Texas Instruments：从Planar到GaN：功率半导体40年进化史与下一次技术革命

原标题：Progress and Scaling in Integrated Power Devices

介绍

从Planar到GaN：功率半导体40年进化史与下一次技术革命

🔷从平面MOSFET到宽禁带GaN，功率器件持续突破效率与密度极限

🔷AI数据中心、高性能计算与电动化浪潮正开启下一次技术革命

很多人都在关注AI芯片、HBM和先进封装，但很少有人意识到，真正支撑AI算力持续增长的，还有一条正在快速升级的功率半导体产业链。

随着GPU功耗不断突破新高、数据中心电力需求急剧攀升，传统供电架构正面临前所未有的挑战。为了让每一度电都发挥更大价值，MOSFET、LDMOS、GaN等功率器件正在迎来新一轮技术革命。

未来功率密度的提升将不再依赖单一工艺进步，而是器件架构创新、材料升级与先进封装协同演进的结果。从MOSFET持续缩放到RESURF与Super Junction电场工程，从CMOS兼容的LDMOS平台到GaN宽禁带半导体崛起，功率器件正在不断突破效率与密度的边界。

当AI服务器功耗迈向千瓦级时代，当数据中心单机柜功率向20kW、40kW甚至更高水平演进，一场围绕高效能源转换与电力架构重构的产业革命已经悄然展开。AI算力狂飙的背后，本质上也是一场功率半导体的升级竞赛。

关键图表

报告未提供可裁切的关键图表。