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伯恩斯坦：Lasertec、KLA：量化极紫外光检测的真实成本以证明其采用合理性

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原标题：Lasertec, KLA: Quantifying the true cost of actinic inspection to justify adoption

摘要

伯恩斯坦认为，极紫外光（EUV）掩模检测中，极紫外光检测（actinic inspection）的成本远低于市场普遍认知。尽管Lasertec的A150检测设备成本是光学检测的15倍，但若计入EUV光刻机闲置成本，实际成本仅为光学检测的1.9倍（熊市情形）甚至持平（牛市情形）。这显著降低了台积电（TSMC）的采用门槛。报告预计A200检测工具将从A14节点开始被采用，订单最早于2026年底或2027年初出现。受EUV曝光次数增加和极紫外光检测渗透率提升驱动，掩模检测市场将在2025-2030年间增长3倍至67亿美元。KLA即将举行的投资者日不太可能改变行业方向，Lasertec凭借先发优势仍将受益。伯恩斯坦维持对Lasertec和KLA的“跑赢大盘”评级，目标价分别为41,000日元和1,750美元。

主要观点

  • 极紫外光检测成本被高估：仅考虑设备成本时，A150检测成本是光学检测的15倍，A200仍为5倍；但计入EUV光刻机闲置成本后，A150成本仅为光学检测的1.9倍（熊市）或持平（牛市）。
  • EUV光刻机闲置成本是关键：EUV光刻机单价约2.5亿美元，远高于检测设备，闲置成本占检测总成本的大部分。
  • A200HiT是游戏改变者：其检测时间从A150的5-6小时缩短至1-2小时，大幅降低设备成本和EUV闲置成本。
  • 极紫外光检测优势显著：能检测所有可印刷EUV缺陷，尤其是多层膜中的相位缺陷，光学检测无法做到。
  • 高数值孔径（High-NA）EUV将推动极紫外光检测需求：预计2028年量产，应用从逻辑芯片扩展至DRAM。
  • 掩模检测市场增速超过WFE：过去10年增长4.5倍，而WFE仅增长3倍。
  • 预计2025-2030年掩模检测市场增长3倍至67亿美元：驱动力包括EUV曝光次数（预计2030年增至3倍，达每月3900万次）和极紫外光检测渗透率（从4.5%升至20-30%）。
  • 极紫外光检测渗透率假设合理：到2030年，领先逻辑节点将有约30层EUV层，其中5-10层为关键层，对应20-30%的渗透率。
  • KLA投资者日（3月12日）不太可能宣布极紫外光检测工具：KLA认为现阶段市场尚不需要，其专用极紫外光工具（7XX）计划在高数值孔径EUV大规模量产时推出（本十年末）。
  • 即使KLA推出竞争产品，市场增长足够容纳两家参与者：Lasertec凭借先发优势和A200HiT（第三代工具）仍具优势。
  • 维持Lasertec“跑赢大盘”评级，目标价41,000日元；维持KLA“跑赢大盘”评级，目标价1,750美元。

论述逻辑

报告从投资者对极紫外光检测成本过高的质疑出发，指出仅考虑设备成本（15倍或5倍）忽略了EUV光刻机闲置成本这一更大组成部分。通过将闲置成本纳入计算，极紫外光检测的实际成本降至光学检测的1-2倍。同时，极紫外光检测在检测精度上的不可替代性（尤其对相位缺陷）使其在先进节点和高数值孔径EUV中成为必需。A200HiT的吞吐量提升进一步降低了成本，推动台积电从A14节点开始采用。此外，掩模检测市场本身因EUV曝光次数增加和极紫外光渗透率提升而快速增长，即使KLA未来进入，市场也足够大。因此，Lasertec和KLA均受益于行业趋势。

关键展望

  • 台积电A14节点（预计2027年底）将采用A200HiT，订单可能于2026年底/2027年初出现。
  • 高数值孔径EUV预计2028年量产，将极紫外光检测市场从逻辑芯片扩展至DRAM。
  • 到2030年，极紫外光检测渗透率预计达到20-30%，掩模检测市场增长3倍至67亿美元。
  • KLA投资者日（3月12日）可能不会宣布极紫外光检测工具，但会更新掩模检测路线图。
  • 风险：极紫外光检测成本下降不及预期、台积电采用延迟、KLA推出竞争产品导致价格压力。

推荐标的

  • Lasertec (6920.JP)：评级“跑赢大盘”，目标价41,000日元。理由：极紫外光检测市场领导者，A200HiT将推动订单增长加速。
  • KLA (KLAC)：评级“跑赢大盘”，目标价1,750美元。理由：掩模检测市场整体增长受益者，但短期内极紫外光检测不是重点。

关键图表

Exhibit 1: EUV极紫外光检测工具价格远高于光学检测工具

Exhibit 2: 极紫外光检测时间更长，但A200显著缩短

Exhibit 3: 极紫外光检测每小时成本是光学检测的3-4倍

Exhibit 4: 仅考虑设备成本时，极紫外光检测每次检测成本是光学检测的4-8倍

Exhibit 5: EUV光刻机每小时成本远高于检测设备

Exhibit 6: 计入EUV闲置成本后，极紫外光检测成本降至光学检测的1-2倍

Exhibit 7: 过去10年掩模检测市场快速增长

Exhibit 8: 掩模检测增速超过WFE

Exhibit 9: 全球EUV曝光次数到2030年将增长2.9倍

Exhibit 10: 当前极紫外光检测占掩模检测市场比例低于10%

Exhibit 11: 若极紫外光渗透率升至20-30%，掩模检测市场将增长3倍

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