2026-08-31 · Goldman Sachs · 公司/行业基本面

高盛 GS DRAM 情绪指标（2026年8月）：多空辩论持续，但数据积极；2027年HBM定价预期上调

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摘要

高盛2026年8月DRAM情绪指标指向温和积极方向，与6月持平，综合方向为↑↑。 8月DDR5定价延续上行趋势，8月28日DRAM现货价格同比上涨799%（环比0%）。 7月供应链数据整体强劲：韩国DRAM出口收入同比+394%（环比-3%），南亚科营收同比+720%（环比+49%），普诚同比+333%（环比+25%），Aspeed同比+98%（环比+16%），服务器ODM同比+80%（环比-4%）；主要拖累来自中国智能手机出货，6月同比-17%（环比-36%），方向转为↓↓。报告指出，围绕价格增速放缓与AI驱动结构性顺风的多空辩论仍在持续：高盛最新3Q26E行业DRAM ASP预估环比约+17%，但对应ASP增长二阶导约-20个百分点，SEC的DRAM定价增速假设由2Q26的79%放缓至3Q26E的17%、4Q26E的7%。尽管如此，考虑到HBM供需紧张以及常规DRAM与HBM价差扩大，高盛对2027E HBM维持建设性观点并上调2027年HBM定价预期；情绪表中2026/2027 HBM共识方向为↑↑，高盛基于渠道调研的观点方向为↑。

主要观点

2026年8月高盛DRAM情绪指标指向温和积极方向，与6月相同，综合方向为↑↑。

8月DDR5定价延续上行趋势。

截至2026年8月28日，DRAM现货价格同比+799%、环比0%，方向为↑↑↑。

台湾科技公司整体同比稳健增长，南亚科尤为突出：7月营收同比+720%、环比+49%，方向↑↑↑。

韩国7月DRAM出口收入同比+394%，环比-3%，方向↑↑↑。

存储模组厂普诚（Supreme）7月营收同比+333%、环比+25%。

Aspeed 7月营收同比+98%（环比+16%），服务器ODM 7月营收同比+80%（环比-4%），方向均为↑↑↑。

中国智能手机6月出货量同比-17%、环比-36%，是情绪表中少数方向转负（↓↓）的指标。

高盛最新3Q26E行业DRAM ASP预估环比约+17%，对应ASP增长二阶导约-20个百分点，方向↓↓↓，反映涨价动能放缓。

SEC（三星电子）DRAM定价增长假设显示增速先升后降：4Q25为33%、1Q26为37%、2Q26达79%，3Q26E回落至17%，4Q26E进一步降至7%。

尽管价格增速放缓与AI驱动结构性顺风之间的多空辩论持续，高盛对2027E HBM维持建设性观点，理由是HBM供需紧张及常规DRAM与HBM价差扩大。

情绪表中2026/2027 HBM共识方向为↑↑，高盛基于渠道调研与反馈的观点方向为↑。

论述逻辑

第一步：高频价格与营收数据显示行业景气仍强——DRAM现货价同比+799%、韩国出口+394%、南亚科+720%、普诚+333%、Aspeed+98%、服务器ODM+80%，构成情绪指标多数分项↑↑↑的基础。

第二步：环比维度出现分化（韩国出口环比-3%、服务器ODM环比-4%、中国手机出货环比-36%），叠加3Q26E ASP环比+17%对应二阶导约-20%p，构成'价格增速放缓'的空头论据。

第三步：报告以多空辩论框架权衡——减速担忧对峙AI驱动的结构性顺风，判断关键在于HBM供需紧张与常规DRAM和HBM价差扩大这两项结构性证据。

第四步：据此得出结论——上调2027年HBM定价预期、对2027E HBM维持建设性，并将8月整体情绪指标定在温和积极（↑↑），与6月持平。

关键展望

SEC DRAM定价增速假设逐季放缓：3Q26E为17%、4Q26E降至7%（2Q26高点为79%），价格增速的减速路径是后续跟踪重点。

报告上调2027年HBM定价预期，并对2027E HBM维持建设性观点，基于HBM供需紧张及常规DRAM与HBM价差扩大。

情绪表前瞻方向：2026/2027 HBM共识为↑↑，高盛基于渠道调研与反馈的观点为↑；除季度ASP假设外，报告可见文本未给出其他明确的未来验证时间窗口。

高盛 GS DRAM 情绪指标（2026年8月）：多空辩论持续，但数据积极；2027年HBM定价预期上调

摘要

主要观点

论述逻辑

关键展望

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