瑞银：存储半导体月报2026年3月刊：存储定价动能持续强劲不减

原标题：UBS Memory Semis Monthly March '26 Edition: Strong memory pricing momentum continues unabated

摘要

瑞银在2026年3月存储半导体月报中大幅上调DRAM和NAND合约价格预测，认为存储芯片供不应求将持续至2027年甚至更久。1Q26 DDR合约价格环比涨幅从62%上调至72%，2Q26再涨40%；NAND 1Q26环比涨幅从40%上调至65%，2Q26再涨30%。HBM需求预测进一步上调，2026年HBM终端消费量预计达31.1bn Gb（同比+80%），2027年达53.9bn Gb（+73%）。三星HBM执行改善及P4厂1c nm DRAM产能快速爬坡，推动其2027年HBM出货量预测从15.0bn Gb上调至20.0bn Gb。SK海力士预计2027年维持45% HBM位元份额，三星34%，美光20%。DRAM产能扩张受限于厂房空间、设备交期和人力，三星每年合理DRAM产能增加约80k wpm，SK海力士约65k wpm。瑞银上调SK海力士目标价至1,550,000韩元，三星至257,000韩元，美光至475美元，南亚科至360新台币，并维持对东京电子、中微公司、AMAT、ASMI、ASML、Eugene Tech、LRCX的买入评级。

主要观点

• 1Q26 DDR合约价格环比涨幅从62%上调至72%，服务器DDR5合约价达1.0美元/Gb。
• 2Q26 DDR合约价格预计再涨40%（此前+15%），服务器DDR5接近1.3-1.5美元/Gb。
• 1Q26 NAND合约价格环比涨幅从40%上调至65%。
• 2Q26 NAND合约价格预计再涨30%（此前+15%）。
• DRAM供不应求预计持续至4Q27，许多行业参与者考虑是否延续至2028年及以后。
• NAND周期峰值时间从1Q27推迟至2Q27，行业普遍比瑞银更乐观。
• 2026年HBM终端消费量预测上调至31.1bn Gb（此前30.9bn），同比+80%。
• 2027年HBM终端消费量预测上调至53.9bn Gb（此前48.6bn），同比+73%。
• 考虑出货与终端消费约3.5个月滞后，2027年HBM出货量相当于超过60bn Gb。
• 2027年HBM位元出货量预测从52.7bn Gb上调至58.3bn Gb，主要来自三星从15.0bn Gb上调至20.0bn Gb。
• 三星HBM执行改善、客户参与度提升，以及平泽P4厂1c nm DRAM产能从2025年底20k wpm快速爬坡至2026年底105k wpm。
• SK海力士2027年HBM位元份额预计45%，三星34%，美光20%。
• DRAM产能扩张受限：三星合理年增80k wpm，极限100k wpm；SK海力士65k wpm，极限85k wpm。
• 上调SK海力士2026年资本支出至41万亿韩元（此前38万亿），2027年至47万亿韩元（此前43万亿），受龙仁基础设施投资和DRAM设备拉动。
• 下调三星2026年NAND资本支出至7万亿韩元（同比持平），因NAND技术迁移受厂房空间限制。
• 三星和SK海力士可能到2028年底才能新增NAND晶圆产能，因DRAM优先占用P5/龙仁产能，NAND转DRAM也在考虑中。

论述逻辑

瑞银通过行业会议调研发现存储芯片定价动能持续强劲，因此上调合约价格预测。HBM需求上调源于AI GPU采购预估的上行，而供给端受限于晶圆产能扩张速度（厂房、设备交期、人力），导致供不应求周期延长。三星HBM执行改善和1c nm DRAM产能快速爬坡进一步推升其HBM出货量。基于此，瑞银上调覆盖标的的目标价。

关键展望

• DRAM供不应求预计持续至4Q27，但行业参与者考虑可能延续至2028年及以后。
• NAND周期峰值预计在2Q27（此前1Q27），行业通常比瑞银更乐观。
• 三星和SK海力士可能到2028年底才能新增NAND晶圆产能。
• 报告未明确给出未来验证点或时间窗口。

推荐标的

• SK海力士（买入，Key Call）：目标价从1,280,000韩元上调至1,550,000韩元。
• 三星（买入）：目标价从242,000韩元上调至257,000韩元。
• 美光（买入）：目标价从450美元上调至475美元。
• 南亚科（买入）：目标价从340新台币上调至360新台币。
• 东京电子（买入，Key Call）
• 中微公司（买入，Key Call）
• AMAT（买入）
• ASMI（买入）
• ASML（买入）
• Eugene Tech（买入）
• LRCX（买入）

关键图表

Figure 1: AI server GPU/accelerator unit forecasts (‘000 units)

Figure 2: HBM demand forecasts by GPU/accelerator

Figure 3: HBM vendors’ bit shipments

Figure 4: Adjusted HBM supply vs demand

Figure 5: HBM as % of total DRAM revenues

Figure 6: HBM as % of total DRAM bits

Figure 7: HBM ASP forecasts (US$/1Gb)

Figure 8: HBM bit share by vendor

Figure 9: DRAM industry capacity (k wpm) breakdown between DDR and HBM

Figure 10: DRAM capacity (k wpm) breakdown between DDR and HBM by supplier

Figure 11: HBM demand by type (2026E)

Figure 12: HBM demand by type (2027E)

Figure 13: HBM demand by customer (2026E)

Figure 14: HBM demand by customer (2027E)

Figure 15: Samsung — HBM as % of DRAM revenues

Figure 16: SK Hynix — HBM as % of DRAM revenues

Figure 17: Samsung — HBM as % of DRAM bits

Figure 18: SK Hynix — HBM as % of DRAM bits

Figure 19: Samsung and SK Hynix DRAM revenues (Won bn)

Figure 20: Samsung and SK Hynix DRAM operating margins (%)

Figure 21: DDR cycles in context

Figure 22: NAND cycles in context

Figure 23: DDR/NAND as % of flagship smartphone BOM costs

Figure 24: DDR/NAND as % of mid/low-range smartphone BOM costs

Figure 25: DRAM bit demand per application (2026E)

Figure 26: DRAM bit demand per application (2027E)

Figure 27: NAND bit demand per application (2026E)

Figure 28: NAND bit demand per application (2027E)

Figure 29: Samsung and SK Hynix — DRAM finished wafers and dies inventories

Figure 30: Samsung and SK Hynix — NAND finished wafers and dies inventories

Figure 31: DRAM customer inventories (weeks)

Figure 32: NAND customer inventories (weeks)

Figure 33: DRAM industry wafer starts and YoY growth

Figure 34: NAND industry wafer starts and YoY growth

Figure 35: DRAM industry bit supply and YoY growth

Figure 36: NAND industry bit supply and YoY growth

Figure 37: CXMT wafer capacity and as % of DRAM industry

Figure 38: CXMT bit shipments and as % of DRAM industry

Figure 39: DRAM industry NOCF (US$m) and FCF margin %

Figure 40: NAND industry NOCF (US$m) and FCF margin %