高盛:亚太科技:半导体存储器:铠侠CY4Q25业绩传导;强劲隐含ASP指引支持我们对NAND市场的积极展望
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摘要
高盛发布报告,分析日本NAND厂商铠侠(Kioxia)CY4Q25(FY3Q25/2025年12月季度)财报对韩国存储器供应商SK海力士(Hynix,买入)和三星电子(SEC,买入)的传导效应。铠侠美元计价的混合ASP环比增长低十位数,位元出货量环比增长中个位数,受数据中心和智能手机需求支撑。铠侠给出CY1Q26美元收入环比增长53%-70%的指引,隐含ASP增长强劲,与高盛对三星电子CY1Q26 NAND ASP环比增长70%的预期一致,但高于对SK海力士NAND ASP环比增长45%的预期。铠侠维持NAND市场展望不变,预计本日历年度NAND位元需求增长高十位数,中长期CAGR为20%,供应全年保持紧张。铠侠重申资本支出纪律,尽管供应紧张且竞争对手转向DRAM,高盛认为这有助于延长供应不足周期。报告还提供了三星电子、SK海力士和铠侠的NAND关键指标趋势图表(Exhibit 1)。
主要观点
- 铠侠CY4Q25美元计价混合ASP环比增长低十位数,同口径定价涨幅类似,因产品组合变化有限。
- 铠侠位元出货量环比增长中个位数,受数据中心和智能手机客户需求支撑。
- 铠侠给出CY1Q26美元收入环比增长53%-70%的指引,并评论位元出货量将因智能手机季节性及库存减少而环比下降,隐含ASP增长强于收入。
- 该隐含ASP指引与高盛对三星电子CY1Q26 NAND ASP环比增长70%的预期一致,但高于对SK海力士NAND ASP环比增长45%的预期(过去几季海力士增长更强)。
- 铠侠NAND市场展望整体不变:预计本日历年度NAND位元需求增长高十位数,受强劲数据中心需求推动。
- 铠侠预计NAND需求中长期CAGR为20%。
- 铠侠预计NAND供应全年保持紧张,且可预见未来极度紧张。
- 铠侠重申资本支出纪律,资本支出增长与NAND需求中长期CAGR(当前预测20%)一致,尽管供应紧张且三星电子/海力士/美光等存储器厂商越来越多转向DRAM。
- 高盛认为,第三大NAND厂商铠侠的资本支出纪律策略将积极有助于延长供应不足周期。
- 报告覆盖SK海力士(买入,目标价1,200,000韩元)和三星电子(买入,普通股目标价205,000韩元,优先股目标价159,000韩元)。
论述逻辑
铠侠CY4Q25财报显示ASP和出货量均环比增长,且CY1Q26收入指引强劲,隐含ASP大幅增长,验证了高盛对NAND市场积极展望。铠侠维持NAND需求增长高十位数、供应紧张的观点,并坚持资本支出纪律,即使竞争对手转向DRAM,这强化了供应不足周期持续的逻辑。高盛据此认为其覆盖的韩国存储器供应商(SK海力士和三星电子)将受益。
关键展望
报告未明确给出未来验证点或时间窗口,但隐含的验证点包括:CY1Q26铠侠ASP实际增长是否符合隐含指引;NAND位元需求是否如预期增长高十位数;供应紧张是否持续;铠侠是否维持资本支出纪律。
推荐标的
- SK海力士(000660.KS):买入,目标价1,200,000韩元。估值方法:基于2026E/27E平均P/B的12个月目标价,使用30%的AI溢价,应用于2009-2010年定价上升周期峰值倍数2.16倍,得出目标倍数2.8倍。风险:存储器供需恶化、技术迁移延迟、智能手机/PC/服务器需求疲软、三星HBM业务进展、AI相关资本支出下降。
- 三星电子(005930.KS):买入,目标价205,000韩元(普通股)。估值方法:基于2026E EV/EBITDA的SOTP 12个月目标价。风险:存储器供需恶化、智能手机利润率收缩、移动OLED市场份额损失。
- 三星电子优先股(005935.KS):买入,目标价159,000韩元,基于普通股目标价折价22%。
关键图表
Exhibit 1: SEC/Hynix/Kioxia NAND key metrics trend