高盛 韩国科技存储器定价追踪

摘要

高盛9月1日发布的韩国科技存储器定价月报显示，TrendForce将3Q26 PC DRAM合约价涨幅预期由+15-20% qoq上调至+18-23% qoq，并维持服务器DRAM +13-18%、移动DRAM +8-13%的环比预期，高盛对DRAM与NAND的预估与TrendForce大体一致，重申对三星电子和SK海力士的买入评级。 8月DDR4 8GB与DDR5 8GB价格均环比上涨2%至142美元和133美元，DDR5对DDR4折价维持6%。 服务器DRAM方面，DDR4 64GB模组价格持平于1,295美元，DDR5 64GB模组环比上涨1%至1,500美元，DDR5溢价由7月的15%升至16%。 移动DRAM因客户库存偏高、采购动能暂时走弱，TrendForce预计4Q26涨幅进一步减速至0-5% qoq，但因供应商将产能优先投向服务器DRAM和HBM，2027年定价预计保持稳健。 移动NAND方面，3Q26 eMMC/UFS 256GB合约价环比上涨约20%，与高盛预估一致。 目标价方面，三星电子普通股12个月目标价490,000韩元、优先股360,000韩元（两者均为买入），SK海力士12个月目标价3,500,000韩元，对应9.0倍目标P/E。

主要观点

• TrendForce将3Q26 PC DRAM定价预期由环比+15-20%上调至+18-23%，目前略高于高盛对SEC/Hynix平均PC DRAM价格环比增长17%的预测。

• 8月DDR4 8GB与DDR5 8GB价格均环比上涨2%，分别升至142美元和133美元（原为139美元和130美元），DDR5对DDR4折价维持在6%（与7月持平）。

• 8月DDR4 64GB模组价格持平于1,295美元，DDR5 64GB模组环比上涨1%至1,500美元，DDR5对DDR4溢价由7月的15%升至16%。

• TrendForce预计移动DRAM定价4Q26进一步减速至环比0-5%水平，但因供应商预计将产能优先分配给服务器DRAM和HBM，2027年定价预计保持稳健。

• 移动NAND方面，3Q26 eMMC/UFS 256GB合约价环比上涨约20%，与高盛预估一致。

• 高盛对DRAM和NAND的预估与TrendForce观点大体一致，重申对三星电子（SEC）和SK海力士的买入评级。

• 三星电子：基于12个月2026-2027E EV/EBITDA的SOTP目标价，普通股为490,000韩元；优先股12个月目标价360,000韩元，基于27%的目标优先股折价；普通股与优先股均为买入评级。

• SK海力士：基于2026E/27E平均P/E的12个月目标价为3,500,000韩元，采用9.0倍目标P/E。

• 风险提示：三星电子主要下行风险为内存供需大幅恶化、智能手机利润率大幅收缩、移动OLED市场份额流失；SK海力士风险包括内存供需恶化及技术迁移延迟、智能手机/PC/服务器需求走弱、三星HBM业务积极进展以及AI相关资本开支下降拖累HBM需求。

关键展望

• TrendForce预计移动DRAM定价4Q26环比涨幅进一步减速至0-5%水平。

• 2027年内存定价预计保持稳健，因供应商预计将产能优先分配给服务器DRAM和HBM。

• 移动DRAM需求走弱被视为暂时现象（客户库存偏高所致），TrendForce整体仍对定价持正面看法，因供应商将产能向服务器DRAM和HBM配置。

• 未来关键风险：三星电子为内存供需大幅恶化、智能手机利润率大幅收缩、移动OLED市场份额流失；SK海力士为内存供需恶化及技术迁移延迟、智能手机/PC/服务器需求走弱、三星HBM业务积极进展、AI相关资本开支下降影响HBM需求。

推荐标的

• 三星电子（Samsung Electronics，普通股与优先股）：买入评级；普通股12个月目标价490,000韩元（基于12个月2026-2027E EV/EBITDA的SOTP），优先股12个月目标价360,000韩元（基于27%的目标优先股折价）。理由：DRAM/NAND定价预估与TrendForce大体一致，重申买入。

• SK海力士（SK Hynix）：买入评级；12个月目标价3,500,000韩元，基于2026E/27E平均P/E并采用9.0倍目标P/E。理由：重申买入。