长鑫科技（688825.SH）：打破DRAM海外垄断的本土破局者，存储大周期下驶入成长快车道

摘要

长鑫科技是国内最大、全球第四大 DRAM 原厂，2026Q1 全球营收份额增至 7.7%。 AI 驱动 DRAM 需求爆发，服务器需求占比有望从 2024 年的 38% 提升至 2026 年的 50%~60%。 26 年存储涨价大周期延续，预计 26 年 DRAM 全年合约价涨幅 135%~176%，公司业绩迎来爆发式增长。 产能方面，长鑫在合肥、北京拥有 3 座 12 英寸晶圆厂，预计 2026 年全部达产，且上海新建的 DRAM 及 HBM 超级工厂预计于 2027 年投产。 技术方面，长鑫量产主力制程为 G4（约 16-17nm），落后海外原厂 1-2 代，但通过 4F²+CBA 架构创新实现以结构补制程，布局处于全球领先地位。

主要观点

• 长鑫是国内最大、全球第四大 DRAM 原厂，国产化率仍有提升空间。

• 长鑫 2026Q1 全球营收份额提升至 7.7%，三大原厂仍占 90%。

• AI 驱动服务器需求爆发，DRAM 中服务器需求占比有望从 2024 年的 38% 提升至 2026 年的 50%~60%。

• 长鑫在合肥、北京拥有 3 座 12 英寸晶圆厂，并新建上海 DRAM 及 HBM 产线。

• 受益于存储大周期，公司预计 26H1 营收 1100-1200 亿元，同比增长 613%~677%，归母净利润暴增。

• 公司产品结构持续优化，高附加值的 DDR 系列营收占比由 2022 年的 18% 提升至 2025 年的 32%。

• 服务器收入占比快速攀升，从 2022 年的 2% 显著提升至 2025H1 的 24%。

• 本轮存储超级周期自 25Q2 开启，预计 26 年 DRAM 全年合约价涨幅高达 135%~176%。

• 制程方面长鑫加速追赶，主力制程为 G4（约 16-17nm），预计 2026-2027 年研发 G5 工艺。

• 长鑫产能快速扩张，25 年月产能 26 万片，预期 26 年达 29.8 万片，与原厂差距收敛。

• 面对出口管制，长鑫在 4F²+CBA 架构上布局领先，通过架构创新实现“以结构补制程”。

• 国资背景深厚，清辉集电、长鑫集成、国家大基金二期等为长鑫主要股东。

论述逻辑

• AI 推理推动 Token 消耗量大幅增加，KV Cache 多层缓存成为标配，引发服务器 DRAM 需求指数级爆发。

• 原厂减产及 CSP 厂商需求超预期导致 DRAM 供需趋紧，价格持续暴涨，为公司带来量价齐升的超级大周期。

• 在面临先进光刻设备出口管制的背景下，长鑫通过率先研发 4F²+CBA 架构来提升密度并突破物理瓶颈，实现技术追赶。

关键展望

• 预计 26 年 DRAM 供需仍持续紧张，26Q1 至 26Q4E 常规型 DRAM 价格预期涨幅分别为 93%~98%、58%~63%、13%~18%、0~5%。

• 上海新建的 12 英寸 DRAM 超级工厂规划月产能 40 万至 60 万片，预计 2026 年下半年启动设备安装调试，2027 年正式投产。

• 长鑫拟募资 295 亿元用于产线升级及前瞻研发，三大募投项目预计均于 2028 年上半年前完成竣工验收。

推荐标的

• 长鑫科技（688825.SH）：国内 DRAM 龙头，评级：无。