周尔双 李文意 行业研究 行业深度 存储测试机专题：AI算力催生HBM带动测试机新需求，国产设备商加速突破

摘要

东吴证券发布存储测试机专题报告，指出AI算力需求爆发与数据中心扩容导致存储芯片供需趋紧，DDR4现货价格自2024年底至2026年6月底飙涨超17倍。 AI大模型训练与推理为突破内存墙瓶颈，催生了对高带宽存储器(HBM)的强劲需求，HBM采用3D堆叠架构，HBM3e传输速率已达8.0~9.8Gbps。 HBM复杂的堆叠结构引入了KGSD等全新测试环节，使得测试道数由传统DRAM的3-4道提升至15道以上，HBM存储测试机需求约为传统DRAM的5-6倍。 全球SoC与存储测试机市场总规模在2023至2026年期间的年均复合增长率预计高达38%，2026年合计将达115.5亿美元。 目前全球存储测试机市场由爱德万(61%)与泰瑞达(24%)主导，国产化率仅8-10%。 随着国内存储大厂积极扩产，精智达、联讯仪器等国产设备商正迎来测试设备国产替代的黄金机遇期。

主要观点

• AI算力需求推动存储芯片供需趋紧与价格暴涨，DDR4自2024年底至2026年6月涨幅超17倍。

• 国内存储厂商产能利用率维持高位且扩产空间大，长鑫2025产能利用率达95.7%。

• HBM具备高带宽、低延迟和低功耗优势，成为AI训练芯片的主流方案以解决内存墙问题。

• HBM性能持续迭代，HBM3e的传输速率达8.0~9.8Gbps，单颗容量提升至24~48GB。

• 全球测试机市场快速扩张，SoC与存储测试机总市场规模在2023-2026E期间CAGR高达38%。

• DRAM测试难度和设备需求大于NAND，测算DRAM单万片测试设备价值量约为NAND的4倍。

• HBM堆叠架构显著放大存储测试机需求，KGSD测试是带动需求增长的关键所在。

• HBM测试道数和设备需求激增，测试机需求达传统DRAM的5-6倍。

• HBM演进推动测试设备硬件要求提升，对供电能力、时序精度等提出更高挑战。

• 存储测试机国产化率极低，爱德万与泰瑞达合计占据全球约85%的市场份额。

• 国产设备商加速突破，精智达2025年半导体存储器件测试业务收入同比增长150.39%。

论述逻辑

• AI算力需求引发内存墙问题，催生了对高带宽、大容量存储(HBM)的强劲需求，带动HBM技术快速向3D堆叠与更高规格演进。

• HBM的3D堆叠引入了复杂的KGSD测试环节，使得同等容量晶圆级CP测试数量和测试内容大幅增加。

• 测试数量和复杂度的成倍增加，直接转化为存储测试设备量价齐升的庞大需求。

• 当前测试设备市场被海外双寡头垄断，但国产设备商有望伴随本土存储产业崛起复制海外龙头成长路径，实现加速替代。

关键展望

• 全球测试机市场规模将持续扩张，爱德万预计2026年全球SoC/存储测试机市场规模将分别提升至91/24.5亿美元。

• 海外龙头已陆续实现HBM4量产，国内长鑫存储正在积极扩产追赶，预计于2027年实现HBM3e量产。

• 需警惕封测设备需求不及预期、技术研发及验证进度不及预期以及行业竞争加剧的风险。

推荐标的

• 精智达：存储测试设备全品类布局，9Gbps高速FT测试机已交付客户，业务进入放量期。

• 联讯仪器：重点布局DRAM测试机、HBM芯片KGD分选测试设备，高速存储芯片测试系统Demo机台正送样验证。