高盛 拓荆科技（688072.SS，中性）：中国AI行：存储产能扩张驱动未来增长；规格升级推动设备扩张

摘要

本篇是高盛“中国AI行”系列会议纪要：2026年9月11日高盛在北京接待拓荆科技（688072.SS，未覆盖）管理层。 管理层对其沉积设备业务持积极态度，认为中国半导体资本开支增长趋势、公司SPE（半导体工艺设备）扩张以及向先进节点工具的规格升级形成支撑。 高盛引用其CHIPS 4报告观点，预测中国WFE（晶圆制造设备）支出2026-28年分别同比增长13%/20%/15%，主要由存储与先进节点技术的更高投资驱动，以支撑生成式AI的强劲增长，并预计中国资本密集度上升将同时利好全球与本土SPE供应链。 拓荆科技是中国沉积设备供应商及PECVD本土龙头，同时提供SACVD、HDPCVD等高端CVD和ALD设备。 管理层指出，本地主要存储供应商扩产叠加SPE国产化率上升，将为拓荆等本土设备商带来未来数年的增长机会；公司凭借多元化产品组合、长期产品市场验证以及代工厂为稳定良率对现有供应商的依赖，有望保持本土薄膜沉积设备的领先地位。 管理层还预计先进封装设备将为公司带来潜在上行空间。 报告未给予评级与目标价，公司专项披露处显示股价为RMb620.88。

主要观点

• 高盛于9月11日在中国AI行期间于北京接待拓荆科技管理层；管理层对沉积设备业务持积极态度，支撑因素为中国半导体资本开支增长趋势，以及公司SPE扩张并向先进节点工具进行规格升级。

• 管理层对中国SPE需求的积极表态与高盛CHIPS 4报告的积极观点一致：高盛预测中国WFE支出2026-28年分别同比增长13%/20%/15%，主要因存储和先进节点技术的更高投资以支撑生成式AI的强劲增长。

• 高盛认为中国资本密集度的提升将同时利好全球及本土SPE供应链。

• 公司简介：拓荆科技（688072.SS，未覆盖）是中国沉积设备供应商、PECVD本土龙头，同时提供SACVD、HDPCVD等高端CVD及ALD设备，受半导体客户产能扩张和国产化趋势支撑。

• 管理层要点：拓荆的CVD和ALD设备正受益于中国市场国产化趋势，并向先进节点工具进行规格升级。

• 本地主要存储供应商的产能扩张，叠加SPE国产化率上升，将在未来数年为拓荆等本土SPE厂商带来增长机会。

• 管理层看好拓荆保持本土薄膜沉积设备的领先地位，理由包括：多元化产品组合、产品在市场上的长期验证，以及代工厂为稳定良率通常更依赖现有供应商。

• 向前看，管理层预计先进封装设备将为拓荆带来潜在上行空间。

• 披露层面：拓荆科技为高盛未覆盖（NC）标的，无公司专项监管披露，披露中显示其股价为RMb620.88。

论述逻辑

• 高盛中国AI行（9月11日北京）接待拓荆科技管理层 → 管理层对SPE需求积极：CVD/ALD设备受益于中国市场国产化趋势+向先进节点工具的规格升级 → 本地主要存储供应商扩产+SPE国产化率上升 → 为拓荆等本土SPE厂商带来未来数年增长机会 → 拓荆凭借多元化产品组合、长期产品市场验证、代工厂为稳定良率依赖现有供应商，有望保持薄膜沉积设备领先地位 → 先进封装设备构成潜在上行空间 → 该积极基调与高盛CHIPS 4报告相互印证：中国WFE支出2026-28年分别+13%/20%/15%（存储与先进节点投资驱动，支撑生成式AI增长） → 中国资本密集度上升利好全球及本土SPE供应链。

关键展望

• 高盛预测中国WFE（晶圆制造设备）支出2026、2027、2028年分别同比增长13%、20%、15%，主要投向存储与先进节点技术。

• 管理层预计先进封装设备将为拓荆科技带来潜在上行空间。

• 本地主要存储供应商扩产与SPE国产化率上升，将在未来数年为本土SPE厂商带来增长机会。

• 报告为会议纪要，拓荆科技状态为未覆盖（NC），未给出该公司的评级、目标价或盈利预测。

推荐标的

• 拓荆科技（688072.SS）：高盛未覆盖（NC/未评级），无评级与目标价；披露股价为RMb620.88；管理层电话会基调积极（沉积设备、存储扩产、国产化率上升、先进封装潜在上行）。