佐治亚理工学院：打破氢屏障：BEOL 安全 In2O3 晶体管
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介绍
从“氢灾难”到稳定器件：BEOL-safe In₂O₃氧化铟晶体管的突破时刻
🔷400°C BEOL工艺约束下氧化物晶体管可靠性问题被突破
🔷HfO₂/Al₂O₃界面工程实现氢扩散有效抑制
过去几年，先进半导体工艺的焦点一直集中在FinFET、GAA以及3D集成架构上，但当我深入阅读这份关于BEOL-safe In₂O₃氧化物晶体管的研究后发现，一个更底层、也更容易被忽视的问题正在成为关键瓶颈——后道工艺（BEOL）中的氢扩散效应，正在系统性影响新型氧化物晶体管的可靠性与可集成性。
更具体来说，在标准制造流程中被广泛使用的FGA（Forming Gas Anneal）工艺，在硅器件中是提升可靠性的“关键步骤”，但在氧化物晶体管体系中却可能成为性能退化的“隐形推手”，引发阈值漂移、亚阈值恶化以及长期稳定性下降等一系列问题。
而这项研究的关键突破，就在于通过界面工程与HfO₂/Al₂O₃混合钝化结构设计，成功实现了对氢扩散的有效抑制，让氧化物晶体管在400°C BEOL工艺窗口内依然保持稳定工作能力。
今天，我们就从这个“被忽视的氢问题”出发，看看新一代BEOL兼容晶体管到底是如何被重新定义的。
关键图表
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