伯恩斯坦全球存储器：韩国存储器出口追踪（5月）：HBM4 爬坡早期迹象下的创纪录月份

原标题：Bernstein Global Memory：Korea Memory Export Tracker （May）： A record high month with early signs on HBM4 ramp

摘要

2026年5月韩国存储器出口创历史新高，达到124亿美元，同比增长45%，环比增长6%。DRAM出口环比增长8%，NAND出口环比增长3%。HBM4 爬坡出现早期迹象，但整体仍处于初期阶段。报告认为，强劲的出口数据支撑存储器行业景气度，但需关注后续需求可持续性。

主要观点

• 2026年5月韩国存储器出口总额124亿美元，创单月历史新高。
• 同比增长45%，环比增长6%，显示需求强劲。
• DRAM出口环比增长8%，NAND出口环比增长3%。
• HBM4 爬坡出现早期迹象，但尚未大规模放量。
• 出口增长主要由数据中心和AI相关需求驱动。
• 传统服务器和PC需求保持稳定。
• 移动端需求略有疲软，但被AI需求抵消。
• 库存水平正常化，供需格局改善。
• 价格方面，DRAM合约价环比持平，NAND合约价小幅上涨。
• 韩国存储器出口占全球比重维持高位。
• 预计下半年需求季节性走强，但需警惕宏观风险。
• 报告维持对存储器行业的积极看法。

论述逻辑

韩国5月存储器出口数据创纪录 → 验证AI和数据中心需求强劲 → DRAM和NAND均实现环比增长 → HBM4 爬坡早期迹象出现 → 供需格局改善 → 价格稳定或小幅上涨 → 行业景气度持续 → 但需关注后续需求可持续性和宏观风险。

关键展望

报告未明确给出未来时间窗口或价格预测，但指出HBM4爬坡处于早期阶段，下半年需求季节性走强，需关注宏观风险。

推荐标的

报告未明确给出推荐标的。

关键图表

图1. 作为HBM出货量的紧密代理，韩国多芯片存储器对台湾和马来西亚的出口达到

图2. 忠清南道出口环比增长79%，较2月环比增长55%

图3. 数据落后于我们的三星预测

图4. 基于历史数据的回归分析

图5. 忠清南道出口的月度季节性变得更加后端集中，表明12月

图6. 如果仅使用最近几个季度的数据

图7. 忠清北道和利川的出口在5月环比下降

图8. 我们预测SK海力士2026年HBM将增长36%