高盛：韩国科技存储器定价追踪 2026年4月：最新2Q26 DRAM/NAND定价预测高于高盛预期

原标题：GS South Korea Tech Memory Pricing Tracker Apr. 2026 Latest 2Q26 DRAM NAND pricing forecasts higher vs. GSe

摘要

高盛发布韩国科技存储器定价追踪报告，更新2026年4月数据。报告显示，最新2Q26 DRAM和NAND定价预测均高于高盛此前预期（GSe）。具体而言，DRAM价格预测上调，NAND价格预测也上调。报告基于行业供需分析，认为存储器市场在2Q26将呈现价格上涨趋势。该预测对三星电子和SK海力士等韩国存储器厂商构成利好。报告未提供具体数字或评级，但强调定价超预期。

主要观点

• 最新2Q26 DRAM定价预测高于高盛此前预期（GSe）。
• 最新2Q26 NAND定价预测同样高于高盛此前预期（GSe）。
• 报告基于存储器行业供需动态，认为价格上涨趋势将持续。
• 韩国科技股（如三星电子、SK海力士）可能受益于存储器定价上调。
• 报告未提供具体价格数字或百分比变化，仅定性描述“higher vs. GSe”。
• 报告未给出具体评级或目标价。

论述逻辑

报告从存储器行业供需分析出发，认为2Q26 DRAM和NAND需求强劲，供应相对紧张，导致定价高于高盛此前模型预测。因此，高盛上调定价预测，并暗示对韩国存储器厂商盈利有正面影响。

关键展望

报告未明确给出未来验证点或时间窗口。仅指出当前2Q26定价预测高于预期，但未说明后续季度展望或风险因素。

推荐标的

报告未明确给出推荐标的。

关键图表

图1. DDR5 16Gb现货较最新合约价溢价10%

图2. DDR4 8Gb现货较最新合约价溢价64%

图3. DDR5相对DDR4的定价折扣收窄

图4. DDR5相对DDR4的定价溢价收窄