2026-09-04 · BofA · 公司/行业基本面

美国银行：美银全球存储科技周刊：日本会议要点与投资者反馈，9月现货价格仍有上行空间

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摘要

美银在 9 月 4 日全球存储科技周报中，汇总 8 月 31 日至 9 月 3 日日本会议的管理层指引与投资者反馈：NAND 供给长期持续紧张、LTA 增多下 ASP 仍在上行，半导体设备订单由刻蚀、沉积与研磨工具领跑，T-glass 产能到 2027-28 年较 2025 年扩张 100-200%，FC BGA 与 MLCC 供需偏紧，HBM 混合键合仍处研发阶段，且因质量偏低、与中国 AI 供应链竞争有限。 DRAM 现货价已达数十年高位（DDR5 约 54 美元、DDR4 约 93 美元，远超 2017 年 10 月约 10 美元前高）；估值上多数 DRAM 股 2026/27 年 EPS 仅 4-7 倍 P/E，三星与 SK 海力士本周因获利了结走软但基本面仍有 HBM 需求支撑，SanDisk 与铠侠年内涨幅超 400%。

主要观点

日本会议（8 月 31 日–9 月 3 日）NAND 要点：价值型与企业级存储增长机会强劲，全球存储供给长期持续紧张，即便 LTA 增多 ASP 仍在上行，绿地投资极少（对比 DRAM），股东回报积极。

半导体设备订单趋势乐观，由刻蚀、沉积与研磨工具领跑，台湾/韩国/美国芯片厂的订单强于中国。

T-glass（超薄玻璃纤维）为满足强劲增长的 AI 需求，到 2027-28 年产能较 2025 年水平扩张 100-200% 的计划进展顺利，但涨价幅度尚不足以让供应链恢复健康。

AI 相关元器件供需偏紧但涨价克制：AI 芯片用 FC BGA 基板供给紧张且扩产尚不足以满足新需求；MLCC 在 AI 服务器需求大增下尚未涨价，以维持高进入壁垒、避免利润率异常偏高。

HBM 混合键合：尚难期待有意义的设备订单，仍处研发阶段，16-hi 甚至 20-hi 很可能仍采用传统 TCB。

报告认为与中国 AI 供应链公司的竞争有限，因其质量偏低（存储、设备、基板、T-glass、MLCC 等）。

美银认为当前股价水平极具吸引力，五大理由：周期底 P/E 为 5 倍或以下（类似 2001、2009、2019、2023 年确立的 1.0 倍 P/B）；3Q ASP 仍在良好上行（DRAM 环比 20%+）；2026 年后无硬着陆（即使 2028 年 ASP 也仅持平或边际下调）；与中国芯片厂无严重竞争；回购与分红非常积极。

8 月现货价格环比涨 10% 左右或季度涨 20-30%，南亚科月度营收与韩国半导体出口同样强劲；美银预计 9 月现货价格因需求/订单超过广泛紧张的供给而进一步上涨。

估值与股价：本周三星与 SK 海力士因半导体板块整体回调及 AI 大涨后的获利了结走软，但 HBM 需求、英伟达积极表态与超大规模云厂商 AI 资本开支扩张仍支撑基本面，多数 DRAM 股 2026/27 年 EPS 估值仅 4-7 倍 P/E；存储股在 7 月至 8 月初深度回调后于 8 月底 9 月初企稳，SanDisk 与铠侠年内涨幅超 400%，Intel 与 AMD 年内表现优于英伟达/苹果/高通等美国大科技股。

关键展望

9 月现货价格预计进一步上涨，因需求/订单超过广泛紧张的供给。

3Q ASP 仍在良好上行，DRAM 环比涨 20% 以上。

AI 景气下 2026 年之后无硬着陆，即使到 2028 年 ASP 也仅持平或边际下调。

T-glass 产能扩张推进至 2027-28 年，较 2025 年水平增长 100-200%。

HBM 混合键合短期内难有有意义的设备订单，16-hi 甚至 20-hi 世代很可能仍采用传统 TCB。

美国银行：美银 全球存储科技周刊：日本会议要点与投资者反馈，9月现货价格仍有上行空间

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关键展望

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