伯恩斯坦：ASML与日本半导体设备：DRAM短缺推动产能竞赛

原标题：ASML and Japan SPE: DRAM shortage fuels capacity rush

摘要

DRAM供需缺口因生成式AI对HBM和DDR的需求激增而扩大，DRAM价格飙升，三大DRAM厂商（SK海力士、三星、美光）纷纷加速产能扩张。伯恩斯坦预计2026-2028年DRAM产能增量将从2025年的145kwpm加速至2028年的425kwpm，总设备容量达2,571kwpm。ASML受益最大，预计2028年向DRAM出货44台EUV光刻机，占其EUV出货量的45%，目标价上调至€1,700。日本半导体设备商东京电子和Kokusai也受益于DRAM WFE增长，目标价分别上调至¥56,800和¥8,620。Kokusai成为日本半导体板块首选股。

主要观点

• DRAM供需缺口扩大：生成式AI推动HBM和DDR需求，DRAM价格飙升，预计进一步上涨。
• SK海力士M15X第二洁净室提前至2026年3月设备搬入，原计划2026年5月。
• SK海力士龙仁Y1工厂1-3期提前：1期提前至2027年2月（原5月），2/3期分别提前至2027/2028年。
• SK海力士宣布未来两年（至2027年12月）采购€6.9bn的ASML EUV光刻机。
• 三星平泽P4工厂2期恢复建设（原定2027年底），4期提前至2027年4月。
• 三星平泽P5工厂恢复建设，提前至2028年7月（原定2028年底）。
• 美光以$1.8bn收购PSMC铜锣工厂，预计2027年下半年开始贡献产量，首期产能占美光全球>10%。
• 美光爱达荷ID1工厂预计2027年下半年产出晶圆，纽约Megafab破土动工，总投资约$200bn。
• 美光广岛HBM工厂投资¥1.5tn（$9.6bn），2026年5月开工，2028年出货。
• 美光2026财年资本支出指引从$20bn上调至$25bn（2025财年$15.9bn）。
• 伯恩斯坦预计2026-2028年DRAM产能增量分别为246kwpm、330kwpm、425kwpm，总设备容量从2025年1,570kwpm增至2028年2,571kwpm。
• 每10万片1c节点DRAM绿地产能需6台EUV光刻机，1d节点需7-8台；从1a升级至1c每10万片需3台EUV。
• ASML 2028年EUV出货量预测从79台上调至92台，EPS从€45.3上调至€50.4，目标价从€1,600上调至€1,700（40x PE）。
• 全球（除中国）DRAM WFE 2028年预计达$76bn（2025年$30bn），高于伯恩斯坦此前预测的$51bn。
• 东京电子目标价从¥49,900上调至¥56,800（32x PE）；Kokusai目标价从¥7,080上调至¥8,620（30x PE）。

论述逻辑

DRAM供需缺口扩大（AI需求激增）→ DRAM价格上涨 → 三大厂商加速扩产（洁净室提前、设备搬入提前）→ 产能增量大幅上调（2028年达425kwpm）→ ASML EUV出货量及EPS上调（2028年92台，€50.4）→ 目标价上调至€1,700；同时DRAM WFE增长利好日本设备商（东京电子、Kokusai）→ 目标价上调。

关键展望

• 报告未明确未来验证点，但隐含DRAM价格走势、厂商扩产进度（如SK海力士M15X、龙仁Y1；三星P4/P5；美光铜锣、爱达荷、纽约、广岛）及长期合同（3-5年LTA）对2028年后产能的支撑。
• 风险未明确列出。

推荐标的

• ASML (ASML.NA)：评级Outperform，目标价€1,700（原€1,600），基于40x PE，2028年EPS €50.4。为欧盟半导体板块首选股。
• 东京电子 (8035.JP)：评级Outperform，目标价¥56,800（原¥49,900），基于32x PE。
• Kokusai (6525.JP)：评级Outperform，目标价¥8,620（原¥7,080），基于30x PE。为日本半导体板块首选股。

关键图表

报告未提供可裁切的关键图表。