2026 年 4—7 月新增建造空间明显减少至约 27.98 万立方米，显示主体结构施工接近尾声。

• 报告维持建筑与工程行业“看好”评级，继续推荐受益半导体资本开支的洁净室板块：亚翔集成、圣晖集成或依靠台系背景出海优势及项目建设经验受益于海外资本开支维持高位，同时关注柏诚股份在海外业务的积极探索。

论述逻辑

• AI 革命重塑生产范式、Token 打开算力需求周期 → 全球半导体资本开支进入“军备竞赛”，美光 2026 财年资本开支预计约 270 亿美元、2027 财年增量过半投向厂房建设，台积电亚利桑那投资扩容至 2650 亿美元 → 报告以公司公告、政府文件、媒体报道结合吉林一号多期卫星遥感影像交叉验证各地建设进度 → 发现建设节奏分化：Boise 与亚利桑那主体建设持续推进、纽约仍处建设初期、新加坡与日本逐步观测到新增建设量 → 判断项目将由场地平整、主体施工逐步转入洁净室、机电及厂务系统建设阶段 → 相关专业工程需求有望持续释放 → 继续推荐洁净室板块，亚翔集成、圣晖集成凭台系出海优势受益，同时关注柏诚股份。

关键展望

• 美光 Boise ID1、ID2 晶圆厂预计分别于 2027 年年中、2028 年年底首次产出晶圆。

• 美光纽约 Fab1 计划于 2030 年二季度达到设备进场条件、2030 年三季度完成主体建设并启动运营，后续 Fab2—Fab4 依次推进，整体建设延续至 2041 年前后；项目计划 2030 年开始生产。

• 新加坡先进 NAND 晶圆厂预计 2028 年下半年开始出片，HBM 先进封装厂预计 2027 年开始显著贡献产能。

• 广岛下一代 DRAM 项目设备计划于 2026 年 4 月至 2029 财年内陆续安装，首批产品预计于美光 2028 财年第四季度（2028 年 6—8 月）出货，并自 2030 财年第三季度（2030 年 3—5 月）起进入持续生产阶段；新洁净室计划 2028 年下半年搬入生产设备。

• 台积电亚利桑那二号厂计划 2027 年下半年实现 3 纳米量产；2026 年 7 月台积电进一步宣布拟新建多座 2 纳米及以下制程逻辑晶圆厂与先进封装厂，以支撑美国客户强劲需求。

• 美光预计 2027 财年每季度资本开支均将高于 2026 财年第四季度（单季约 100 亿美元）水平。

• 行业评级为“看好丨维持”；风险提示包括遥感监测偏差、半导体资本开支不及预期、海外晶圆厂建设进度不及预期、洁净室及机电工程需求释放不及预期四类风险。

推荐标的

• 行业层面维持建筑与工程“看好”评级，继续推荐受益半导体资本开支的洁净室板块；报告未给出个股评级与目标价。

• 亚翔集成：2026H1 实现营业收入 25.48 亿元、同比+51%，其中 Q2 收入 14.17 亿元、同比+67%，归母净利润 2.42 亿元、同比+207%；新加坡地区收入 17.28 亿元、占总收入 68%，将以新加坡为跳板拓展美国等海外市场。

• 圣晖集成：2026H1 实现营业收入 10.88 亿元、同比-16.0%，归母净利润 0.70 亿元、同比+11.9%，收入承压但盈利改善，Q2 归母净利率 5.70%、同比提升 1.05pct；已聚焦达拉斯、休斯顿的光通信和半导体业务，数名陆籍工程技术人员已获美国签证。

• 柏诚股份：2025 年期末在手订单 24.48 亿元，2026 年 1—4 月新签订单已达 43.2 亿元、超过 2025 年全年水平，反映下游晶圆厂招标及洁净室工程需求显著提升；北美子公司已注册完成，正解决国内人员赴美签证派遣问题。