高盛 韩国科技：存储定价追踪：26年8月：26年第三季度DRAM、NAND平均售价预测基本符合高盛预期

摘要

高盛最新存储定价追踪显示，TrendForce将26年三季度PC DRAM合约价预期由环比+15-20%上调至+18-23%，维持服务器DRAM环比+13-18%、移动DRAM环比+8-13%的预期，高盛自身对DRAM与NAND的预测与之大体一致，并重申对三星电子（SEC）和SK海力士的买入评级。 8月DDR4 8GB与DDR5 8GB合约价环比均涨2%，分别至142美元和133美元，DDR5较DDR4折价维持6%；服务器端DDR4 64GB模组持平于1,295美元，DDR5 64GB模组环比涨1%至1,500美元，DDR5对DDR4溢价由15%升至16%。 移动DRAM因客户库存偏高出现临时性需求走弱，TrendForce预计26年四季度环比增速降至0-5%，但因供应商将产能向服务器DRAM和HBM倾斜，2027年定价有望保持坚挺。 NAND方面，26年三季度eMMC/UFS 256GB合约价环比上涨约20%，与高盛对整体NAND环比+15-20%的预测相符。 现货对合约溢价显著：DDR5 16Gb现货较最新合约价溢价16%，DDR4 8Gb现货溢价达43%。 估值方面，三星电子12个月目标价普通股490,000韩元（SOTP）、优先股360,000韩元，SK海力士为3,500,000韩元（9.0倍目标P/E）。

主要观点

• TrendForce上调26年三季度PC DRAM定价预期至环比+18-23%（原为+15-20%），目前略高于高盛对SEC/海力士平均PC DRAM价格环比+17%的预测。

• 8月DDR4 8GB与DDR5 8GB合约价环比均上涨2%，分别升至142美元和133美元（原为139美元和130美元），DDR5较DDR4的折价维持在6%，与7月持平。

• 移动DRAM：TrendForce预计26年三季度环比+8-13%，较二季度的环比+70-83%明显减速，略低于高盛环比+14%的预测，主因客户库存偏高导致采购动能暂时减弱。

• TrendForce预计26年四季度移动DRAM价格环比增速进一步放缓至0-5%，但因供应商预计将产能优先投向服务器DRAM和HBM，2027年定价有望保持坚挺。

• 移动NAND：26年三季度eMMC/UFS 256GB合约价环比上涨约20%，与高盛对整体NAND价格环比+15-20%的预测相符。

• 现货价格显著强于合约价：DDR5 16Gb现货较最新合约价溢价16%，DDR4 8Gb现货溢价达43%。

• 高盛对DRAM和NAND的价格预测与TrendForce观点大体一致，并重申对三星电子（SEC）和SK海力士的买入评级。

• 三星电子：基于2026-2027E EV/EBITDA的SOTP法12个月目标价，普通股为490,000韩元；优先股目标价360,000韩元（基于27%的优先股折价），普通股与优先股均为买入评级。

• SK海力士：基于2026E/27E平均P/E、目标倍数9.0倍的12个月目标价为3,500,000韩元。

• 风险提示：三星电子主要下行风险为存储供需大幅恶化、智能手机利润率大幅收缩及移动OLED市场份额流失；SK海力士风险包括存储供需恶化与技术迁移延迟、手机/PC/服务器需求走弱、三星HBM业务进展以及AI相关资本开支下降影响HBM需求。

关键展望

• 26年第四季度移动DRAM价格环比增速预计进一步放缓至0-5%。

• 2027年存储定价有望保持坚挺，因供应商预计将产能优先分配给服务器DRAM和HBM。

• 尽管移动DRAM需求因客户库存偏高出现临时性走弱，TrendForce整体仍对定价持积极看法。

推荐标的

• 三星电子（SEC，005930.KS）普通股：买入评级，12个月目标价490,000韩元（基于2026-2027E EV/EBITDA的SOTP估值）；下行风险为存储供需大幅恶化、智能手机利润率收缩及移动OLED份额流失。

• 三星电子优先股（005935.KS）：买入评级，12个月目标价360,000韩元（基于27%的优先股对普通股折价）。

• SK海力士（000660.KS）：买入评级，12个月目标价3,500,000韩元（基于2026E/27E平均P/E、9.0倍目标倍数）；风险包括存储供需恶化、技术迁移延迟、终端需求走弱、三星HBM进展及AI资本开支下降。

• 覆盖股票池还包括Hansol Chemical、LG Display、LG Electronics、LG Innotek、SKC、三星电机（Samsung Electro-Mechanics）等，报告未给出这些公司的最新评级与目标价。