伯恩斯坦:全球存储:6月价格继续上涨,但涨幅在3Q26放缓
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摘要
伯恩斯坦6月存储追踪报告显示,DRAM和NAND合约价格在6月继续环比上涨,但涨幅预计在3Q26显著收窄。DRAM方面,6月合约价环比温和上涨,2Q26传统DRAM合约价较1Q26上涨74%,其中PC、服务器、移动和消费类分别上涨49%、67%、约80%和约85%。现货价方面,PC DRAM现货价环比反弹5.6-11.5%,服务器DRAM现货价环比上涨6.1-26.4%,其中服务器DDR5现货价尤为强劲。NAND方面,晶圆合约价仅环比微涨0.3-3.7%,但移动NAND和SSD价格强劲,预计2Q26整体NAND合约价环比上涨约60%。展望3Q26,DRAM和NAND价格涨幅均将显著收窄,DRAM预计环比上涨13-18%,NAND预计环比上涨5-10%。长期来看,存储价格预计在2H27开始见顶并逐步正常化。报告覆盖三星电子、SK海力士、美光、KIOXIA和SanDisk,均给出评级和目标价。
主要观点
- DRAM 6月合约价环比继续上涨,2Q26传统DRAM合约价较1Q26上涨74%,高于5月合约指示的约64%。
- PC DRAM 2Q26合约价环比上涨49%,6月合约价环比微增,PC OEM需求比预期更具韧性,MacBook Neo和微软促销是原因之一。
- 服务器DRAM 2Q26合约价环比上涨67%,6月合约价环比上涨0-9.1%,三星继续推高价格,美光LTA价格上限接近其2Q26合约价水平,三星和SK海力士LTA价格上限可能更高。
- 移动DRAM 2Q26合约价环比上涨约80%,三星和美光要求80%以上涨幅,SK海力士初步要求55-60%,最终接近80%。
- 消费类DRAM 2Q26合约价环比上涨105-108%,6月合约价环比上涨8.3-13.6%,供应仍显著低于需求。
- DRAM现货价6月继续上涨,PC DRAM现货价环比上涨5.6-11.5%,服务器DRAM现货价环比上涨6.1-26.4%,服务器DDR5现货价尤为强劲。
- NAND晶圆现货价6月环比下跌3.3%,接近合约价20-25%折价,但晶圆仅占NAND市场一小部分。
- NAND合约价方面,晶圆合约价6月环比仅上涨0.3-3.7%,但移动NAND和SSD价格强劲,2Q26整体NAND合约价预计环比上涨约60%。
- 3Q26展望:DRAM合约价预计环比上涨13-18%(PC 15-20%,服务器13-18%,移动5-10%),NAND合约价预计环比上涨5-10%,涨幅均显著收窄。
- 长期来看,存储价格预计在2H27开始见顶并逐步正常化,进入CY28,因更多LTA生效和产能上线。
论述逻辑
报告从TrendForce/DRAMeXchange发布的6月合约价和现货价数据出发,逐产品线(PC、服务器、移动、消费类DRAM及NAND晶圆、eMMC/UFS)分析价格变动,并与伯恩斯坦模型和投资者预期比较。核心逻辑:AI驱动的服务器需求持续吸收增量供应,而消费类需求因提前购买而比预期更具韧性,但最终仍将出现需求破坏,导致3Q26价格涨幅显著收窄。LTA(长期协议)可减轻价格回调影响,但更多LTA签署后价格上限将限制进一步上涨。最终结论:存储价格将在2H27见顶,CY28开始正常化。
关键展望
- 3Q26 DRAM合约价预计环比上涨13-18%(PC 15-20%,服务器13-18%,移动5-10%)。
- 3Q26 NAND合约价预计环比上涨5-10%。
- 中国CSP的LTA谈判将持续至3Q26。
- 存储价格预计在2H27开始见顶并逐步正常化,进入CY28。
- 报告未明确给出具体时间窗口或目标价调整。
推荐标的
- 三星电子 (005930.KS):评级 Outperform,目标价 KRW 440,000。
- 三星优先股 (005935.KS):评级 Outperform,目标价 KRW 374,000。
- 三星 (SMSN.LI):评级 Outperform,目标价 USD 7,350.00。
- SK海力士 (000660.KS):评级 Outperform,目标价 KRW 3,300,000。
- 美光 (MU):评级 Outperform,目标价 USD 1,300.00。
- KIOXIA (285A.JP):评级 Underperform,目标价 JPY 40,000。
- SanDisk (SNDK):评级 Outperform,目标价 USD 3,000.00。
关键图表
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