高盛：中国半导体调研：英诺赛科（2577.HK）CFO 交流：GaN 在 AI 服务器、机器人、电动汽车驱动下扩张；苏州工厂产能爬坡

原标题：Goldman Sachs China Semis Tour: Innoscience (2577.HK) CFO visit: GaN in expansion driven by AI servers, Robotics, EVs; Suzhou factory ramping up

摘要

高盛于 2026 年 1 月 7 日在上海举办的中国半导体调研中与英诺赛科（2577.HK，未覆盖）CFO 进行了交流。英诺赛科是一家本地 GaN IDM 供应商，提供 8 英寸 GaN 芯片，应用于消费电子、电动汽车、AI 和数据中心以及机器人领域。管理层对 GaN 终端应用从低压到高压产品的扩张持乐观态度，并正在持续提升产能以更好地捕捉终端需求。管理层认为，其 IDM 业务模式以及快速响应 GaN 器件设计与制造的能力是公司的竞争优势。高盛对化合物半导体的增长持积极看法，受益于终端应用增加和成本结构改善。报告还提及了 SICC（买入，Rmb89.86）作为相关标的。

主要观点

• 管理层致力于产能扩张，目标是在 2028 年前实现苏州工厂的全面投产，以更好地捕捉 GaN 需求的增长，驱动因素包括 AI 数据中心、机器人、电动汽车（如 LiDar、车载充电器）、工业电源、消费电子电源等。
• 管理层认为，由于公司已对工厂进行投资，仅需引入设备，因此资本开支负担不大；预计需要投资约 40 亿元人民币来提升苏州工厂产能。
• 管理层对 GaN 应用扩张持积极态度，指出约 70-80% 的应用处于低压高频领域，实现快速开关，例如 AI 数据中心的功率半导体、机器人关节驱动器、电动汽车 LiDar 等。
• 公司也在开发高压产品（如 1200V 及以上），可用于工业电源、采矿机械、电动汽车逆变器等。
• 在 AI 服务器方面，管理层看到 GPU 和 ASIC AI 服务器的机会，随着计算能力提升和客户对能效意识的增强，每机架的美元含量正在增加。
• 公司认为中国的 AI 基础设施相较于全球 AI 发展仍处于早期阶段，这可能在后期成为公司的新驱动力。
• 管理层强调其作为 IDM 的优势，包括内部外延片、以及 GaN 器件设计与制造之间的快速响应能力，从而及时满足客户需求。
• 管理层指出，其 GaN 器件的良率已超过 95%，并将在未来两年继续提升，增强竞争优势。
• 外延片的难点包括均匀性、翘曲问题，且尺寸越大制造越困难；器件方面有 400 多道生产工序，化合物半导体的特性也使其加工比硅基器件更困难。
• 高盛对化合物半导体的增长持积极看法，受益于成本改善和性能提升（如尺寸更小、能效更强），AI 数据中心是主要驱动力之一。
• 高盛重申对 SICC（全球 SiC 衬底领导者）的买入评级。

论述逻辑

高盛通过与管理层交流，确认 GaN 终端应用正在从低压向高压扩张，产能持续爬坡，IDM 模式提供竞争优势。管理层对 AI 服务器、机器人、电动汽车等驱动因素持乐观态度，且中国 AI 基础设施尚处早期，未来有望成为新增长点。高盛据此认为化合物半导体行业正受益于成本改善和性能提升，AI 数据中心推动供应链规格升级，并重申对 SICC 的买入评级。

关键展望

报告未明确给出未来验证点或时间窗口，但指出管理层目标在 2028 年前实现苏州工厂全面投产，且 GaN 器件良率将在未来两年继续提升。

推荐标的

• SICC（买入，Rmb89.86）：全球 SiC 衬底领导者，受益于化合物半导体行业增长。
• 英诺赛科（2577.HK）：未覆盖，但作为 GaN IDM 供应商被调研。

关键图表

报告未提供可裁切的关键图表。