Threshold Systems：从193i光刻到三维晶体管：22nm FinFET工艺集成深度拆解

原标题：22nm Gate Last FinFET Process Flow

介绍

从193i光刻到三维晶体管：22nm FinFET工艺集成深度拆解

🔷在EUV尚未成熟的时代，193nm浸没式光刻被推向物理极限

🔷双重图形化、Spacer Patterning与Gate Last共同开启FinFET时代

提到先进制程，很多人的第一反应往往是EUV光刻机、高NA光学系统，或者如今炙手可热的2nm、3nm工艺节点。但如果把时间拨回到十多年前，你会发现，在EUV尚未成熟、193nm光刻已经逼近物理极限的背景下，半导体行业曾经历过一场堪称“极限突破”的技术挑战。

22nm节点正是这场变革的起点。为了继续推动摩尔定律向前发展，晶体管结构首次从二维平面走向三维空间，FinFET由此登上历史舞台。而在这背后，工程师们不仅要解决器件架构的创新问题，更要面对光刻分辨率不足、超窄线宽制造、复杂刻蚀控制以及多重图形化等一系列前所未有的工艺难题。

最近，小编系统梳理了这份 FinFET技术 资料后发现，这不仅是一份FinFET工艺流程说明书，更是一部记录先进逻辑制造如何突破物理极限的“技术进化史”。从双重图形化（Double Patterning）到侧墙间隔层工艺（Spacer Patterning），从鳍结构形成到后栅极（Gate Last）架构导入，每一个步骤都折射出当时全球半导体产业最顶尖的工艺智慧。

今天，小编就带大家一起拆解22nm FinFET诞生背后的核心技术逻辑，看看先进制程是如何一步步走到今天的。

关键图表

报告未提供可裁切的关键图表。