伯恩斯坦存储器追踪（4月）：2QCY26 再次大幅涨价

原标题：Bernstein MEMORY TRACKER (Apr) Another major price hike in 2QCY26

摘要

报告指出，存储器市场在2QCY26将迎来又一次大幅涨价，主要受AI需求驱动。DRAM和NAND价格预计分别上涨15%和10%，HBM供应依然紧张。三星和SK海力士是主要受益者，美光也受益但幅度较小。报告维持对三星的“跑赢大市”评级，目标价100,000韩元；对SK海力士的“跑赢大市”评级，目标价250,000韩元；对美光的“与大盘持平”评级，目标价120美元。

主要观点

• 2QCY26 DRAM价格预计环比上涨15%，NAND价格环比上涨10%。
• AI服务器需求持续强劲，HBM3E供应缺口达20%。
• 三星电子受益于HBM3E量产，预计2QCY26 HBM收入环比增长30%。
• SK海力士在HBM市场保持领先，预计2QCY26 HBM出货量环比增长25%。
• 美光受限于产能，HBM份额较低，但传统DRAM涨价仍带来利润改善。
• 存储器行业整体供需紧张，库存水平降至4周以下。
• 2QCY26涨价主要由AI需求拉动，而非传统服务器或PC复苏。
• 报告预计2QCY26 DRAM位元需求环比增长8%，NAND位元需求环比增长5%。
• 供应商资本开支保持谨慎，新增产能有限。
• 地缘政治风险对供应链影响有限，但需关注出口管制变化。

论述逻辑

AI需求爆发 → HBM供不应求（缺口20%）→ 存储器厂商优先供应HBM → 传统DRAM/NAND产能被挤占 → 库存下降（<4周）→ 2QCY26 DRAM/NAND价格大幅上涨 → 三星、SK海力士盈利提升 → 美光受益但幅度较小。

关键展望

• 2QCY26 DRAM价格环比上涨15%，NAND价格环比上涨10%。
• HBM3E供应缺口20%，预计2HCY26才能缓解。
• 三星2QCY26 HBM收入环比增长30%。
• SK海力士2QCY26 HBM出货量环比增长25%。
• 风险：AI需求不及预期、出口管制升级、产能扩张过快。

推荐标的

• 三星电子：跑赢大市，目标价100,000韩元，受益于HBM3E量产和DRAM涨价。
• SK海力士：跑赢大市，目标价250,000韩元，HBM市场领先，出货量增长强劲。
• 美光科技：与大盘持平，目标价120美元，HBM份额低但传统DRAM涨价带来利润改善。

关键图表

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