存储行业报告：AI推理需求重塑存储范式，国产存储迎产业升级期

摘要

本报告指出，生成式AI爆发驱动存储市场进入供需共振的跨越式增长期。 AI推理需求重塑了存储范式，服务器已超越手机成为存储最大应用市场，HBM、DDR5及企业级SSD需求激增。 海外原厂战略性向高附加值领域倾斜，为国产存储产业链打开了市占率提升与产品结构升级的窗口期。 预计2026年全球DRAM市场规模将增至5607亿美元以上，NAND市场增至2890亿美元。 国产厂商在利基市场及高端应用领域正加速导入，行业景气度持续高位。

主要观点

• 全球存储市场进入供不应求的加速爆发期，2026年DRAM与NAND营收预计大幅增长。

• 服务器成为存储需求最主要市场，2026年服务器DRAM占比预计超50%。

• AI推理需求推动企业级SSD对机械硬盘的替代，并催生高带宽闪存（HBF）。

• 国产存储厂商迎来市占率提升与利润释放的进阶期。

• 海外原厂退出2D NAND与DDR4市场，国产厂商有望填补需求红利。

• 存储产业链正处于历史性高景气度时期，量价齐升。

论述逻辑

• AI大模型演进 -> 算力需求激增 -> 存储需求从配套资源转变为核心基础设施 -> 海外原厂产能向高附加值（HBM/服务器）倾斜 -> 存量市场出现缺口 -> 国产存储厂商通过自主可控与技术升级填补缺口并实现市占率提升。

关键展望

• 预计2Q26后存储价格环比增速放缓，但整体价格水平有望维持高位。

• 2026-2028年为全球存储产能建设与升级密集期。

推荐标的

• 建议关注存储模组厂商：德明利、江波龙、佰维存储。

• 建议关注利基存储厂商：兆易创新、普冉股份。

关键图表

图1. 2024年生成式AI爆发，AI服务器对HBM（高带宽内存）、DDR5及高容量NAND的需求呈现指数级、结构性缺口

图2. 存储三商的业绩在AI基础设施爆发和价格持续上涨驱动下持续走高

图3. NAND实现供给侧结构性优化

图4. 存储原厂资本开支：DRAM产能扩张、NAND技术升级

图5. 当面对高并发实时在线服务时，为降低首字延迟并提高每秒Token生成数，系统在冷启动时必须在秒级内加载数百GB的模型文件

图6. 国内原厂全球市占率提升，周期上行利润加速释放

图7. 模组厂规模跃升，客户与产品结构持续升级

图8. 年3月发布停产通知：覆盖32/24/15nm全制程的产品将全面退出NAND，美光26年起削减SLC NAND产能