美国银行：全球存储芯片：TurboQuant、DRAM现货价格、南亚科交易、海力士担忧

原标题：Global Memory Tech

摘要

美国银行发布全球存储芯片周报，主题涉及Google TurboQuant对存储芯片需求影响、南亚科私募交易、DRAM现货价格走势及海力士价值提升计划。报告认为TurboQuant短期内对存储芯片需求影响有限，但可能带来长期增长机会。南亚科通过向SanDisk、Kioxia、Solidigm和Cisco发行新股筹资25亿美元，用于建设新12英寸晶圆厂。DRAM现货价格在3月下旬回落，但仍处于历史高位，预计2026年剩余时间将逐步下降。海力士管理层承诺维持50%自由现金流回报率。韩国半导体出口3月前20天创历史新高，中国智能手机2月出货量环比下降21%。

主要观点

• Google TurboQuant对存储芯片需求影响有限：压缩KV缓存内存（如从32位降至3位）存在挑战，当前HBM、DDR5和SSD可能无法保证最优AI推理。
• 部分芯片制造商认为TurboQuant可能像DeepSeek一样带来新增长机会：需要更多缓存内存、DRAM和NAND。
• 南亚科私募交易：以每股223.9新台币向SanDisk、Kioxia、Solidigm和Cisco发行3.516亿股，总筹资787亿新台币（25亿美元），占11.3%股权。
• 南亚科将用所得资金投资台湾南林科技园区新12英寸晶圆厂，目标资本支出100亿美元，产能4.5万片/月，2027年运营。
• DRAM现货价格在3月下旬回落：16Gb DDR5为38美元（周环比-3%），16Gb DDR4为75.5美元（-3%），但仍远高于芯片制造商ASP（10美元左右）和历史均值（5美元左右）。
• 预计DRAM现货价格2026年剩余时间逐步下降，NAND现货价格也将在年底前下降。
• 海力士价值提升计划：管理层承诺维持50%自由现金流回报率，但投资者担忧EUV资本支出增加、ADR新股发行及100万亿韩元净现金目标。
• 韩国半导体出口3月前20天达187亿美元，创历史新高，环比增长23%，同比增长164%。
• 中国智能手机2月出货量1630万部，环比下降21%，同比下降13%。
• 外国品牌2月中国出货量240万部，同比下降8%。

论述逻辑

报告从Google TurboQuant技术出发，分析其对存储芯片需求的潜在影响，认为压缩算法可能减少单次推理所需内存，但长期可能因AI推理普及而增加总需求。接着通过南亚科私募交易，说明传统DRAM在企业级SSD中的关键作用及潜在供应短缺。然后讨论DRAM现货价格高位回落，但远高于历史均值，预计将逐步正常化。最后以海力士价值提升计划、韩国出口和中国智能手机数据作为行业景气度佐证。

关键展望

• DRAM现货价格预计2026年剩余时间逐步下降。
• NAND现货价格预计年底前下降。
• 南亚科新晶圆厂目标2027年运营。
• 海力士价值提升计划受EUV资本支出、ADR计划和净现金目标影响，但50%自由现金流回报承诺不变。

推荐标的

报告未明确给出推荐标的。

关键图表

报告未提供可裁切的关键图表。