半导体超级周期系列：长鑫IPO：国产存储的Capex新周期

摘要

AI算力需求驱动全球半导体行业景气上行，三星、SK海力士、美光三大海外原厂大幅上调资本开支，开启全球存储扩产周期。 长鑫科技科创板IPO拟募资295亿元启动大规模扩产，公司现有产能利用率已达96%接近满产。 长鑫2025年实现营收617.99亿元，同比增长约155%并实现扭亏为盈，SemiAnalysis预测其2028年全球DRAM市占率有望升至17%。 报告指出扩产资本开支将沿产线建设节奏分三阶段逐级传导：前道设备招标采购、核心零部件备货传导、材料耗材持续放量。 投资思路上，建议围绕“存储扩产+国产替代”主线，按设备先行、零部件接力、材料后发的逻辑进行布局。

主要观点

• AI需求推动三大海外原厂集体上调资本开支，存储行业进入扩产周期。

• HBM挤占通用DRAM产能，供需缺口推动存储价格进入新一轮上行周期。

• 长鑫科技IPO过会拟募资295亿元，用于DRAM技术升级与扩产。

• 长鑫科技业绩实现根本性转折，扭亏为盈且毛利率大幅提升。

• 长鑫存储产能利用率高达96%接近满产，中长期产能规划有望进入全球第一梯队。

• 长鑫扩产的资本开支传导分为三个阶段：设备先行、零部件接力、材料后发。

• 设备环节按单机价值量与国产化基础排序，刻蚀与薄膜沉积为第一梯队。

• 零部件环节扩产周期长于整机，易形成供给瓶颈，业绩弹性有望高于设备厂商。

• 材料环节受益于投片放量，湿电子化学品国产化推进较快，高端领域仍有替代空间。

论述逻辑

• AI算力需求推升HBM及通用DRAM需求，导致存储供需紧平衡与价格上涨。

• 海外原厂与长鑫科技相继开启大规模资本开支，推动全球及国产存储进入扩产周期。

• 晶圆厂的资本开支按建设节奏，依次传导至前道设备、核心零部件与材料耗材环节。

• 根据传导顺序与国产替代逻辑，推导出先布局设备、随后关注零部件弹性、最后跟踪材料兑现的投资策略。

关键展望

• TrendForce预测2027年DRAM市场规模将增至9033亿美元，成为市场扩张核心驱动力。

• SemiAnalysis预测长鑫2028年全球DRAM供应份额将提升至17%。

• 美光FY2026资本开支预计超250亿美元，新增产能主要自2027年起释放。

• 长鑫科技2026年上半年预计实现营业收入1100亿元至1200亿元。

推荐标的

• 建议关注半导体设备相关厂商：北方华创、中微公司、拓荆科技等。

• 建议关注核心半导体零部件相关厂商：富创精密、江丰电子、珂玛科技等。

• 建议关注材料耗材相关厂商：雅克科技、鼎龙股份、安集科技等。