伯恩斯坦 阿斯麦高数值孔径极紫外光刻入门：微缩永无止境

关键图表

图1. 同样，DRAM特征尺寸预计将持续缩小，随Ox世代进入10nm以下时代；我们预计DRAM厂商或于2027-2028年前后在1d节点开始采用HNA，届时最小特征尺寸预计达到10nm

图2. 随着波长和数值孔径的进步，光刻分辨率已从i线提升至EUV

图3. 保护膜（Pellicle）是覆盖在光罩上的薄膜，可防止颗粒落在光罩上；它能提高生产良率，但也会吸收光线，从而降低EUV系统产率

图4. HNA的产率损失：整片晶圆覆盖所需的曝光场次数约为NXE的2倍，由于每次曝光覆盖的晶圆面积更小，生产效率显著降低

图5. IMEC演示表明，HNA光刻机采用化学放大型光刻胶（CAR）实现了16nm特征分辨率，而采用金属氧化物光刻胶（MOR）可分辨小至

图6. 到2030年分别降至约2.1%和1.9%

图7. 在逻辑P36中，HNA带来更锐利的光瞳成像和更高对比度，将曝光剂量从250降至

图8. 逻辑芯片超越HNA的EUV微缩：光刻技术路线图