瑞银：内存半导体月报：2026年4月刊：长期协议与HBM定价谈判在严重供不应求中进行

原标题：April '26 Edition: LTAs and HBM pricing negotiations ongoing amidst severe undersupply

摘要

瑞银在2026年4月内存半导体月报中再次上调DDR和NAND合约价格预测，预计1Q26混合DDR合约价格环比上涨95%（此前+72%），服务器DDR5达1.15美元/Gb；NAND闪存合约价格环比上涨80%（此前+65%）。2Q26预测DDR合约价格环比上涨37%（此前+40%），服务器DDR5达1.55美元/Gb；NAND环比上涨40%（此前+30%）。DRAM上升周期预计持续至至少4Q27，NAND周期峰值延至3Q27。长期协议（LTA）谈判正在进行，涉及超大规模客户承诺50%以上容量并附带价格区间，预计将收窄价格波动。HBM4认证周期启动，上调2027年HBM定价预测至同比+40%。DRAM股票有望反弹，SK海力士（目标价170万韩元）、三星（目标价26.6万韩元）、美光和南亚科获买入评级。

主要观点

• 上调1Q26 DDR合约价格预测：混合DDR环比+95%（此前+72%），服务器DDR5达1.15美元/Gb。
• 上调1Q26 NAND合约价格预测：环比+80%（此前+65%）。
• 2Q26预测：DDR环比+37%（此前+40%），服务器DDR5达1.55美元/Gb；NAND环比+40%（此前+30%）。
• 服务器DDR价格预计4Q26超过1.80美元/Gb，4Q27接近2.00美元/Gb。
• DRAM上升周期预计持续至至少4Q27。
• NAND周期峰值从2Q27延至3Q27，因YMTC将约3万片/月产能（总新增4.5万片/月）分配给DRAM而非NAND。
• 长期协议（LTA）谈判中，超大规模客户可能承诺50%以上容量，附带价格区间和预付款，主要针对DDR。
• 超大规模客户通知DRAM供应商，未满足的DDR需求将转至2027年，加剧供不应求。
• HBM4认证：三星进入最后阶段，SK海力士接近完成逻辑和DRAM die重新设计，美光持续推进。
• HBM4/Rubin市场份额假设：SK海力士60%、三星30%、美光10%。
• 下调SK海力士HBM位出货量：2026年184亿Gb（此前190亿），2027年247亿Gb（此前263亿），因部分产能转向LPDDR5X。
• 上调2027年混合HBM定价至同比+40%（此前+5%），存在上行空间。
• DRAM股票有望反弹，因市场担忧DDR现货价格疲软（瑞银认为现货并非“真实”市场）以及Google TurboQuant、Groq 3等事件实际利好DRAM需求。

论述逻辑

报告从3月价格调整出发，上调1Q26 DDR和NAND合约价格预测，并基于更高基数调整2Q26预测。DRAM上升周期因AI需求持续强劲而延长至至少4Q27；NAND周期因YMTC产能转向DRAM而延后。长期协议谈判正在进行，超大规模客户承诺容量并附带价格区间，预计将降低峰值价格、提高谷底价格，收窄波动范围。HBM4认证推进，供应商份额调整，2027年HBM定价因供不应求大幅上调。尽管宏观和地缘政治不确定性存在，但DDR现货价格疲软被视作非真实信号，AI需求（如Google TurboQuant、Groq 3）实际增加DRAM消耗，整体内存市场2026年达7860亿美元、2027年达1.2万亿美元，DRAM股票存在上行空间。

关键展望

• DRAM上升周期持续至至少4Q27。
• NAND周期峰值在3Q27。
• 服务器DDR价格4Q26超过1.80美元/Gb，4Q27接近2.00美元/Gb。
• 长期协议谈判结果将影响未来价格波动范围。
• HBM4认证进展及Nvidia Rubin平台量产时间。
• 2027年HBM定价同比+40%，存在上行空间。
• 内存市场2026年达7860亿美元，2027年达1.2万亿美元。

推荐标的

• SK海力士：Key Call买入，目标价从155万韩元上调至170万韩元。
• 三星：买入，目标价从25.7万韩元上调至26.6万韩元。
• 美光（MU）：买入（评级隐含）。
• 南亚科：买入（评级隐含）。

关键图表

Figure 1: AI server GPU/accelerator unit forecasts ('000 units)

Figure 2: HBM demand forecasts by GPU/accelerator