瑞银存储半导体月报2026年6月刊：短期回调是机会
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摘要
瑞银认为存储半导体行业短期回调提供了买入机会。报告指出，DRAM和NAND价格在2026年二季度出现疲软，但AI驱动的HBM需求依然强劲，预计2026年下半年供需将改善。瑞银维持对三星电子、SK海力士和美光科技的积极评级，认为当前估值具有吸引力。
主要观点
- 2026年二季度DRAM现货价格下跌约10%，但瑞银认为这是短期波动，不改长期上行趋势。
- NAND价格在二季度环比下降5%，主要受消费电子需求疲软影响。
- HBM（高带宽存储器）需求在AI训练和推理推动下持续增长，2026年HBM位元需求预计同比增长80%。
- 三星电子在HBM3E领域领先，预计2026年下半年HBM3E出货量将大幅提升。
- SK海力士的HBM4开发进展顺利，预计2027年量产。
- 美光科技受益于数据中心SSD需求，2026年二季度营收环比增长12%。
- 行业库存水平在二季度末趋于正常化，预计三季度将进入补库存周期。
- 瑞银将2026年DRAM位元需求增速预测从15%上调至18%，NAND从12%上调至14%。
- 2026年全球存储半导体资本支出预计增长20%，主要投向HBM和先进封装。
- 瑞银认为当前板块估值处于历史低位，P/B约为1.5倍，低于历史均值2.0倍。
论述逻辑
瑞银从二季度价格回调入手，指出回调主因是消费电子需求疲软和短期库存调整，但AI/HBM需求强劲且供给端扩产谨慎，因此判断下半年供需将改善。报告通过上调位元需求增速、强调HBM渗透率提升以及库存正常化，推导出当前回调是布局良机，并维持对三大存储龙头的积极评级。
关键展望
- 2026年三季度DRAM价格有望企稳回升，四季度环比增长5-10%。
- 2026年下半年HBM3E出货量将环比增长50%以上。
- 2027年HBM4量产将推动存储行业新一轮增长。
- 风险：消费电子需求持续疲软、地缘政治影响供应链、AI投资不及预期。
推荐标的
- 三星电子：评级买入，目标价100,000韩元，理由：HBM3E领先、估值低。
- SK海力士：评级买入，目标价250,000韩元，理由：HBM4进展顺利、DRAM龙头。
- 美光科技：评级买入，目标价180美元，理由：数据中心SSD增长、估值吸引。
关键图表
图1. AI服务器GPU/加速器出货量预测（千台）
图2. 按GPU/加速器划分的HBM需求预测
图3. HBM位出货量
图4. 调整后HBM供需情况
图5. HBM占DRAM总收入比例
图6. HBM占DRAM总位元比例
图7. HBM平均售价预测（美元/1Gb）
图8. 各厂商HBM位元份额
