2026-06-26 · BofA · 公司/行业基本面

美国银行：全球存储芯片技术：美光业绩对亚洲存储芯片制造商的启示

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原标题：Global Memory Tech

摘要

美光5月季度业绩及指引乐观，BofA认为存储超级周期可能延续至2027年甚至2030年。美光5月季度营收创纪录达410亿美元（同比+346%），毛利率85%，营业利润率81%，并给出8月季度营收指引500亿美元（环比+21%）。BofA上调2026-2028年全球DRAM/NAND销售预测2-4%，预计2026年DRAM营收同比+316%，NAND营收同比+295%。长期协议（LTA）增加使行业周期减弱、盈利性提升，但新晶圆厂建设困难、产能扩张有限。韩国6月前20天半导体出口同比+188%，DRAM现货价格连续五周上涨20%，NAND现货下跌5%。

主要观点

美光5月季度营收410亿美元（同比+346%），8月季度指引500亿美元（环比+21%），年化营收约2000亿美元，对应存储行业市场规模约1万亿美元。
美光5月季度毛利率85%，营业利润率81%，管理层预计高利润率将持续。
DRAM ASP在5月季度环比上升低60%区间，NAND ASP环比上升中80%区间。
DRAM和NAND营业利润率在5月季度分别达81%和78%，均创历史新高。
超级周期或芯片短缺可能持续至2027年甚至2030年。
与大型科技公司和OEM的长期协议（LTA）增加，使行业周期减弱、盈利性提升，类似台湾代工模式。
新建晶圆厂困难：建设成本高、地方政府监管、电力/水供应问题。
2028年晶圆产能扩张有限：旧厂升级需要大量洁净室、制造周期延长、设备尺寸增大、先进芯片良率低、HBM与常规DRAM trade-off高。
尽管资本支出较正常周期翻倍以上，自由现金流仍显著增加。
美光提及HBM4销售额已达10亿美元；全球新晶圆厂建设/运营包括美国（博伊西、纽约、弗吉尼亚）、台湾（铜锣）、新加坡和日本；以及大量EUV订单。
所有主要亚洲存储芯片制造商均认同美光的乐观观点。
BofA上调2026-2028年全球DRAM/NAND销售预测2-4%，主要基于2Q26 ASP强劲（抵消LTA导致的3Q/2H ASP疲软）以及2H26和2027-28年出货量小幅增长。
韩国6月前20天半导体出口255亿美元（环比+16%），同比+188%，连续五个月三位数增长。
DRAM现货价格连续五周上涨20%，NAND现货下跌5%。
美光和其他大型存储芯片制造商越来越多使用LTA固定ASP，芯片生产更偏向高端（HBM、SOCAMM、LPDDR5），避免价格竞争。
南亚科技DRAM销售仍主要基于月度/季度协商ASP，LTA敞口很低。

论述逻辑

美光5月季度业绩超预期（营收410亿美元，毛利率85%）→ 指引8月季度营收500亿美元（环比+21%）→ 验证存储超级周期持续 → 行业趋势：LTA增加使周期减弱、盈利提升；新厂建设困难限制产能；资本支出翻倍但FCF增长 → BofA上调全球存储销售预测2-4% → 韩国出口和DRAM现货价格进一步确认需求强劲 → 结论：存储芯片制造商面临有利供需格局，价格竞争风险低。