爱建证券：海力士“以钼代钨”背后：一场席卷半导体设备链的工艺重构

原标题：海力士以钼代钨，设备链如何传导

介绍

海力士“以钼代钨”背后：一场席卷半导体设备链的工艺重构

🔷400层NAND时代来临，材料创新开始接棒层数竞赛

🔷沉积、刻蚀、清洗与量检测设备迎来全流程升级

过去几年，3D NAND的发展逻辑一直很简单——堆层数。从128层、176层到232层、300层以上，存储厂商不断通过垂直堆叠来降低单位Bit成本。然而，当行业向400层甚至更高层数迈进时，一个问题开始变得越来越突出：仅靠堆层已经不够了。

最近，小编注意到，SK海力士在最新的375层NAND产品中做出了一项颇具标志性的技术调整——首次将钼（Mo）导入字线结构，以部分替代沿用多年的钨（W）材料。表面上看，这只是一次材料替换；但实际上，它背后折射的是整个3D NAND技术路线的重大转变：竞争焦点正从单纯的层数竞赛，转向材料、工艺与设备协同创新的新阶段。

更值得关注的是，钼字线的导入并非单一环节升级，而是一场覆盖沉积、前驱体输送、CMP、清洗、刻蚀以及量检测的全流程工艺重构。从材料端的一次改变，到设备产业链的新一轮升级。

今天小编就带大家看看，SK海力士“以钼代钨”的背后，究竟隐藏着哪些值得关注的新趋势。

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