伯恩斯坦 欧盟半导体：阿斯麦：高净值EUV 入门·缩小从未停止

关键图表

图1. 同样，DRAM特征尺寸预计将继续缩小，随Ox世代进入10nm以下时代。我们认为DRAM制造商或于2027-2028年前后在1d节点开始采用HNA，届时最小特征尺寸预计达到10nm。

图2. 随着波长与数值孔径的进步，光刻分辨率已从i线提升至EUV

图3. ASML EUV产品路线图显示新一代系统吞吐量显著提升。他们

图4. HNA通过替代低NA SALELE线条/切割多重成像来简化关键层成像

图5. 计划外停机是EXE不可用的主要驱动因素，减少计划外停机是实现90%可用性目标的关键路径。

图6. 我们估计，就DRAM而言，HNA比LNA LELE双重成像更具成本效益。

图7. 在逻辑P36中，HNA带来更锐利的光瞳成像和更高对比度，将剂量从250降低至

图8. 逻辑器件EUV超越HNA之后的微缩光刻路线图